- ADG511BRZ-REEL7发布日期:2019/1/27 点击:178
概述 ADG511是一款单芯片CMOS IC,内置四个独立可选的模拟开关。它具有严格控制的低导通电阻和较宽的模拟信号范围,因而非常适合精密模拟信号开关应用。 ADG511开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性,当开关数字输入时,可实现最小的瞬变。 特..
查看详情 - ADG509FBRWZ发布日期:2019/1/27 点击:157
概述 ADG508F和ADG509F均为CMOS模拟多路复用器;ADG508F内置8个单通道,ADG509F内置4个差分通道。这些多路复用器均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在断电故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但..
查看详情 - ADG509FBRUZ发布日期:2019/1/27 点击:150
概述 ADG508F和ADG509F均为CMOS模拟多路复用器;ADG508F内置8个单通道,ADG509F内置4个差分通道。这些多路复用器均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在断电故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但..
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概述 ADG508F和ADG509F均为CMOS模拟多路复用器;ADG508F内置8个单通道,ADG509F内置4个差分通道。这些多路复用器均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在断电故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但..
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概述 ADG508F和ADG509F均为CMOS模拟多路复用器;ADG508F内置8个单通道,ADG509F内置4个差分通道。这些多路复用器均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在断电故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但..
查看详情 - ADG509AKRZ-REEL7发布日期:2019/1/27 点击:131
概述 ADG508A和ADG509A均为单芯片CMOS模拟多路复用器,分别内置8个通道和4个双通道。ADG508A根据3个二进制地址和一个使能输入的状态,将8路输入之一切换至公共输出。ADG509A根据2个二进制地址和一个使能输入的状态,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供TTL和5 V CMOS逻辑兼容型数字输入。 ADG508A和ADG509A均采用增强型LC2MOS 工艺设计..
查看详情 - ADG508FBRWZ-REEL发布日期:2019/1/27 点击:115
概述 ADG508F是一款CMOS模拟多路复用器,内置8个单通道,可提供故障保护。它采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路,而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。 AD..
查看详情 - ADG508FBRWZ发布日期:2019/1/27 点击:132
概述 ADG508F是一款CMOS模拟多路复用器,内置8个单通道,可提供故障保护。它采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路,而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。 AD..
查看详情 - ADG508FBRNZ-REEL7发布日期:2019/1/27 点击:128
概述 ADG508F是一款CMOS模拟多路复用器,内置8个单通道,可提供故障保护。它采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路,而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。 AD..
查看详情 - ADG508FBRNZ发布日期:2019/1/27 点击:139
概述 ADG508F是一款CMOS模拟多路复用器,内置8个单通道,可提供故障保护。它采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路,而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。 AD..
查看详情 - ADG508FBNZ发布日期:2019/1/27 点击:135
概述 ADG508F是一款CMOS模拟多路复用器,内置8个单通道,可提供故障保护。它采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路,而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。 AD..
查看详情 - ADG508AKRZ-REEL发布日期:2019/1/27 点击:159
概述 ADG508A和ADG509A均为单芯片CMOS模拟多路复用器,分别内置8个通道和4个双通道。ADG508A根据3个二进制地址和一个使能输入的状态,将8路输入之一切换至公共输出。ADG509A根据2个二进制地址和一个使能输入的状态,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供TTL和5 V CMOS逻辑兼容型数字输入。 ADG508A和ADG509A均采用增强型LC2MOS 工艺设计..
查看详情 - ADG508AKRZ-REEL7发布日期:2019/1/27 点击:119
概述 ADG508A和ADG509A均为单芯片CMOS模拟多路复用器,分别内置8个通道和4个双通道。ADG508A根据3个二进制地址和一个使能输入的状态,将8路输入之一切换至公共输出。ADG509A根据2个二进制地址和一个使能输入的状态,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供TTL和5 V CMOS逻辑兼容型数字输入。 ADG508A和ADG509A均采用增强型LC2MOS 工艺设计..
查看详情 - ADG508AKPZ发布日期:2019/1/27 点击:124
概述 ADG508A和ADG509A均为单芯片CMOS模拟多路复用器,分别内置8个通道和4个双通道。ADG508A根据3个二进制地址和一个使能输入的状态,将8路输入之一切换至公共输出。ADG509A根据2个二进制地址和一个使能输入的状态,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供TTL和5 V CMOS逻辑兼容型数字输入。 ADG508A和ADG509A均采用增强型LC2MOS 工艺设计..
查看详情 - ADG507AKRZ发布日期:2019/1/27 点击:124
概述 ADG507A是一款单芯片CMOS模拟多路复用器,内置8个双通道。它根据3个二进制地址和一个使能输入的状态,将8路差分输入之一切换至公共差分输出。此外,还提供TTL和5 V CMOS逻辑兼容型数字输入。 ADG507A采用增强型LC2MOS工艺设计,信号处理能力提高到VSS 至VDD ,并且可以在较宽的电源电压范围内工作。该器件可以采用10.8 V至16.5 V范围内的任意单电源或双电源轻松..
查看详情 - ADG507AKRUZ发布日期:2019/1/27 点击:125
概述 ADG507A是一款单芯片CMOS模拟多路复用器,内置8个双通道。它根据3个二进制地址和一个使能输入的状态,将8路差分输入之一切换至公共差分输出。此外,还提供TTL和5 V CMOS逻辑兼容型数字输入。 ADG507A采用增强型LC2MOS工艺设计,信号处理能力提高到VSS 至VDD ,并且可以在较宽的电源电压范围内工作。该器件可以采用10.8 V至16.5 V范围内的任意单电源或双电源轻松..
查看详情 - ADG507AKPZ发布日期:2019/1/27 点击:117
概述 ADG507A是一款单芯片CMOS模拟多路复用器,内置8个双通道。它根据3个二进制地址和一个使能输入的状态,将8路差分输入之一切换至公共差分输出。此外,还提供TTL和5 V CMOS逻辑兼容型数字输入。 ADG507A采用增强型LC2MOS工艺设计,信号处理能力提高到VSS 至VDD ,并且可以在较宽的电源电压范围内工作。该器件可以采用10.8 V至16.5 V范围内的任意单电源或双电源轻松..
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