概述LTC3879EMSE 是一款同步降压型开关稳压器控制器，专为高开关频率和快速瞬态响应而优化。恒定接通时间谷值电流模式架构允许一个宽输入范围，包括非常低占空比操作。无需采用外部检测电阻器或斜率补偿。系统灵活性通过一个用户可编程软起动引脚和独立的RUN引脚来提供。电压斜坡上升软起动功能可利用一个电容器来设置，或使之跟踪一个外部基准源。 该器件的工作频率由一个外部电阻器来设定，并针对 VIN 中的..

概述LTC3878IGN 是一款同步降压型开关稳压控制器，专为高开关频率和快速瞬态响应而优化。恒定接通时间谷值电流模式架构允许一个宽输入范围，包括非常低占空比操作。无需采用外部检测电阻器或斜率补偿。在不采用 EXTVCC 引脚的应用中，LTC3878IGN 与 LTC1778 引脚兼容，并且提供了更佳的效率。如欲验证兼容性，请与凌力尔特查询。 该器件的工作频率由一个外部电阻器来设定，并针对 VIN..

概述LTC3878EGN 是一款同步降压型开关稳压控制器，专为高开关频率和快速瞬态响应而优化。恒定接通时间谷值电流模式架构允许一个宽输入范围，包括非常低占空比操作。无需采用外部检测电阻器或斜率补偿。在不采用 EXTVCC 引脚的应用中，LTC3878EGN与 LTC1778 引脚兼容，并且提供了更佳的效率。如欲验证兼容性，请与凌力尔特查询。 该器件的工作频率由一个外部电阻器来设定，并针对 VIN ..

概述LTC3875IUH 是一款双通道输出、电流模式、同步降压型 DC/DC控制器，用于驱动全N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件运用了一种独特的架构，此架构可改善电流检测信号的信噪比，因而允许使用非常低DC 电阻功率电感器以最大限度地提升高电流应用中的效率。另外，该特性还可抑制低 DCR 应用中常见的开关抖动。 LTC3875IUH 具有两个高速远端采样差分放大器、10mV 至30mV 的..

概述LTC3875EUH 是一款双通道输出、电流模式、同步降压型 DC/DC控制器，用于驱动全N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件运用了一种独特的架构，此架构可改善电流检测信号的信噪比，因而允许使用非常低DC 电阻功率电感器以最大限度地提升高电流应用中的效率。另外，该特性还可抑制低 DCR 应用中常见的开关抖动。 LTC3875EUH 具有两个高速远端采样差分放大器、10mV 至30mV 的..

概述LTC3874IUFD 是一款双通道、多相(PolyPhase?) 电流模式同步降压型从属控制器。当与一个伙伴主控制器配对使用时，该器件可通过扩展相位数目实现高电流、多相应用。与其相兼容的主控制器包括LTC3884、LTC3866、LTC3877和LTC3774。LTC3874IUFD 运用了一种独特的架构，可改善电流检测信号的信噪比，从而允许使用具mΩ 以下 DC电阻的功率电感器，以最大限度..

概述LTC3874EUFD 是一款双通道、多相(PolyPhase?) 电流模式同步降压型从属控制器。当与一个伙伴主控制器配对使用时，该器件可通过扩展相位数目实现高电流、多相应用。与其相兼容的主控制器包括LTC3884、LTC3866、LTC3877和LTC3774。LTC3874EUFD 运用了一种独特的架构，可改善电流检测信号的信噪比，从而允许使用具mΩ 以下 DC电阻的功率电感器，以最大限度..

概述LTC3873IDDB-5 是一款用于升压、反激式或 SEPIC 型 DC/DC 转换器的恒定频率、电流模式控制器，专为在高输入和输出电压转换器应用中驱动一个 N 沟道功率 MOSFET 而设计。 LTC3873IDDB-5 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度，且静态电流消耗仅为 300μA (在正常操作期间) 和 50μA (在微功率启动期间)。当采用一个 9.3V 内部并联稳压器时，LT..

概述LTC3873ETS8-5 是一款用于升压、反激式或 SEPIC 型 DC/DC 转换器的恒定频率、电流模式控制器，专为在高输入和输出电压转换器应用中驱动一个 N 沟道功率 MOSFET 而设计。 LTC3873ETS8-5 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度，且静态电流消耗仅为 300μA (在正常操作期间) 和 50μA (在微功率启动期间)。当采用一个 9.3V 内部并联稳压器时，LT..

概述LTC3873ETS8 是一款恒定频率、电流模式、升压、反激式或 SEPIC 型 DC/DC 控制器，用于在高输入和输出电压转换器应用中驱动一个 N 沟道功率 MOSFET。软起动功能可利用一个外部电容器来设置。 LTC3873ETS8 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度，且静态电流消耗仅为 300μA (在正常操作期间) 和 55μA (在微功率启动期间)。当采用一个 9.3V 内部并联稳..

概述LTC3873EDDB 是一款恒定频率、电流模式、升压、反激式或 SEPIC 型 DC/DC 控制器，用于在高输入和输出电压转换器应用中驱动一个 N 沟道功率 MOSFET。软起动功能可利用一个外部电容器来设置。 LTC3873EDDB 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度，且静态电流消耗仅为 300μA (在正常操作期间) 和 55μA (在微功率启动期间)。当采用一个 9.3V 内部并联稳..

概述LTC3872HTS8-1 是一款恒定频率、电流模式、升压型 DC/DC 控制器，用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，且所需的外部组件非常之少。No RSENSE?架构免除了增设一个检测电阻器的需要，并改善了效率、节省了电路板空间。 LTC3872HTS8-1 提供了超卓的 AC 和 DC 负载调节和电压调节性能以及±1.5% 的输出电压准确度。该器件具有一种欠压闭锁功能，可在输入电压降..

概述LTC3872HDDB-1 是一款恒定频率、电流模式、升压型 DC/DC 控制器，用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，且所需的外部组件非常之少。No RSENSE?架构免除了增设一个检测电阻器的需要，并改善了效率、节省了电路板空间。 LTC3872HDDB-1 提供了超卓的 AC 和 DC 负载调节和电压调节性能以及±1.5% 的输出电压准确度。该器件具有一种欠压闭锁功能，可在输入电压降..

概述LTC3872ETS8 是一款恒定频率、电流模式、升压型 DC/DC 控制器，用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，而且所需的外部组件非常之少。No RSENSE?架构免除了增设一个检测电阻器的需要，并改善了效率、节省了板级空间。 LTC3872ETS8 提供了超卓的 AC 和 DC 负载调节和电压调节性能以及 ±1.5% 的输出电压准确度。该器件具有一种欠压闭锁功能，可在输入电压降至 2..

概述LTC3872EDDB 是一款恒定频率、电流模式、升压型 DC/DC 控制器，用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，而且所需的外部组件非常之少。No RSENSE?架构免除了增设一个检测电阻器的需要，并改善了效率、节省了板级空间。 LTC3872EDDB 提供了超卓的 AC 和 DC 负载调节和电压调节性能以及 ±1.5% 的输出电压准确度。该器件具有一种欠压闭锁功能，可在输入电压降至 2..

概述LTC3870EUFD 是一款多相 (PolyPhase?) 降压型从属控制器，专为与 LTC3880 系列数字电源系统管理 DC/DC 控制器进行多相运作而设计。通过将其自身与主控制器级联，该器件可实现一款用于提供非常大电流的小巧和具成本效益的解决方案。一种峰值电流模式架构使 LTC3870EUFD 拥有卓越的相位间均流和芯片间均流性能。 由于能够与 LTC3880 系列协调一致地运作，因此..

概述LTC3870IUFD 是一款多相 (PolyPhase?) 降压型从属控制器，专为与 LTC3880 系列数字电源系统管理 DC/DC 控制器进行多相运作而设计。通过将其自身与主控制器级联，该器件可实现一款用于提供非常大电流的小巧和具成本效益的解决方案。一种峰值电流模式架构使 LTC3870IUFD拥有卓越的相位间均流和芯片间均流性能。 由于能够与 LTC3880 系列协调一致地运作，因此 ..

概述LTC3870IUF-1 是一款多相 (PolyPhase?) 降压型从属控制器，专为与 LTC 的数字电源系统管理 DC/DC 控制器进行多相运作而特别设计。通过将其自身与一个 LTC3887-1 控制器相级联，该器件可实现一款用于提供非常大电流的小巧和具成本效益的解决方案。一种峰值电流模式架构使 LTC3870IUF-1 拥有相位间和芯片间的卓越均流性能。 由于能够与 LTC3887-1 ..

概述LTC3870EUF-1 是一款多相 (PolyPhase?) 降压型从属控制器，专为与 LTC 的数字电源系统管理 DC/DC 控制器进行多相运作而特别设计。通过将其自身与一个 LTC3887-1 控制器相级联，该器件可实现一款用于提供非常大电流的小巧和具成本效益的解决方案。一种峰值电流模式架构使 LTC3870EUF-1 拥有相位间和芯片间的卓越均流性能。 由于能够与 LTC3887-1 ..

概述LTC3869IUFD 是一款高性能、双通道、同步降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 780kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作，最大限度地降低了功率损失以及由输入电容器的 ESR 所引起的噪声。 OPTI-LOOP? 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。其 4V 至 3..