概述LTC4236IUFD-1通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔 (Hot Swap) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个快速动作折返电流限制和电子电路断路器还为电源输出提供..

概述LTC4236CUFD-2通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔 (Hot Swap) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个快速动作折返电流限制和电子电路断路器还为电源输出提供..

概述LTC4236CUFD-1 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔 (Hot Swap) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个快速动作折返电流限制和电子电路断路器还为电源输出提..

概述LTC4235IUFD-2通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个 12V 电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个折返电流限值和电路断路器还为电源输出提供了针对短路故障的保护。 L..

概述LTC4235IUFD-1通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个 12V 电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个折返电流限值和电路断路器还为电源输出提供了针对短路故障的保护。 L..

概述LTC4235CUFD-2通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个 12V 电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个折返电流限值和电路断路器还为电源输出提供了针对短路故障的保护。 L..

概述LTC4235CUFD-1通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个 12V 电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个折返电流限值和电路断路器还为电源输出提供了针对短路故障的保护。 L..

概述LTC4234IWHH是一款针对热插拔 (Hot Swap?) 应用的集成型解决方案，其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试，并保证其能承受热插拔应用中的应力。 LTC4234IWHH提供了单独的浪涌电流控制以及一个 11% 准确的 22.5A..

概述LTC4234HWHH是一款针对热插拔 (Hot Swap?) 应用的集成型解决方案，其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试，并保证其能承受热插拔应用中的应力。 LTC4234HWHH提供了单独的浪涌电流控制以及一个 11% 准确的 22.5A..

概述LTC4234CWHH是一款针对热插拔 (Hot Swap?) 应用的集成型解决方案，其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试，并保证其能承受热插拔应用中的应力。 LTC4234CWHH 提供了单独的浪涌电流控制以及一个 11% 准确的 22.5..

概述LTC4233IWHH是一款针对热插拔 (Hot Swap?) 应用的集成型解决方案，其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试，并保证其能承受热插拔应用中的应力。 LTC4233IWHH提供了单独的浪涌电流控制以及一个准确 (11%) 的 11...

概述LTC4233HWHH是一款针对热插拔 (Hot Swap?) 应用的集成型解决方案，其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试，并保证其能承受热插拔应用中的应力。 LTC4233HWHH提供了单独的浪涌电流控制以及一个准确 (11%) 的 11...

概述LTC4233CWHH 是一款针对热插拔 (Hot Swap?) 应用的集成型解决方案，其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试，并保证其能承受热插拔应用中的应力。 LTC4233CWHH提供了单独的浪涌电流控制以及一个准确 (11%) 的 11..

概述LTC4232是一款针对热插拔应用的集成型解决方案，允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。 LTC4232提供了单独的浪涌电流控制以及一个 10% 准确的 5A 电流限值和电流折返限制功能。电流限制门限可以采用一个外部引脚进行动态调整。附加功能包括一个负责放大检测电阻器电压 (旨在执行以地..

概述LTC4232IDHC是一款针对热插拔应用的集成型解决方案，允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。 LTC4232IDHC提供了单独的浪涌电流控制以及一个 10% 准确的 5A 电流限值和电流折返限制功能。电流限制门限可以采用一个外部引脚进行动态调整。附加功能包括一个负责放大检测电阻器电压..

概述LTC4232CDHC是一款针对热插拔应用的集成型解决方案，允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。 LTC4232CDHC提供了单独的浪涌电流控制以及一个 10% 准确的 5A 电流限值和电流折返限制功能。电流限制门限可以采用一个外部引脚进行动态调整。附加功能包括一个负责放大检测电阻器电压..

概述LTC4231IUD-2是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231IUD-2可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231IUD-2的静态电流在正常操..

概述LTC4231IMS-2是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231IMS-2可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231IMS-2的静态电流在正常操..

概述LTC4231IMS-1是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231IMS-1可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231IMS-1的静态电流在正常操..

概述LTC4231HUD-2是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231HUD-2可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231HUD-2的静态电流在正常操..