概述LTC3775EUD 是一款高效率、同步降压型开关 DC/DC 控制器，用于从一个 4.5V 至 38V 的输入电源电压来驱动一个全 N 沟道功率 MOSFET 级。一种获专利的电压前馈补偿电路和一个高带宽误差放大器提供了非常快的电压和负载瞬态响应。 利用一个 30ns 的低最小接通时间实现了高降压比，从而提供了极低的占空比。MOSFET RDS(ON) 电流检测最大限度地提升了效率。或者，也..

概述LTC3775EMSE 是一款高效率、同步降压型开关 DC/DC 控制器，用于从一个 4.5V 至 38V 的输入电源电压来驱动一个全 N 沟道功率 MOSFET 级。一种获专利的电压前馈补偿电路和一个高带宽误差放大器提供了非常快的电压和负载瞬态响应。 利用一个 30ns 的低最小接通时间实现了高降压比，从而提供了极低的占空比。MOSFET RDS(ON) 电流检测最大限度地提升了效率。或者，..

概述LTC3774IUHE 是一款双输出、多相 (PolyPhase?) 电流模式同步降压型开关稳压控制器，用于驱动电源模块、DRMOS 或外部栅极驱动器和功率 MOSFET。其运用了一种 LTC 专有的技术，可改善电流检测信号的信噪比，从而允许使用具非常低 DC 绕组电阻的电感器和电流检测元件，以最大限度地提升效率并降低抖动。 最大电流检测电压可设置在 10mV 至 30mV 的范围内。高速、低..

概述LTC3774EUHE 是一款双输出、多相 (PolyPhase?) 电流模式同步降压型开关稳压控制器，用于驱动电源模块、DRMOS 或外部栅极驱动器和功率 MOSFET。其运用了一种 LTC 专有的技术，可改善电流检测信号的信噪比，从而允许使用具非常低 DC 绕组电阻的电感器和电流检测元件，以最大限度地提升效率并降低抖动。 最大电流检测电压可设置在 10mV 至 30mV 的范围内。高速、低..

概述LTC3773EUHF 是一款高性能、三相、三路输出同步降压型开关稳压控制器，具有输出电压电源升/降跟踪能力。该控制器允许进行顺序、重合或比例式跟踪。 该三相控制器以 120° 的相位分离和高达每相 700kHz 的频率对其输出级进行驱动，从而最大限度地减小了 RMS 输入电流。通过采用可选的突发模式操作，能够实现轻负载效率的最大化。0.6V 精准基准支持 0.6V 至 5V 的输出电压。 故..

概述LTC3773EG 是一款高性能、三相、三路输出同步降压型开关稳压控制器，具有输出电压电源升/降跟踪能力。该控制器允许进行顺序、重合或比例式跟踪。 该三相控制器以 120° 的相位分离和高达每相 700kHz 的频率对其输出级进行驱动，从而最大限度地减小了 RMS 输入电流。通过采用可选的突发模式操作，能够实现轻负载效率的最大化。0.6V 精准基准支持 0.6V 至 5V 的输出电压。 故障保..

概述LTC3772ETS8 是一款采用扁平 8 引脚 SOT-23 (ThinSOT?) 封装和 3mm x 2mm DFN 封装的恒定频率电流模式降压型 DC/DC 控制器。无检测电阻器 (No RSENSE?) 型架构免除了增设一个检测电阻器的需要，从而提升了效率并节省了电路板占用空间。 LTC3772ETS8 可在轻负载条件下自动切换至突发模式操作，以提高低输出电流条件下的效率水平。在无负载..

概述LTC3770EUH 是一款同步降压型开关稳压控制器，具有输出电压上升/下降跟踪能力和电压裕度调节功能。其先进功能和高准确度基准非常适合给高性能服务器、ASIC 和计算机存储系统供电。 LTC3770EUH 采用一种恒定接通时间、谷值电流模式控制架构，以提供非常低的占空比，而无需使用一个检测电阻器。其工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对输入电源电压中的变化进行补偿。一个内部锁相环允许将该 ..

概述LTC3770EG 是一款同步降压型开关稳压控制器，具有输出电压上升/下降跟踪能力和电压裕度调节功能。其先进功能和高准确度基准非常适合给高性能服务器、ASIC 和计算机存储系统供电。 LTC3770EG 采用一种恒定接通时间、谷值电流模式控制架构，以提供非常低的占空比，而无需使用一个检测电阻器。其工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对输入电源电压中的变化进行补偿。一个内部锁相环允许将该 IC..

概述LTC3769MPUF 是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功率升压应用。28μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的运行时间。 4.5V 至 60V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从升压型转换器的输出或另一个辅助电源来施加偏置时，LTC3769M..

概述LTC3769MPFE 是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功率升压应用。28μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的运行时间。 4.5V 至 60V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从升压型转换器的输出或另一个辅助电源来施加偏置时，LTC3769M..

概述LTC3769IUF 是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功率升压应用。28μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的运行时间。 4.5V 至 60V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从升压型转换器的输出或另一个辅助电源来施加偏置时，LTC3769IU..

概述LTC3769IFE是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功率升压应用。28μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的运行时间。 4.5V 至 60V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从升压型转换器的输出或另一个辅助电源来施加偏置时，LTC3769IFE..

概述LTC3769HUF是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功率升压应用。28μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的运行时间。 4.5V 至 60V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从升压型转换器的输出或另一个辅助电源来施加偏置时，LTC3769HUF..

概述LTC3769HFE 是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功率升压应用。28μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的运行时间。 4.5V 至 60V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从升压型转换器的输出或另一个辅助电源来施加偏置时，LTC3769HF..

概述LTC3769EUF 是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功率升压应用。28μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的运行时间。 4.5V 至 60V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从升压型转换器的输出或另一个辅助电源来施加偏置时，LTC3769EU..

概述LTC3769EFE 是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功率升压应用。28μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的运行时间。 4.5V 至 60V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从升压型转换器的输出或另一个辅助电源来施加偏置时，LTC3769EF..

概述LTC3737EUF 是一款两相、双通道、降压型开关稳压控制器，其所需的外部组件极少。恒定频率电流模式架构提供了卓越的 AC 和 DC 负载及电压调节性能。MOSFET VDS 检测免除了增设电流检测电阻器的需要，并且改善了效率。通过使两个控制器异相运作，最大限度减低了由于输入电容的 ESR 所导致的功耗和噪声。 突发模式操作可在轻负载条件下提供高工作效率。100% 占空比实现了低压差运行，并..

概述LTC3736EUF-1 是一款具跟踪功能的两相、双通道、同步降压型开关稳压控制器，可采用极少的外部组件来驱动外部互补型功率 MOSFET。具 MOSFET VDS 检测功能的恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要，并且改善了效率。通过使两个控制器异相运作，最大限度地减低了由于输入电容的 ESR 所导致的功率损失和噪声。 一种独特的扩频架构可随机地改变 LTC3736EUF-1 的开关..

概述LTC3736EGN-2 是一款具跟踪功能的两相、双通道、同步降压型开关稳压控制器，可采用极少的外部元件来驱动外部互补型功率 MOSFET。具 MOSFET VDS 检测功能的恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要，并且改善了效率。通过使两个控制器异相运作，最大限度地减低了由于输入电容的 ESR 所导致的功率损失和噪声。 脉冲跳跃操作在轻负载条件下提供了高效率。100% 的占空比能力实..