概述 ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。 接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同..

概述 ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。 接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同..

概述 ADG417是一款单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG417的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而这种器件非常适合便携式和电池供电仪表。 ADG417开关的接通条件是控制输入为逻辑低电..

概述 ADG417是一款单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG417的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而这种器件非常适合便携式和电池供电仪表。 ADG417开关的接通条件是控制输入为逻辑低电..

概述 ADG417是一款单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG417的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而这种器件非常适合便携式和电池供电仪表。 ADG417开关的接通条件是控制输入为逻辑低电..

概述 ADG413是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG413有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平，而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时..

概述 ADG413是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG413有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平，而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时..

概述 ADG413是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG413有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平，而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时..

概述 ADG413是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG413有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平，而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时..

概述 ADG412是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG412开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定电..

概述 ADG412是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG412开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定电..

概述 ADG412是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG412开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定电..

概述 ADG412是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG412开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定电..

概述 ADG411是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG411开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG411是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG411开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG411是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG411开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG411是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG411开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG411是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG411开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变 特点 最大额定电..

概述 ADG409是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG409采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电..

概述 ADG409是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 ADG409采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电..