概述 ADG721、ADG722和ADG723均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。这些器件提供3 mm × 2 mm、小型LFCSP和MSOP两种封装，非常适合空间受限的应用。 ADG721、ADG722和ADG723设计采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog De..

概述 ADG721、ADG722和ADG723均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。这些器件提供3 mm × 2 mm、小型LFCSP和MSOP两种封装，非常适合空间受限的应用。 ADG721、ADG722和ADG723设计采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog De..

概述 ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 该开关可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 接通时，ADG719的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG719为先开后合式开关。 由于采用了先进的亚微米工艺，?3 dB带宽可以达到200..

概述 ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 该开关可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 接通时，ADG719的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG719为先开后合式开关。 由于采用了先进的亚微米工艺，?3 dB带宽可以达到200..

概述 ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 该开关可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 接通时，ADG719的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG719为先开后合式开关。 由于采用了先进的亚微米工艺，?3 dB带宽可以达到200..

概述 ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 该开关可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 接通时，ADG719的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG719为先开后合式开关。 由于采用了先进的亚微米工艺，?3 dB带宽可以达到200..

概述 ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 该开关可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 接通时，ADG719的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG719为先开后合式开关。 由于采用了先进的亚微米工艺，?3 dB带宽可以达到200..

概述 ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 该开关可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 接通时，ADG719的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG719为先开后合式开关。 由于采用了先进的亚微米工艺，?3 dB带宽可以达到200..

概述 ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 该开关可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。 接通时，ADG719的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG719为先开后合式开关。 由于采用了先进的亚微米工艺，?3 dB带宽可以达到200..

概述 ADG715是一款互补性金属氧化物半导体(CMOS)、八通道单刀单掷(SPST)开关，通过一个双线式串行接口进行控制。开关之间的导通电阻匹配严格，并且在整个信号范围内，导通电阻曲线平坦。各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。数据以8位形式写入这些器件，每一位对应一个通道。 ADG715采用与I2C接口标准兼容的双线式串行接口。ADG715具有四个硬连线地址，通过两..

概述 ADG715是一款互补性金属氧化物半导体(CMOS)、八通道单刀单掷(SPST)开关，通过一个双线式串行接口进行控制。开关之间的导通电阻匹配严格，并且在整个信号范围内，导通电阻曲线平坦。各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。数据以8位形式写入这些器件，每一位对应一个通道。 ADG715采用与I2C接口标准兼容的双线式串行接口。ADG715具有四个硬连线地址，通过两..

概述 ADG714是一款互补性金属氧化物半导体(CMOS)、八通道单刀单掷(SPST)开关，通过一个三线式串行接口进行控制。开关之间的导通电阻匹配严格，并且在整个信号范围内，导通电阻曲线平坦。各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。数据以8位形式写入这些器件，每一位对应一个通道。 ADG714采用一个三线式串行接口，并且与串行外设接口(SPI)、QSPI?、MICROWI..

概述 ADG714是一款互补性金属氧化物半导体(CMOS)、八通道单刀单掷(SPST)开关，通过一个三线式串行接口进行控制。开关之间的导通电阻匹配严格，并且在整个信号范围内，导通电阻曲线平坦。各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。数据以8位形式写入这些器件，每一位对应一个通道。 ADG714采用一个三线式串行接口，并且与串行外设接口(SPI)、QSPI?、MICROWI..

概述 ADG713是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。 ADG713采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。 ADG713有..

概述 ADG713是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。 ADG713采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。 ADG713有..

概述 ADG713是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。 ADG713采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。 ADG713有..

概述 ADG712是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。 ADG712采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。 接通时，各开关..

概述 ADG712是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。 ADG712采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。 接通时，各开关..

概述 ADG712是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。 ADG712采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。 接通时，各开关..

概述 ADG712是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。 ADG712采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。 接通时，各开关..