概述LTC4227CUFD-3 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源..

概述LTC4227CUFD-2 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源..

概述LTC4227CGN-2 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输..

概述LTC4227CGN-1 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输..

概述LTC4226IUD-2双通道热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在一个带电背板或受电连接器上安全地进行两条电源通路的插拔操作。通过采用 N 沟道传输晶体管，便能以一种可调速率使 4.5V 至 44V 的电源电压斜坡上升。 电流限值与电路断路器门限的三种可选比率可应付噪声负载和短暂的高峰值电流 (不会引发中断)，而一个双速率故障定时器则可保护 MOSFET 免遭扩展的输出过流过程所损坏。..

概述LTC4226IUD-1双通道热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在一个带电背板或受电连接器上安全地进行两条电源通路的插拔操作。通过采用 N 沟道传输晶体管，便能以一种可调速率使 4.5V 至 44V 的电源电压斜坡上升。 电流限值与电路断路器门限的三种可选比率可应付噪声负载和短暂的高峰值电流 (不会引发中断)，而一个双速率故障定时器则可保护 MOSFET 免遭扩展的输出过流过程所损坏。..

概述LTC4226IMS-2双通道热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在一个带电背板或受电连接器上安全地进行两条电源通路的插拔操作。通过采用 N 沟道传输晶体管，便能以一种可调速率使 4.5V 至 44V 的电源电压斜坡上升。 电流限值与电路断路器门限的三种可选比率可应付噪声负载和短暂的高峰值电流 (不会引发中断)，而一个双速率故障定时器则可保护 MOSFET 免遭扩展的输出过流过程所损坏。..

概述LTC4226IMS-1双通道热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在一个带电背板或受电连接器上安全地进行两条电源通路的插拔操作。通过采用 N 沟道传输晶体管，便能以一种可调速率使 4.5V 至 44V 的电源电压斜坡上升。 电流限值与电路断路器门限的三种可选比率可应付噪声负载和短暂的高峰值电流 (不会引发中断)，而一个双速率故障定时器则可保护 MOSFET 免遭扩展的输出过流过程所损坏。..

概述LTC4226双通道热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在一个带电背板或受电连接器上安全地进行两条电源通路的插拔操作。通过采用 N 沟道传输晶体管，便能以一种可调速率使 4.5V 至 44V 的电源电压斜坡上升。 电流限值与电路断路器门限的三种可选比率可应付噪声负载和短暂的高峰值电流 (不会引发中断)，而一个双速率故障定时器则可保护 MOSFET 免遭扩展的输出过流过程所损坏。FAULT..

概述LTC4225IUFD-2通过控制外部串联连接的 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出..

LTC4225IUFD-1通过控制外部串联连接的 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出提供..

概述LTC4225IGN-2通过控制外部串联连接的 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出提..

概述LTC4225IGN-1通过控制外部串联连接的 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出提..

概述LTC4225CGN-2通过控制外部串联连接的 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出提..

概述LTC4225CGN-1 通过控制外部串联连接的 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出..

概述LTC4224IMS-2双通道低电压热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。它利用外部 N 沟道 MOSFET 来控制两个电源，并可在一个电源低至 1V 的条件下正常运作 (假如另一个电源为 2.7V 或更高)。LTC4224IMS-2能够以任何顺序、并以可调的斜坡速率来使电源电压斜坡上升。为了最大限度地减少外部元件的数量并缩小 PCB 面积，栅极电容..

概述LTC4224IMS-1双通道低电压热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。它利用外部 N 沟道 MOSFET 来控制两个电源，并可在一个电源低至 1V 的条件下正常运作 (假如另一个电源为 2.7V 或更高)。LTC4224IMS-1能够以任何顺序、并以可调的斜坡速率来使电源电压斜坡上升。为了最大限度地减少外部元件的数量并缩小 PCB 面积，栅极电容..

概述LTC4224IDDB-2双通道低电压热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。它利用外部 N 沟道 MOSFET 来控制两个电源，并可在一个电源低至 1V 的条件下正常运作 (假如另一个电源为 2.7V 或更高)。LTC4224IDDB-2能够以任何顺序、并以可调的斜坡速率来使电源电压斜坡上升。为了最大限度地减少外部元件的数量并缩小 PCB 面积，栅极..

概述LTC4224IDDB-1双通道低电压热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。它利用外部 N 沟道 MOSFET 来控制两个电源，并可在一个电源低至 1V 的条件下正常运作 (假如另一个电源为 2.7V 或更高)。LTC4224IDDB-1 能够以任何顺序、并以可调的斜坡速率来使电源电压斜坡上升。为了最大限度地减少外部元件的数量并缩小 PCB 面积，栅..

概述LTC4223IGN-2正电压热插拔 (Hot Swap?) 控制器允许在带电的 AMC 或 MicroTCA 背板上安全地进行电路板的插拔操作。它利用一个外部 N 沟道 MOSFET 来控制主 12V 电源，并采用一个集成开关来控制 3.3V 辅助电源。12V 输出的斜坡速率是可调的，并包括浪涌电流限制功能。另外，还利用一个快速动作电流限制电路和一个准确度为 5% 的定时电路断路器对 12V..