概述 ADG821、ADG822和ADG823均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 特点 导通电阻：0.8 Ω（最大值，125°C） 导通电阻平坦度：0.28 Ω（最大值，125°C） 单电源：1.8 V至5.5 V 载流能力：200 mA 汽车应用温度范围：–40°C至+125°C 轨到轨工作 8引脚MSOP封..

概述 ADG819是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。它具有低功耗和+1.8 V至+5.5 V的工作电压范围，非常适合电池供电的便携式仪表应用。 接通时，ADG819的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。 （如需先合后开式开关，请参考ADG820) ADG819提供6..

概述 ADG819是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。它具有低功耗和+1.8 V至+5.5 V的工作电压范围，非常适合电池供电的便携式仪表应用。 接通时，ADG819的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。 （如需先合后开式开关，请参考ADG820) ADG819提供6..

概述 ADG819是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。它具有低功耗和+1.8 V至+5.5 V的工作电压范围，非常适合电池供电的便携式仪表应用。 接通时，ADG819的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。 （如需先合后开式开关，请参考ADG820) ADG819提供6..

概述 ADG819是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。它具有低功耗和+1.8 V至+5.5 V的工作电压范围，非常适合电池供电的便携式仪表应用。 接通时，ADG819的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。 （如需先合后开式开关，请参考ADG820) ADG819提供6..

概述 ADG812是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 ?的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。 这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG811开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG812开关接通则要求逻辑高电平。A..

概述 ADG812是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 ?的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。 这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG811开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG812开关接通则要求逻辑高电平。A..

概述 ADG811是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 ?的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。 这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG811开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG812开关接通则要求逻辑高电平。A..

概述 ADG811是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 ?的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。 这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG811开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG812开关接通则要求逻辑高电平。A..

概述 ADG804是一款低压CMOS多路复用器，内置4个单通道。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。 ADG804根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为逻辑0时，该器件将被禁用。ADG804为先开后合式开关。 ADG804额定电源电压为3.3 V、2...

概述 ADG804是一款低压CMOS多路复用器，内置4个单通道。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。 ADG804根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为逻辑0时，该器件将被禁用。ADG804为先开后合式开关。 ADG804额定电源电压为3.3 V、2...

概述 ADG804是一款低压CMOS多路复用器，内置4个单通道。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 ?的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。 ADG804根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为逻辑0时，该器件将被禁用。ADG804为先开后合式开关。 ADG804额定电源电压为3.3 V、2...

概述 ADG801/ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻小于0.4 Ω，采用先进的亚微米工艺设计，具有极低导通电阻、高开关速度和低泄漏电流特性。 小于0.4 Ω的低导通电阻使这些器件非常适合低导通电阻开关至关重要的应用。 ADG801开关为常开(NO)式，ADG802开关为常闭(NC)式。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 产品聚焦 低导通电阻：0.25 Ω（典型..

概述 ADG801/ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻小于0.4 Ω，采用先进的亚微米工艺设计，具有极低导通电阻、高开关速度和低泄漏电流特性。 小于0.4 Ω的低导通电阻使这些器件非常适合低导通电阻开关至关重要的应用。 ADG801开关为常开(NO)式，ADG802开关为常闭(NC)式。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 产品聚焦 低导通电阻：0.25 Ω（典型..

概述 ADG801/ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻小于0.4 Ω，采用先进的亚微米工艺设计，具有极低导通电阻、高开关速度和低泄漏电流特性。 小于0.4 Ω的低导通电阻使这些器件非常适合低导通电阻开关至关重要的应用。 ADG801开关为常开(NO)式，ADG802开关为常闭(NC)式。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 产品聚焦 低导通电阻：0.25 Ω（典型..

概述 ADG801/ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻小于0.4 Ω，采用先进的亚微米工艺设计，具有极低导通电阻、高开关速度和低泄漏电流特性。 小于0.4 Ω的低导通电阻使这些器件非常适合低导通电阻开关至关重要的应用。 ADG801开关为常开(NO)式，ADG802开关为常闭(NC)式。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 产品聚焦 低导通电阻：0.25 Ω（典型..

概述 ADG801/ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻小于0.4 Ω，采用先进的亚微米工艺设计，具有极低导通电阻、高开关速度和低泄漏电流特性。 小于0.4 Ω的低导通电阻使这些器件非常适合低导通电阻开关至关重要的应用。 ADG801开关为常开(NO)式，ADG802开关为常闭(NC)式。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 产品聚焦 低导通电阻：0.25 Ω（典型..

概述 ADG801/ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻小于0.4 Ω，采用先进的亚微米工艺设计，具有极低导通电阻、高开关速度和低泄漏电流特性。 小于0.4 Ω的低导通电阻使这些器件非常适合低导通电阻开关至关重要的应用。 ADG801开关为常开(NO)式，ADG802开关为常闭(NC)式。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 产品聚焦 低导通电阻：0.25 Ω（典型..

概述 ADG801/ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻小于0.4 Ω，采用先进的亚微米工艺设计，具有极低导通电阻、高开关速度和低泄漏电流特性。 小于0.4 Ω的低导通电阻使这些器件非常适合低导通电阻开关至关重要的应用。 ADG801开关为常开(NO)式，ADG802开关为常闭(NC)式。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 产品聚焦 低导通电阻：0.25 Ω（典型..

概述 ADG794是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。在输入信号范围内，导通电阻变化通常小于1.2 Ω。 带宽典型值为300 MHz，而且具有低失真（典型值为0.68%）性能，因而适合模拟音频/视频信号切换应用。 ADG794采用3.3 V/5 V单电源供电，并且与TTL逻辑兼容。这些开关由逻..