概述LTC3727EG 是高性能双通道降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件的恒定频率电流模式架构可提供高达 550kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运行，最大限度地降低了由输入电容器的 ESR 所引起的功耗和噪声。 OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。该器件具有一个精准的 0.8V 基准..

概述LTC3727AIG-1 是一款高性能、双通道、降压型开关稳压器控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。它所采用的恒定频率电流模式架构可提供高达 550kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相工作，最大限度地降低了由输入电容器的 ESR 所引起的功耗和噪声。 LTC3727AIG-1 是 LTC3727 系列器件的一种改进型版本。它具有较小的输出纹波 (当处于压差条件时..

概述LTC3727AEG-1 是一款高性能、双通道、降压型开关稳压器控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。它所采用的恒定频率电流模式架构可提供高达 550kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相工作，最大限度地降低了由输入电容器的 ESR 所引起的功耗和噪声。 LTC3727AEG-1 是 LTC3727 系列器件的一种改进型版本。它具有较小的输出纹波 (当处于压差条件时..

概述LTC3723EGN-2 同步推挽式 PWM 控制器为紧凑和高效率的隔离式电源转换器提供了所有必需的控制和保护功能。该器件的高集成度最大限度减少了外部组件数目，同时保持了设计灵活性。 坚固的推挽输出级以 1/2 振荡器频率执行开关操作。死区时间利用一个外部电阻器进行独立的设置。一个 UVLO 编程输入提供精确的系统接通和关断电压。LTC3723-1 具峰值电流模式控制以及可编程斜坡补偿和脉冲前..

概述LTC3723EGN-2 同步推挽式 PWM 控制器为紧凑和高效率的隔离式电源转换器提供了所有必需的控制和保护功能。该器件的高集成度最大限度减少了外部组件数目，同时保持了设计灵活性。 坚固的推挽输出级以 1/2 振荡器频率执行开关操作。死区时间利用一个外部电阻器进行独立的设置。一个 UVLO 编程输入提供精确的系统接通和关断电压。LTC3723-1 具峰值电流模式控制以及可编程斜坡补偿和脉冲前..

概述LTC3723EGN-1 同步推挽式 PWM 控制器为紧凑和高效率的隔离式电源转换器提供了所有必需的控制和保护功能。该器件的高集成度最大限度减少了外部组件数目，同时保持了设计灵活性。 坚固的推挽输出级以 1/2 振荡器频率执行开关操作。死区时间利用一个外部电阻器进行独立的设置。一个 UVLO 编程输入提供精确的系统接通和关断电压。LTC3723EGN-1 具峰值电流模式控制以及可编程斜坡补偿和..

概述LTC3722IGN-1相移 PWM 控制器提供了实现高效率、零电压开关 (ZVS)、全桥式功率转换器所必需的全部控制和保护功能。自适应 ZVS 电路可延迟每个 MOSFET 的接通信号，这与内部和外部组件的容差无关。手动延迟设定模式负责启用副端控制操作或开关接通延迟的直接控制。 LTC3722IGN-1具有可调的同步整流器定时，旨在实现最佳的效率。一个 UVLO 编程输入提供了准确的系统接通..

概述LTC3722HGN-1相移 PWM 控制器提供了实现高效率、零电压开关 (ZVS)、全桥式功率转换器所必需的全部控制和保护功能。自适应 ZVS 电路可延迟每个 MOSFET 的接通信号，这与内部和外部组件的容差无关。手动延迟设定模式负责启用副端控制操作或开关接通延迟的直接控制。 LTC3722HGN-1具有可调的同步整流器定时，旨在实现最佳的效率。一个 UVLO 编程输入提供了准确的系统接通..

概述LTC3722EGN-2 相移 PWM 控制器提供了实现高效率、零电压开关 (ZVS)、全桥式功率转换器所必需的全部控制和保护功能。自适应 ZVS 电路可延迟每个 MOSFET 的接通信号，这与内部和外部组件的容差无关。手动延迟设定模式负责启用副端控制操作或开关接通延迟的直接控制。 LTC3722EGN-2 具有可调的同步整流器定时，旨在实现最佳的效率。一个 UVLO 编程输入提供了准确的系统..

概述LTC3722EGN-1 相移 PWM 控制器提供了实现高效率、零电压开关 (ZVS)、全桥式功率转换器所必需的全部控制和保护功能。自适应 ZVS 电路可延迟每个 MOSFET 的接通信号，这与内部和外部组件的容差无关。手动延迟设定模式负责启用副端控制操作或开关接通延迟的直接控制。 LTC3722EGN-1 具有可调的同步整流器定时，旨在实现最佳的效率。一个 UVLO 编程输入提供了准确的系统..

概述LTC3721EGN-1 推挽式 PWM 控制器为紧凑和高效率的隔离式电源转换器提供了所有必需的控制和保护功能。该器件的高集成度最大限度减少了外部组件数目，同时保持了设计灵活性。 坚固的推挽输出级以 1/2 振荡器频率执行开关操作。死区时间利用一个外部电阻器进行独立的设置。一个 UVLO 编程输入提供精确的系统接通和关断电压。LTC3721EGN-1 具峰值电流模式控制以及可编程斜坡补偿和脉冲..

概述LTC3716EG 是一款两相、VID 可编程、同步降压型开关稳压控制器，用于在固定频率架构中驱动两个 N 沟道外部功率 MOSFET 级。该两相控制器以高达 300kHz 频率异相驱动它的两个输出级，以最大限度减小输入和输出电容器中的 RMS 纹波电流。这种两相技术有效地把基频提高两倍，从而改善了瞬态响应，同时以一个最佳频率运作每个通道以实现高效率。另外，热设计也得到简化。 一个操作模式选择..

概述LTC3713EG 是一款高电流、高效率同步降压型开关稳压控制器，专为与非常低的输入电源电压一起使用而优化。该器件采用低至 1.5V 的输入，并提供一个 0.8V 至高达 (0.9)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率，而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。LTC3713EG 采用一对标准..

概述LTC3711EGN 是一款用于 CPU 电源的同步降压型开关稳压控制器。利用一个 5 位代码 (Intel 移动 VID 规格) 来选择一个介于 0.925V 和 2.000V 之间的输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比，而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对 VIN及 VOUT中的变化进行补偿。 不连续模式操作在轻负载条件下实现了高效率..

概述 LTC3709EUH 是一款单输出、两相、同步降压型开关稳压器。控制器采用一种恒定接通时间、谷值电流控制架构以提供非常低的占空比，而无需采用一个检测电阻器。工作频率通过一个外部电阻器来选择，并针对输入电源电压的变化进行相应的补偿。一个内部锁相环可使 LTC3709EUH 同步至一个外部时钟。 该器件提供了一个 TRACK 引脚，用于在几个 LTC3709EUH 芯片之间或一个 LTC3709..

概述 LTC3709EG 是一款单输出、两相、同步降压型开关稳压器。控制器采用一种恒定接通时间、谷值电流控制架构以提供非常低的占空比，而无需采用一个检测电阻器。工作频率通过一个外部电阻器来选择，并针对输入电源电压的变化进行相应的补偿。一个内部锁相环可使 LTC3709EG 同步至一个外部时钟。 该器件提供了一个 TRACK 引脚，用于在几个 LTC3709EG 芯片之间或一个 LTC3709 和其..

概述 LTC3708EUH 是一款具有输出电压上升 / 下降跟踪功能的双通道、两相同步降压型开关稳压器。该 IC 允许进行重合跟踪或比例制跟踪。在需要跟踪两个以上的电压的应用中，可采取对多个 LTC3708EUH 进行菊链式连接的方法。电源上电顺序是采用一个外部软起动定时电容器来完成的。 LTC3708EUH 采用一种恒定接通时间、谷值电流模式控制架构来提供非常低的占空比，而无需采用一个检测电阻器..

概述 LTC3707EGN-SYNC是一个高性能双降压开关稳压控制器，可驱动 N 沟道同步功率 MOSFET 级。其恒频电流模式结构允许频率调节到 300kHz。通过使两个控制器输出级异相运行，可以将由输入电容器的 ESR 引起的功率损耗和噪声降到最低。 OPT1-LOOP 补偿允许在输出电容量和 ESR 值的一个宽范围内对瞬态响应优化。0.8V 精密基准和电源良好输出指示能与将来的微处理器兼容，..

概述 LTC3707EGN是一个高性能双降压开关稳压控制器，可驱动 N 沟道同步功率 MOSFET 级。其恒频电流模式结构允许频率调节到 300kHz。通过使两个控制器输出级异相运行，可以将由输入电容器的 ESR 引起的功率损耗和噪声降到最低。 OPT1-LOOP 补偿允许在输出电容量和 ESR 值的一个宽范围内对瞬态响应优化。0.8V 精密基准和电源良好输出指示能与将来的微处理器兼容，并且 3...

概述LTC3704IMS是一款宽输入范围、电流模式、正至负 DC/DC 控制器，用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，且只需极少的外部组件。该器件面向低至高功率应用，其通过利用功率 MOSFET 的导通电阻免除了增设一个电流检测电阻器的需要，从而最大限度地提高效率。 这款 IC 的工作频率可利用一个外部电阻器设定在 50kHz 至 1MHz 的范围之内，也可以采用 MODE/SYNC 引脚同步..