概述 ADG451是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG451开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 低导通电..

概述 ADG451是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG451开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 低导通电..

概述 ADG451是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG451开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 低导通电..

概述 ADG451是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG451开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 低导通电..

概述 ADG451是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG451开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 低导通电..

概述 ADG451是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG451开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 低导通电..

概述 ADG444是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG444开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG444是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG444开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG444是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG444开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG442是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG442开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG442是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG442开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG442是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG442开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG441是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG441开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG441是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG441开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG441是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG441开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额定..

概述 ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器；ADG438F内置8个单通道，ADG439F内置4个差分通道，而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构，发生过压或失电时，器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下，当电源关闭时，多路复用器输入（或输出）表现为开路，泄漏电流只有几nA。这样，不但..

概述 ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器；ADG438F内置8个单通道，ADG439F内置4个差分通道，而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构，发生过压或失电时，器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下，当电源关闭时，多路复用器输入（或输出）表现为开路，泄漏电流只有几nA。这样，不但..

概述 ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器；ADG438F内置8个单通道，ADG439F内置4个差分通道，而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构，发生过压或失电时，器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下，当电源关闭时，多路复用器输入（或输出）表现为开路，泄漏电流只有几nA。这样，不但..

概述 ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器；ADG438F内置8个单通道，ADG439F内置4个差分通道，而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构，发生过压或失电时，器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下，当电源关闭时，多路复用器输入（或输出）表现为开路，泄漏电流只有几nA。这样，不但..

概述 ADG436是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 特点 最大额..