概述 ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS 器件不但可以承受..

概述 ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS 器件不但可以承受..

概述 ADG1219是一款单芯片iCMOS?器件，内置单刀双掷（SPDT）开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。每个开关均为先开后合式。 iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高..

概述 ADG1211 / ADG1212 /ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS? （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不..

概述 ADG1211 / ADG1212 /ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS? （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不..

概述 ADG1211 / ADG1212 /ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS? （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不..

概述 ADG1211/ADG1212/ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电..

概述 ADG1211/ADG1212/ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电..

概述 ADG1211/ADG1212/ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电..

概述 ADG1211/ADG1212/ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电..

概述 ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS? （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不..

概述 ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS? （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不..

概述 ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS? （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不..

概述 ADG1208和ADG1209均为单芯片 iCMOS?模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性..

概述 ADG1208和ADG1209均为单芯片 iCMOS?模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性..

概述 ADG1208和ADG1209均为单芯片 iCMOS?模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性..

概述 ADG1208和ADG1209均为单芯片iCMOS? 模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性..

概述 ADG1208和ADG1209均为单芯片iCMOS? 模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性..

概述 ADG1208和ADG1209均为单芯片iCMOS? 模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性..

概述 ADG1208和ADG1209均为单芯片iCMOS? 模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性..