元器件百科

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    LTC3869IUF
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3869IUF 是一款高性能、双通道、同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 780kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作,最大限度地降低了功率损失以及由输入电容器的 ESR 所引起的噪声。 OPTI-LOOP? 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。其 4V 至 38..

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    LTC3869EUFD
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3869EUFD 是一款高性能、双通道、同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 780kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作,最大限度地降低了功率损失以及由输入电容器的 ESR 所引起的噪声。 OPTI-LOOP? 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。其 4V 至 3..

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    LTC3869EUF
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3869EUF 是一款高性能、双通道、同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 780kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作,最大限度地降低了功率损失以及由输入电容器的 ESR 所引起的噪声。 OPTI-LOOP? 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。其 4V 至 38..

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    LTC3868IUH
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3868IUH 是一款高性能、双通道、降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出异相运作,最大限度地降低了由于输入电容器 ESR 所引起的功率损耗和噪声。 170μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ..

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    LTC3868EUH
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3868EUH 是一款高性能、双通道、降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出异相运作,最大限度地降低了由于输入电容器 ESR 所引起的功率损耗和噪声。 170μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ..

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    LTC3868EUFD-1
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3868EUFD-1 是一款高性能、双通道、降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出异相运作,最大限度地降低了由于输入电容器 ESR 所引起的功率损耗和噪声。 170μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用能够在一个很宽的输出电..

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    LTC3867IUF
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3867IUF 是一款电流模式、同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 级。通过采用一种非线性控制架构最大限度地减小了输出电压瞬态摆幅,以消除时钟延迟问题。 最大电流检测电压的可编程范围为 30mV 至 75mV,因而允许使用一个分立式检测电阻器或电感器 DCR 作为检测元件。可编程 DCR 温度补偿容许采用恒定的电流限值,这与电感器温度无关。基于电感器温度的可..

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    LTC3867EUF
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3867EUF 是一款电流模式、同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 级。通过采用一种非线性控制架构最大限度地减小了输出电压瞬态摆幅,以消除时钟延迟问题。 最大电流检测电压的可编程范围为 30mV 至 75mV,因而允许使用一个分立式检测电阻器或电感器 DCR 作为检测元件。可编程 DCR 温度补偿容许采用恒定的电流限值,这与电感器温度无关。基于电感器温度的可..

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    LTC3866IUF
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3866IUF 是一款单相电流模式同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 开关。该器件采用了一种独特的架构,此架构可改善电流检测信号的信噪比,从而允许使用非常低 DC 电阻的功率电感器,以最大限度地提升高电流应用中的效率。该特性还降低了低 DCR 应用中常见的开关抖动。另外,LTC3866IUF 还包括一个高速远端采样差分放大器、一个可选择为 10mV、15mV..

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    LTC3866IFE
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3866IFE 是一款单相电流模式同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 开关。该器件采用了一种独特的架构,此架构可改善电流检测信号的信噪比,从而允许使用非常低 DC 电阻的功率电感器,以最大限度地提升高电流应用中的效率。该特性还降低了低 DCR 应用中常见的开关抖动。另外,LTC3866IFE 还包括一个高速远端采样差分放大器、一个可选择为 10mV、15mV..

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    LTC3866EUF
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3866EUF 是一款单相电流模式同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 开关。该器件采用了一种独特的架构,此架构可改善电流检测信号的信噪比,从而允许使用非常低 DC 电阻的功率电感器,以最大限度地提升高电流应用中的效率。该特性还降低了低 DCR 应用中常见的开关抖动。另外,LTC3866EUF 还包括一个高速远端采样差分放大器、一个可选择为 10mV、15mV..

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    LTC3866EFE
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3866EFE 是一款单相电流模式同步降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 开关。该器件采用了一种独特的架构,此架构可改善电流检测信号的信噪比,从而允许使用非常低 DC 电阻的功率电感器,以最大限度地提升高电流应用中的效率。该特性还降低了低 DCR 应用中常见的开关抖动。另外,LTC3866EFE 还包括一个高速远端采样差分放大器、一个可选择为 10mV、15mV..

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    LTC3865EUH-1
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3865EUH-1 是高性能、双通道、同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 770kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作,最大限度地降低了功率损失和噪声。 OPTI-LOOP? 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。每个控制器的独立跟踪/软起动引脚在启..

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    LTC3865EUH
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3865EUH 是高性能、双通道、同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 770kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作,最大限度地降低了功率损失和噪声。 OPTI-LOOP? 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。每个控制器的独立跟踪/软起动引脚在启动操..

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    LTC3865EFE
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3865EFE 是高性能、双通道、同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 770kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作,最大限度地降低了功率损失和噪声。 OPTI-LOOP? 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。每个控制器的独立跟踪/软起动引脚在启动操..

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    LTC3864MPMSE
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3864MPMSE 是一款坚固的高电压降压型 DC/DC 控制器,专为汽车和工业应用而优化。其可驱动一个 P 沟道功率 MOSFET 开关,并执行 100% 占空比运作。宽输入和输出电压范围可适合众多的应用。在故障情况下运作时,该器件利用失效模式与影响分析 (FMEA) 程序进行了验证。 LTC3864MPMSE 拥有卓越的轻负载效率,在一种用户可编程的突发模式操作中仅吸收 40μA 的..

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    LTC3864MPDE
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3864MPDE 是一款坚固的高电压降压型 DC/DC 控制器,专为汽车和工业应用而优化。其可驱动一个 P 沟道功率 MOSFET 开关,并执行 100% 占空比运作。宽输入和输出电压范围可适合众多的应用。在故障情况下运作时,该器件利用失效模式与影响分析 (FMEA) 程序进行了验证。 LTC3864MPDE 拥有卓越的轻负载效率,在一种用户可编程的突发模式操作中仅吸收 40μA 的静态..

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    LTC3864IMSE
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3864IMSE 是一款坚固的高电压降压型 DC/DC 控制器,专为汽车和工业应用而优化。其可驱动一个 P 沟道功率 MOSFET 开关,并执行 100% 占空比运作。宽输入和输出电压范围可适合众多的应用。在故障情况下运作时,该器件利用失效模式与影响分析 (FMEA) 程序进行了验证。 LTC3864IMSE 拥有卓越的轻负载效率,在一种用户可编程的突发模式操作中仅吸收 40μA 的静态..

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    LTC3864IDE
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3864IDE 是一款坚固的高电压降压型 DC/DC 控制器,专为汽车和工业应用而优化。其可驱动一个 P 沟道功率 MOSFET 开关,并执行 100% 占空比运作。宽输入和输出电压范围可适合众多的应用。在故障情况下运作时,该器件利用失效模式与影响分析 (FMEA) 程序进行了验证。 LTC3864IDE 拥有卓越的轻负载效率,在一种用户可编程的突发模式操作中仅吸收 40μA 的静态电流..

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    LTC3864HDE
    发布日期:2018/6/23 点击:

    概述LTC3864HDE 是一款坚固的高电压降压型 DC/DC 控制器,专为汽车和工业应用而优化。其可驱动一个 P 沟道功率 MOSFET 开关,并执行 100% 占空比运作。宽输入和输出电压范围可适合众多的应用。在故障情况下运作时,该器件利用失效模式与影响分析 (FMEA) 程序进行了验证。 LTC3864HDE 拥有卓越的轻负载效率,在一种用户可编程的突发模式操作中仅吸收 40μA 的静态电流..

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