概述LTC4231HUD-1是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231HUD-1可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231HUD-1 的静态电流在正常..

概述LTC4231HMS-2是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231HMS-2可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231HMS-2 的静态电流在正常..

概述LTC4231HMS-1是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231HMS-1可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231HMS-1 的静态电流在正常..

概述LTC4231CUD-2是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231CUD-2可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231CUD-2的静态电流在正常操..

概述LTC4231CMS-2是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231CMS-2可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231CMS-2 的静态电流在正常..

概述LTC4231CMS-1是一款微功率热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在工作中的电源上安全地进行电路板的插拔操作。一个内部高压侧开关驱动器负责控制一个外部 N 沟道 MOSFET。背对背 MOSFET 可用于提供低至–40V 的反向电源保护。 LTC4231CMS-1可提供一个防反跳延迟并允许 GATE 以一种可调速率斜坡上升。在启动之后，LTC4231CMS-1 的静态电流在正常..

概述LTC4230CGN是一款三通道热插拔 (Hot Swap?) 控制器，其允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。内部高压侧开关驱动器用于控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，以获得1.7V 至 16.5V 的电压电源范围。LTC4230CGN在可编程启动周期里提供了软起动和浪涌电流限制功能。 片内电流限制比较器负责提供双级过流电路断路器保护作用。慢速比较器在 VCCn – 50m..

概述LTC4229IG通过控制两个外部 N 沟道 MOSFET 为一个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 取代了一个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔MOSFET 控制通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作折返电流限制和电子电路断路器对电源输出提供了针对短路故..

概述LTC4228IUFD-2通过控制每个电源轨中的两个外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对..

概述LTC4228IUFD-1通过控制每个电源轨中的两个外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对..

概述LTC4228IGN-2通过控制每个电源轨中的两个外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电..

概述LTC4228IGN-1通过控制每个电源轨中的两个外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电..

概述LTC4228CUFD-2通过控制每个电源轨中的两个外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对..

概述LTC4227IUFD-4通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输..

概述LTC4227IUFD-3通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输..

概述LTC4227IUFD-2通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输..

概述LTC4227IUFD-1通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输..

概述LTC4227IGN-2通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出..

概述LTC4227IGN-1通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出..

概述LTC4227CUFD-4 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源..