概述LTC3704EMS 是一款宽输入范围、电流模式、正至负 DC/DC 控制器，用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，且只需极少的外部组件。该器件面向低至高功率应用，其通过利用功率 MOSFET 的导通电阻免除了增设一个电流检测电阻器的需要，从而最大限度地提高效率。 这款 IC 的工作频率可利用一个外部电阻器设定在 50kHz 至 1MHz 的范围之内，也可以采用 MODE/SYNC 引脚同..

概述LTC3703EGN-5 是一款能够从高至 60V 的电压进行直接降压的同步降压型开关稳压控制器，因而使其成为电信和汽车应用的理想选择。LTC3703EGN-5 采用一种恒定频率 (高至 600kHz)、电压模式架构来驱动外部逻辑电平 N 沟道 MOSFET。 一个精密的内部基准提供了 1% 的直流准确度。一个高带宽误差放大器以及已获专利授权*的电压前馈补偿技术实现了非常迅速的电压和负载瞬态响..

概述LTC3703EG-5 是一款能够从高至 60V 的电压进行直接降压的同步降压型开关稳压控制器，因而使其成为电信和汽车应用的理想选择。LTC3703EG-5 采用一种恒定频率 (高至 600kHz)、电压模式架构来驱动外部逻辑电平 N 沟道 MOSFET。 一个精密的内部基准提供了 1% 的直流准确度。一个高带宽误差放大器以及已获专利授权*的电压前馈补偿技术实现了非常迅速的电压和负载瞬态响应。..

概述LTC3703IGN是一款能够从高至 100V 的电压进行直接降压的同步降压型开关稳压控制器，因而使其成为电信和汽车应用的理想选择。LTC3703IGN 采用一种恒定频率 (高至 600kHz) 电压模式架构来对外部 N 沟道 MOSFET 进行驱动。 一个精密的内部基准提供了 1% 的直流精度。一个高带宽误差放大器以及已获专利授权的电压前馈补偿技术实现了非常迅速的电压和负载瞬态响应。强力 1..

概述LTC3703HGN是一款能够从高至 100V 的电压进行直接降压的同步降压型开关稳压控制器，因而使其成为电信和汽车应用的理想选择。LTC3703HGN 采用一种恒定频率 (高至 600kHz) 电压模式架构来对外部 N 沟道 MOSFET 进行驱动。 一个精密的内部基准提供了 1% 的直流精度。一个高带宽误差放大器以及已获专利授权的电压前馈补偿技术实现了非常迅速的电压和负载瞬态响应。强力 1..

概述LTC3703EGN 是一款能够从高至 100V 的电压进行直接降压的同步降压型开关稳压控制器，因而使其成为电信和汽车应用的理想选择。LTC3703EGN 采用一种恒定频率 (高至 600kHz) 电压模式架构来对外部 N 沟道 MOSFET 进行驱动。 一个精密的内部基准提供了 1% 的直流精度。一个高带宽误差放大器以及已获专利授权的电压前馈补偿技术实现了非常迅速的电压和负载瞬态响应。强力 ..

概述LTC3703EG 是一款能够从高至 100V 的电压进行直接降压的同步降压型开关稳压控制器，因而使其成为电信和汽车应用的理想选择。LTC3703EG 采用一种恒定频率 (高至 600kHz) 电压模式架构来对外部 N 沟道 MOSFET 进行驱动。 一个精密的内部基准提供了 1% 的直流精度。一个高带宽误差放大器以及已获专利授权的电压前馈补偿技术实现了非常迅速的电压和负载瞬态响应。强力 1Ω..

概述LTC3701EGN 是一款两相、双输出、恒定频率电流模式降压型 DC/DC 控制器，可提供卓越的负载和电压调节性能。通过使两个控制器输出级异相工作，最大限度地降低了由输入电容器 ESR 所引起的功率损失和噪声。 LTC3701EGN 提供了一个 0.8V ±2% 电压基准，且仅消耗 460μA 的静态电流。为了进一步实现电池电源寿命的最大化，在压差条件下外部 P 沟道 MOSFET 持续接通..

概述LTC1929IG 是两相单输出同步降压电流型开关稳压控制器，可以在锁相固定频率方式驱动外部 N 沟道功率 MOSFET 级。两相控制器以高达 300kHz 的频率驱动两个不同相的输出级，从而降低了输入与输出电容器中的纹波电流 RMS。采用这种两相控制技朮能有效地使基频放大 2 倍，这样可使每个信道以优化频率高效工作，从而改善了瞬态响应性能，同时也简化了散热设计。内部差动放大器真正实现了大电流..

概述LTC1929CG 是两相单输出同步降压电流型开关稳压控制器，可以在锁相固定频率方式驱动外部 N 沟道功率 MOSFET 级。两相控制器以高达 300kHz 的频率驱动两个不同相的输出级，从而降低了输入与输出电容器中的纹波电流 RMS。采用这种两相控制技朮能有效地使基频放大 2 倍，这样可使每个信道以优化频率高效工作，从而改善了瞬态响应性能，同时也简化了散热设计。内部差动放大器真正实现了大电流..

概述LTC1922EG-1 相移 PWM 控制器提供了实现具同步整流功能之高性能、零电压开关、相移、全桥式电源转换器所必需的所有控制和保护功能。该器件非常适合从一个高电压输入电源产生隔离式、低电压、高电流输出。LTC1922EG-1 兼具全桥式拓扑与固定频率、零电压开关操作 (ZVS) 的优势。自适应 ZVS 电路可在不受内部和外部组件容限影响的情况下控制每个 MOSFET 的接通信号，以实现最佳..

概述LTC1876EG 是一款高性能、三路输出开关稳压器。该器件纳入了一个双通道降压型开关控制器，可驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一个具内部 1A、36V 开关的升压型稳压器负责提供第三个输出。 降压型控制器通过使每个控制器的输出级异相工作，最大限度降低了功率损失和噪声。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。用于每个控制器的一个 R..

概述LTC1874EGN 是一个双输出恒定频率电流模式降压型 DC/DC 控制器，它具有优秀的 AC 和 DC 负载以及电源调节特性。每个控制器具有一个精确的欠压闭锁，当输入电压下降到 2.0V 以下时，可关闭各自的控制器。 LTC1874EGN 宣称具有 ±2.5% 输出电压精度，并且每个控制器仅消耗 270μA 静态电流。LTC1874EGN 可被配置为突发模式工作，对于效率是主要考虑因素的应..

概述LTC1872ES6 是一款恒定频率、电流模式、升压型 DC/DC 控制器，其可提供卓越的 AC 和 DC 负载和电压调整性能。该器件具备准确的欠压闭锁功能，此功能在输入电压降至低于 2.0V 时关断 LTC1872ES6。 LTC1872ES6 可提供 ±2.5% 的输出电压精确度，且仅消耗 270μA 的静态电流。对于那些把效率作为主要考虑因素的应用，LTC1872ES6 可配置为执行突发..

概述LTC1872BES6 是一款恒定频率、电流模式、升压型 DC/DC 控制器，其可提供卓越的 AC 和 DC 负载及电压调整性能。该器件具备准确的欠压闭锁功能，此功能在输入电压降至低于 2.0V 时关断 LTC1872BES6。 LTC1872BES6 可提供 ±2.5% 的输出电压精确度，且仅消耗 270μA 的静态电流。在停机模式中，该器件仅吸取 8μA 电流。 由于以 550kHz 的恒..

概述LTC1871IMS-7 是一款电流模式、升压、反激和 SEPIC 型控制器，专为在高电压应用中驱动 6V 额定电压 MOSFET 而优化。LTC1871IMS-7 在低功率或高功率应用中同样能够良好地运行，而且只需极少的元件即可提供一个完整的电源解决方案。可利用一个外部电阻器将开关频率设定在 50kHz 至 1MHz 的范围内，也可以采用 MODE/SYNC 引脚使其同步至一个外部时钟。轻负..

概述LTC1871IMS-1 是一款宽输入范围、电流模式、升压、反激式或 SEPIC 控制器，用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，所需的外部元件极少。它通过利用功率 MOSFET 的接通电阻免除了增设一个电流检测电阻器的需要，从而最大限度地提高了效率。通过把 SENSE 引脚连接至一个位于功率MOSFET 源极中的电阻器，即可将 LTC1871IMS-1 用于输出电压较高的应用。 可利用一个..

概述LTC1871IMS 是一种用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 并只需极少外部组件的宽输入、电流模式、升压、反激和 SEPIC 控制器。由于它是对中、小功率应用，因此LTC1871IMS 可通过利用功率 MOSFET 的导通电阻而省去电流检测电阻的需要，由此最大限度地提高了效率。 该 IC 的工作频率可通过一个外部电阻在 50kHz 至1MHz的范围内进行设置，并能够借助 MODE/SYNC..

概述LTC1871HMS 是一种用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 并只需极少外部组件的宽输入、电流模式、升压、反激和 SEPIC 控制器。由于它是对中、小功率应用，因此 LTC1871HMS 可通过利用功率 MOSFET 的导通电阻而省去电流检测电阻的需要，由此最大限度地提高了效率。 该 IC 的工作频率可通过一个外部电阻在 50kHz 至1MHz的范围内进行设置，并能够借助 MODE/SYN..

概述LTC1871EMS-7是一款电流模式、升压、反激和 SEPIC 型控制器，专为在高电压应用中驱动 6V 额定电压 MOSFET 而优化。LTC1871EMS-7 在低功率或高功率应用中同样能够良好地运行，而且只需极少的元件即可提供一个完整的电源解决方案。可利用一个外部电阻器将开关频率设定在 50kHz 至 1MHz 的范围内，也可以采用 MODE/SYNC 引脚使其同步至一个外部时钟。轻负载..