概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些器件采用改良工艺设计，具有..

概述 ADG636是一款单芯片器件，内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。 此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为10 pA。此外，它的典型导通电阻为85 Ω，两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速..

概述 ADG636是一款单芯片器件，内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。 此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为10 pA。此外，它的典型导通电阻为85 Ω，两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速..

概述 ADG633是一款低压CMOS器件，内置三个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 额定电源电压为±5 V、5 V和3 V。ADG633开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。该器件提供 EN 输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG633采用增强型工艺设计，具有低功耗和高开关速度特性。低功耗和2 ..

概述 ADG633是一款低压CMOS器件，内置三个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 额定电源电压为±5 V、5 V和3 V。ADG633开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。该器件提供 EN 输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG633采用增强型工艺设计，具有低功耗和高开关速度特性。低功耗和2 ..

概述 ADG633是一款低压CMOS器件，内置三个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 额定电源电压为±5 V、5 V和3 V。ADG633开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。该器件提供 EN 输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG633采用增强型工艺设计，具有低功耗和高开关速度特性。低功耗和2 ..

概述 ADG633是一款低压CMOS器件，内置三个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 额定电源电压为±5 V、5 V和3 V。ADG633开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。该器件提供 EN 输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG633采用增强型工艺设计，具有低功耗和高开关速度特性。低功耗和2 ..

概述 ADG621/ADG622/ADG623均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关。接通时，ADG621/ADG622/ADG623的各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG621/ADG622/ADG623均内置两个独立开关。ADG621与ADG622的区别仅在于：前者的两个开关为常开式，后者的两个开关为常闭式。ADG623的开关1为常开式，开关2为常闭式。ADG623为先开后合式开关。 ..

概述 ADG621/ADG622/ADG623均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关。接通时，ADG621/ADG622/ADG623的各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG621/ADG622/ADG623均内置两个独立开关。ADG621与ADG622的区别仅在于：前者的两个开关为常开式，后者的两个开关为常闭式。ADG623的开关1为常开式，开关2为常闭式。ADG623为先开后合式开关。 ..

概述 ADG619/ADG620均为单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG619/ADG620具有4 Ω的低导通电阻，通道间导通电阻匹配为0.7 Ω。此外还具有低功耗和高开关速度特性。 ADG619为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。ADG620则为先合后开式开关。 ADG619/ADG620均提供8引脚SOT-23和8引脚MSOP两种..

概述 ADG619/ADG620均为单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG619/ADG620具有4 Ω的低导通电阻，通道间导通电阻匹配为0.7 Ω。此外还具有低功耗和高开关速度特性。 ADG619为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。ADG620则为先合后开式开关。 ADG619/ADG620均提供8引脚SOT-23和8引脚MSOP两种..

概述 ADG619/ADG620均为单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG619/ADG620具有4 Ω的低导通电阻，通道间导通电阻匹配为0.7 Ω。此外还具有低功耗和高开关速度特性。 ADG619为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。ADG620则为先合后开式开关。 ADG619/ADG620均提供8引脚SOT-23和8引脚MSOP两种..

概述 ADG619/ADG620均为单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG619/ADG620具有4 Ω的低导通电阻，通道间导通电阻匹配为0.7 Ω。此外还具有低功耗和高开关速度特性。 ADG619为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。ADG620则为先合后开式开关。 ADG619/ADG620均提供8引脚SOT-23和8引脚MSOP两种..

概述 ADG619/ADG620均为单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG619/ADG620具有4 Ω的低导通电阻，通道间导通电阻匹配为0.7 Ω。此外还具有低功耗和高开关速度特性。 ADG619为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。ADG620则为先合后开式开关。 ADG619/ADG620均提供8引脚SOT-23和8引脚MSOP两种..

概述 ADG613-EP是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。此开关在整个输入信号范围内具有1 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为0.01 nA。 额定电源电压为±5 V、+5 V和3 V。它内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG613-EP内置具有数字控制逻辑的两个开关，逻辑低电平时导通；另有两个开关则采用反相逻辑。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信..

概述 ADG613-EP是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。此开关在整个输入信号范围内具有1 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为0.01 nA。 额定电源电压为±5 V、+5 V和3 V。它内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG613-EP内置具有数字控制逻辑的两个开关，逻辑低电平时导通；另有两个开关则采用反相逻辑。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信..