概述 SW06是一款四通道单刀单掷模拟开关，同时采用双极性和离子植入FET器件。SW06 FET开关采用双极性数字逻辑输入，其抗静电能力强于CMOS器件。SW06采用特殊设计和建造技术，具有超强的坚固性和可靠性。 该器件不但拥有更高的可靠性，而且在电气规格方面亦有上佳表现。通过在高温条件下降低“导通”电阻和控制漏电流，可以减少潜在误差源。开关FET在20 V模拟信号范围内以及电源电压变化的情况下，..

概述 MUX-08是一款单芯片8通道模拟多路复用器；它根据3位二进制地址的状态，将单路输出与8路模拟输入之一相连。 MUX-24是一款单芯片4通道差分模拟多路复用器，配置为双刀四位（带“关断”）电子开关阵列。2位二进制输入地址将各4通道输入部分的一对独立模拟输入与对应的一对独立模拟输出相连。 向ENABLE（使能）引脚施加逻辑“0”时，MUX-08/MUX-24的所有开关均断开，由此便可提供封装选..

概述 MUX-08是一款单芯片8通道模拟多路复用器；它根据3位二进制地址的状态，将单路输出与8路模拟输入之一相连。 MUX-24是一款单芯片4通道差分模拟多路复用器，配置为双刀四位（带“关断”）电子开关阵列。2位二进制输入地址将各4通道输入部分的一对独立模拟输入与对应的一对独立模拟输出相连。 向ENABLE（使能）引脚施加逻辑“0”时，MUX-08/MUX-24的所有开关均断开，由此便可提供封装选..

概述 MUX-08是一款单芯片8通道模拟多路复用器；它根据3位二进制地址的状态，将单路输出与8路模拟输入之一相连。 MUX-24是一款单芯片4通道差分模拟多路复用器，配置为双刀四位（带“关断”）电子开关阵列。2位二进制输入地址将各4通道输入部分的一对独立模拟输入与对应的一对独立模拟输出相连。 向ENABLE（使能）引脚施加逻辑“0”时，MUX-08/MUX-24的所有开关均断开，由此便可提供封装选..

概述 MUX-08是一款单芯片8通道模拟多路复用器；它根据3位二进制地址的状态，将单路输出与8路模拟输入之一相连。 MUX-24是一款单芯片4通道差分模拟多路复用器，配置为双刀四位（带“关断”）电子开关阵列。2位二进制输入地址将各4通道输入部分的一对独立模拟输入与对应的一对独立模拟输出相连。 向ENABLE（使能）引脚施加逻辑“0”时，MUX-08/MUX-24的所有开关均断开，由此便可提供封装选..

概述 ADG736是一款单芯片器件，内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。这些开关采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽特性。 导通电阻曲线在整个模拟信号范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。同时较快的开关速度使该器件适合视频信号切换应用。 ADG736采用1.8 V至5.5 V单电源供电，因此非常适合便携式电池..

概述 ADV3221和ADV3222是高速、高压摆率、缓冲4:1模拟多路复用器。其?3 dB信号带宽大于800 MHz，通道切换的1%建立时间少于20 ns。两款器件的串扰性能均低于-58 dB，隔离性能为-67 dB (100 MHz)，因而适合许多高速应用。驱动75 Ω 后部端接负载时，差分增益误差低于0.02%，差分相位误差小于0.02°，0.1 dB平坦度超过100 MHz，是各类信号开关..

概述 ADV3221和ADV3222是高速、高压摆率、缓冲4:1模拟多路复用器。其?3 dB信号带宽大于800 MHz，通道切换的1%建立时间少于20 ns。两款器件的串扰性能均低于-58 dB，隔离性能为-67 dB (100 MHz)，因而适合许多高速应用。驱动75 Ω 后部端接负载时，差分增益误差低于0.02%，差分相位误差小于0.02，0.1 dB平坦度超过100 MHz，是各类信号开关的..

概述 ADV3219和ADV3220是高速、高压摆率、缓冲2:1模拟多路复用器。其?3 dB信号带宽大于800 MHz，通道切换的1%建立时间少于20 ns。两款器件的串扰性能均为-60 dB，隔离性能为-82 dB (100 MHz)，因而适合许多高速应用。驱动75 Ω 后部端接负载时，差分增益低于0.02%，差分相位小于0.02°，0.1 dB平坦度超过100 MHz，是各类信号开关的理想选择..

概述 ADG904和ADG904-R均为采用CMOS工艺制造的宽带模拟4:1多路复用器，在最高至1 GHz范围内具有高隔离、低插入损耗特性。ADG904为吸收式/匹配多路复用器，具有50 ?端接分流引脚；ADG904-R为反射式多路复用器。这些器件经过专门设计，在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，ADG904和ADG904-R将四路输入之..

概述 ADG904和ADG904-R均为采用CMOS工艺制造的宽带模拟4:1多路复用器，在最高至1 GHz范围内具有高隔离、低插入损耗特性。ADG904为吸收式/匹配多路复用器，具有50 ?端接分流引脚；ADG904-R为反射式多路复用器。这些器件经过专门设计，在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，ADG904和ADG904-R将四路输入之..

概述 ADG904和ADG904-R均为采用CMOS工艺制造的宽带模拟4:1多路复用器，在最高至1 GHz范围内具有高隔离、低插入损耗特性。ADG904为吸收式/匹配多路复用器，具有50 ?端接分流引脚；ADG904-R为反射式多路复用器。这些器件经过专门设计，在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，ADG904和ADG904-R将四路输入之..

概述 ADG904和ADG904-R均为采用CMOS工艺制造的宽带模拟4:1多路复用器，在最高至1 GHz范围内具有高隔离、低插入损耗特性。ADG904为吸收式/匹配多路复用器，具有50 ?端接分流引脚；ADG904-R为反射式多路复用器。这些器件经过专门设计，在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，ADG904和ADG904-R将四路输入之..

概述 ADG904和ADG904-R均为采用CMOS工艺制造的宽带模拟4:1多路复用器，在最高至1 GHz范围内具有高隔离、低插入损耗特性。ADG904为吸收式/匹配多路复用器，具有50 ?端接分流引脚；ADG904-R为反射式多路复用器。这些器件经过专门设计，在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，ADG904和ADG904-R将四路输入之..

概述 ADG888是一款低压、双通道双刀双掷（DPDT）CMOS器件，针对高性能音频切换进行了优化。它具有低功耗和小尺寸特性，堪称便携式设备应用的理想之选。 在整个工作温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG888还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为400 mA。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展..

概述 ADG888是一款低压、双通道双刀双掷（DPDT）CMOS器件，针对高性能音频切换进行了优化。它具有低功耗和小尺寸特性，堪称便携式设备应用的理想之选。 在整个工作温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG888还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为400 mA。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展..

概述 ADG888是一款低压、双通道双刀双掷（DPDT）CMOS器件，针对高性能音频切换进行了优化。它具有低功耗和小尺寸特性，堪称便携式设备应用的理想之选。 在整个工作温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG888还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为400 mA。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展..

概述 ADG888是一款低压、双通道双刀双掷（DPDT）CMOS器件，针对高性能音频切换进行了优化。它具有低功耗和小尺寸特性，堪称便携式设备应用的理想之选。 在整个工作温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG888还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为400 mA。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展..

概述 ADG884是一款低压CMOS器件，包括两个独立的单刀双掷（SPDT）开关。该器件具有超低的导通电阻，在整个温度范围内小于0.4Ω，使其非常适合要求最小开关失真的应用。ADG884还具有大电流驱动能力，在5 V电压工作时电流典型值为600 mA。 ADG884采用10引脚、2.0 mm × 1.50 mm WLCSP封装、10引脚LFCSP封装以及10引脚MSOP封装。这些微小的封装使得AD..

概述 ADG884是一款低压CMOS器件，包括两个独立的单刀双掷（SPDT）开关。该器件具有超低的导通电阻，在整个温度范围内小于0.4Ω，使其非常适合要求最小开关失真的应用。ADG884还具有大电流驱动能力，在5 V电压工作时电流典型值为600 mA。 ADG884采用10引脚、2.0 mm × 1.50 mm WLCSP封装、10引脚LFCSP封装以及10引脚MSOP封装。这些微小的封装使得AD..