概述 ADG704是一款CMOS模拟多路复用器，内置4个单通道。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。导通电阻曲线在整个模拟信号范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。同时较快的开关速度使该器件适合视频信号切换应用。 特点 单电源：+1.8 V至+5.5 V 导通电阻：2.5 Ω（典型值） 低导通电阻平坦度 –3 dB带宽..

概述 ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外，?3 dB带宽可以达到200 MHz以上。 ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。图1和图2显示，当逻辑输入为1时，ADG701L开..

概述 ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外，?3 dB带宽可以达到200 MHz以上。 ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。图1和图2显示，当逻辑输入为1时，ADG701L开..

概述 ADG702是一款单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。该器件可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2 Ω（典型值） 低导通电阻平坦度 -3 dB..

概述 ADG702是一款单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。该器件可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2 Ω（典型值） 低导通电阻平坦度 -3 dB..

概述 ADG702是一款单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。该器件可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2 Ω（典型值） 低导通电阻平坦度 -3 dB..

概述 ADG702是一款单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。该器件可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导通电阻：2 Ω（典型值） 低导通电阻平坦度 -3 dB..

概述 ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外，?3 dB带宽可以达到200 MHz以上。 ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。图..

概述 ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外，?3 dB带宽可以达到200 MHz以上。 ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。图..

概述 ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外，?3 dB带宽可以达到200 MHz以上。 ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。图..

概述 ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外，?3 dB带宽可以达到200 MHz以上。 ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。图..

概述 ADG701是一款单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG701可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导..

概述 ADG701是一款单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG701可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导..

概述 ADG701是一款单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG701可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导..

概述 ADG701是一款单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性，-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG701可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 特点 单电源：1.8 V至5.5 V 导..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..