概述 ADG794是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。在输入信号范围内，导通电阻变化通常小于1.2 Ω。 带宽典型值为300 MHz，而且具有低失真（典型值为0.68%）性能，因而适合模拟音频/视频信号切换应用。 ADG794采用3.3 V/5 V单电源供电，并且与TTL逻辑兼容。这些开关由逻..

概述 ADG786和ADG788均为低压、CMOS器件，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 这些器件具有低功耗特性，采用1.8 V至5.5 V单电源/±2.5 V双电源工作，因而非常适合电池供电的便携式仪表及许多其它应用。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG786提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 采用先进的亚微米工艺设计，具..

概述 ADG786和ADG788均为低压、CMOS器件，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 这些器件具有低功耗特性，采用1.8 V至5.5 V单电源/±2.5 V双电源工作，因而非常适合电池供电的便携式仪表及许多其它应用。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG786提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 采用先进的亚微米工艺设计，具..

概述 ADG787是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。它主要用作通用模拟/数字开关，也可以用于路由USB 1.1信号。 该器件导通电阻较低，典型值为2.5 ?，因此非常适合要求低开关失真的应用。 ADG787提供小型3 × 4凸点、1.50 mm × 2.00 mm WLCSP、小型10引脚LFCSP以及10引脚MSOP三种封装，因而非常适合空间受限的应用。 接通时..

概述 ADG787是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。它主要用作通用模拟/数字开关，也可以用于路由USB 1.1信号。 该器件导通电阻较低，典型值为2.5 ?，因此非常适合要求低开关失真的应用。 ADG787提供小型3 × 4凸点、1.50 mm × 2.00 mm WLCSP、小型10引脚LFCSP以及10引脚MSOP三种封装，因而非常适合空间受限的应用。 接通时..

概述 ADG787是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。它主要用作通用模拟/数字开关，也可以用于路由USB 1.1信号。 该器件导通电阻较低，典型值为2.5 ?，因此非常适合要求低开关失真的应用。 ADG787提供小型3 × 4凸点、1.50 mm × 2.00 mm WLCSP、小型10引脚LFCSP以及10引脚MSOP三种封装，因而非常适合空间受限的应用。 接通时..

概述 ADG786和ADG788均为低压、CMOS器件，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 这些器件具有低功耗特性，采用1.8 V至5.5 V单电源/±2.5 V双电源工作，因而非常适合电池供电的便携式仪表及许多其它应用。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG786提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 采用先进的亚微米工艺设计，具..

概述 ADG784是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。导通电阻变化通常小于0.5 Ω，输入信号范围为0 V至5 V。 带宽大于200 MHz，而且具有低失真（典型值为0.5%）性能，因而适合快速以太网信号切换应用。 导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度..

概述 ADG783是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。上述器件采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2.5 Ω（典型值）..

概述 ADG782是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。上述器件采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2.5 Ω（典型值）..

概述 ADG782是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。上述器件采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2.5 Ω（典型值）..

概述 ADG781是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。上述器件采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2.5 Ω（典型值）..

概述 ADG781是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。上述器件采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2.5 Ω（典型值）..

概述 ADG779是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。它采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。 ADG779可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电..

概述 ADG779是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。它采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。 ADG779可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电..

概述 ADG774是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。导通电阻变化通常小于0.5 Ω，输入信号范围为0 V至5 V。带宽大于200 MHz，而且具有低失真（典型值为0.5%）性能，因而适合快速以太网信号切换应用。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低..

概述 ADG774是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。导通电阻变化通常小于0.5 Ω，输入信号范围为0 V至5 V。带宽大于200 MHz，而且具有低失真（典型值为0.5%）性能，因而适合快速以太网信号切换应用。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低..

概述 ADG774是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。导通电阻变化通常小于0.5 Ω，输入信号范围为0 V至5 V。带宽大于200 MHz，而且具有低失真（典型值为0.5%）性能，因而适合快速以太网信号切换应用。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低..

概述 ADG774是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。导通电阻变化通常小于0.5 Ω，输入信号范围为0 V至5 V。带宽大于200 MHz，而且具有低失真（典型值为0.5%）性能，因而适合快速以太网信号切换应用。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低..

概述 ADG774A是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。在输入信号范围内，导通电阻变化通常小于0.5 Ω。 ADG774A带宽典型值为400 MHz，而且具有低失真（典型值为0.3%）性能，因而适合高速数据信号切换应用。 导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保拥有出色的线性度和低失真..