概述 ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。+25oC时，这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。 上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V，均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG612开关接通则要求..

概述 ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。+25oC时，这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。 上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V，均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG612开关接通则要求..

概述 ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。+25oC时，这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。 上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V，均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG612开关接通则要求..

概述 ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。+25oC时，这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。 上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V，均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG612开关接通则要求..

概述 ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。+25oC时，这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。 上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V，均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑低电平，而ADG612开关接通则要求..

概述 ADG609是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG609采用增强型LC2 MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下..

概述 ADG609是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG609采用增强型LC2 MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下..

概述 ADG609是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG609采用增强型LC2 MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下..

概述 ADG609是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG609采用增强型LC2 MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下..

概述 ADG609是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG609采用增强型LC2 MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下..

概述 ADG608是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。它根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG608采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电..

概述 ADG608是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。它根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG608采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电..

概述 ADG608是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。它根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG608采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电..

概述 ADG608是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。它根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG608采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电..

概述 ADG608是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。它根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG608采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电..

概述 ADG608是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。它根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG608采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电..

概述 ADG604是一款CMOS模拟多路复用器，内置4个单通道。它采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，ADG604将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为逻辑0时，该器件将被禁用。 85oC时，ADG604提供1 pC的超低电荷注入和小于250 pA的泄漏电流。导通电阻典型值为85 Ω，通道间导通电阻匹配..

概述 ADG604是一款CMOS模拟多路复用器，内置4个单通道。它采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，ADG604将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为逻辑0时，该器件将被禁用。 85oC时，ADG604提供1 pC的超低电荷注入和小于250 pA的泄漏电流。导通电阻典型值为85 Ω，通道间导通电阻匹配..

概述 ADG601/ADG602均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻典型值小于2.5 Ω。低导通电阻平坦度使ADG601/ADG602适合许多应用，尤其是要求低失真的应用。这些开关比机械继电器更可靠，功耗更低，封装尺寸更小，因此是机械继电器的理想替代产品。 ADG601为常开(NO)开关，ADG602为常闭(NC)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至供..

概述 ADG601/ADG602均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻典型值小于2.5 Ω。低导通电阻平坦度使ADG601/ADG602适合许多应用，尤其是要求低失真的应用。这些开关比机械继电器更可靠，功耗更低，封装尺寸更小，因此是机械继电器的理想替代产品。 ADG601为常开(NO)开关，ADG602为常闭(NC)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至供..