概述 ADG436是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额..

概述 ADG436是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额..

概述 ADG433是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG433有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平，而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时..

概述 ADG432是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG432开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定电..

概述 ADG431是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG431开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG431是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG431开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG431是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG431开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG428是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。片内地址和控制锁存器有利于与微处理器实现接口。ADG428根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。所有控制输入、地址和使能输入均为TTL兼容型，可以在整个额定温度范围内工作。TTL兼容型地址锁存器可以简化数字接口设计，并减..

概述 ADG428是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。片内地址和控制锁存器有利于与微处理器实现接口。ADG428根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。所有控制输入、地址和使能输入均为TTL兼容型，可以在整个额定温度范围内工作。TTL兼容型地址锁存器可以简化数字接口设计，并减..

概述 ADG428是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道。片内地址和控制锁存器有利于与微处理器实现接口。ADG428根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。所有控制输入、地址和使能输入均为TTL兼容型，可以在整个额定温度范围内工作。TTL兼容型地址锁存器可以简化数字接口设计，并减..

概述 ADG406、ADG407和ADG426均为单芯片CMOS模拟多路复用器。ADG406和ADG426根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG426具有片内地址和控制锁存器，有利于与微处理器实现接口。ADG407根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。所有器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件..

概述 ADG406、ADG407和ADG426均为单芯片CMOS模拟多路复用器。ADG406和ADG426根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG426具有片内地址和控制锁存器，有利于与微处理器实现接口。ADG407根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。所有器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件..

概述 ADG406、ADG407和ADG426均为单芯片CMOS模拟多路复用器。ADG406和ADG426根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG426具有片内地址和控制锁存器，有利于与微处理器实现接口。ADG407根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。所有器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件..

概述 ADG406、ADG407和ADG426均为单芯片CMOS模拟多路复用器。ADG406和ADG426根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG426具有片内地址和控制锁存器，有利于与微处理器实现接口。ADG407根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。所有器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件..

概述 ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。 接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同..

概述 ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。 接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同..

概述 ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。 接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同..

概述 ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。 接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同..

概述 ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。 接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同..

概述 ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。 ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。 接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同..