概述 ADG884是一款低压CMOS器件，包括两个独立的单刀双掷（SPDT）开关。该器件具有超低的导通电阻，在整个温度范围内小于0.4Ω，使其非常适合要求最小开关失真的应用。ADG884还具有大电流驱动能力，在5 V电压工作时电流典型值为600 mA。 ADG884采用10引脚、2.0 mm × 1.50 mm WLCSP封装、10引脚LFCSP封装以及10引脚MSOP封装。这些微小的封装使得AD..

概述 ADG858是一款低压CMOS器件，内置四个单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.82 ?的超低导通电阻。额定电源电压为4.2 V至5.5 V和2.7 V至3.6 V。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG858为先开后合式开关。 该器件采用2.1 mm×2.1 mm、16引脚微型LFCSP封装，使其成为空间受限应用的理想..

概述 ADG854是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻。额定电源电压为5.5 V、3.3 V和2.5 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG854为先开后合式开关。ADG854采用1.6 mm × 1.3 mm、10引脚小型LFCSP封装。 特点 导通电阻：0.5 ..

概述 ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 ?，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为600 mA。 接通时，ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。 ADG849提供6引脚小型..

概述 ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 ?，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为600 mA。 接通时，ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。 ADG849提供6引脚小型..

概述 ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 ?，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为600 mA。 接通时，ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。 ADG849提供6引脚小型..

概述 ADG841和ADG842均为低压CMOS器件，内置一个单刀单掷(SPST)开关。输入为逻辑1时，ADG841闭合，ADG842则断开。在整个温度范围内，这些器件具有小于0.48 ?的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG841/ADG842均为先开后合式开关。 ADG841/ADG8..

概述 ADG841和ADG842均为低压CMOS器件，内置一个单刀单掷(SPST)开关。输入为逻辑1时，ADG841闭合，ADG842则断开。在整个温度范围内，这些器件具有小于0.48 ?的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG841/ADG842均为先开后合式开关。 ADG841/ADG8..

概述 ADG841和ADG842均为低压CMOS器件，内置一个单刀单掷(SPST)开关。输入为逻辑1时，ADG841闭合，ADG842则断开。在整个温度范围内，这些器件具有小于0.48 ?的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG841/ADG842均为先开后合式开关。 ADG841/ADG8..

概述 ADG839是一款低压CMOS器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.6 ?的超低导通电阻。额定电源电压为1.8 V、2.5 V和3.3 V。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG839为先开后合式开关。 ADG839采用6引脚SC70封装。 特点 工作电压：1.65 V至3.6 V 超低导通电阻： 0.35 ?..

概述 ADG839是一款低压CMOS器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.6 ?的超低导通电阻。额定电源电压为1.8 V、2.5 V和3.3 V。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG839为先开后合式开关。 ADG839采用6引脚SC70封装。 特点 工作电压：1.65 V至3.6 V 超低导通电阻： 0.35 ?..

概述 ADG836是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG836为先开后合式开关。 ADG836提供10引脚MSOP和3 mm x 3 mm、12引脚LFCSP两种封装。 产品聚焦 ..

概述 ADG836是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG836为先开后合式开关。 ADG836提供10引脚MSOP和3 mm x 3 mm、12引脚LFCSP两种封装。 产品聚焦 ..

概述 ADG836是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG836为先开后合式开关。 ADG836提供10引脚MSOP和3 mm x 3 mm、12引脚LFCSP两种封装。 产品聚焦 ..

概述 ADG836L是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG836L为先开后合式开关。 ADG836L采用10引脚封装。 产品特色 在整个工作温度范围（?40°C至+125°C）内..

概述 ADG824是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.7 ?的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG824为先开后合式开关。 它的低导通电阻非常适合音频开关应用。此外，该器件的数据速率达到180 Mbps，适用于USB低速（1..

概述 ADG821、ADG822和ADG823均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 特点 0.8 Ω maximum on resistance @ 125°C 0.3 Ω maximum on resistance flatness @ 125°C 1.8 V to 5.5 V single supply 20..

概述 ADG821、ADG822和ADG823均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 特点 0.8 Ω maximum on resistance @ 125°C 0.3 Ω maximum on resistance flatness @ 125°C 1.8 V to 5.5 V single supply 20..

概述 ADG821、ADG822和ADG823均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 特点 导通电阻：0.8 Ω（最大值，125°C） 导通电阻平坦度：0.28 Ω（最大值，125°C） 单电源：1.8 V至5.5 V 载流能力：200 mA 汽车应用温度范围：–40°C至+125°C 轨到轨工作 8引脚MSOP封..

概述 ADG821、ADG822和ADG823均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 特点 导通电阻：0.8 Ω（最大值，125°C） 导通电阻平坦度：0.28 Ω（最大值，125°C） 单电源：1.8 V至5.5 V 载流能力：200 mA 汽车应用温度范围：–40°C至+125°C 轨到轨工作 8引脚MSOP封..