概述 ADG1208和ADG1209均为单芯片iCMOS? 模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性..

概述 ADG1206和ADG1207均为单芯片iCMOS? 模拟多路复用器，分别内置16个单通道和8个差分通道。ADG1206根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG1207根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS（工..

概述 ADG1206和ADG1207均为单芯片iCMOS? 模拟多路复用器，分别内置16个单通道和8个差分通道。ADG1206根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG1207根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS（工..

概述 ADG1206和ADG1207均为单芯片iCMOS 模拟多路复用器，分别内置16个单通道和8个差分通道。ADG1206根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG1207根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS（工业..

概述 ADG1206和ADG1207均为单芯片iCMOS 模拟多路复用器，分别内置16个单通道和8个差分通道。ADG1206根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG1207根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS（工业..

概述 ADG1206和ADG1207均为单芯片iCMOS 模拟多路复用器，分别内置16个单通道和8个差分通道。ADG1206根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG1207根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS（工业..

概述 ADG1204是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器，内置四个采用iCMOS（工业CMOS）工艺设计的单通道。 iCMOS? 是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS 器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能..

概述 ADG1204是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器，内置四个采用iCMOS（工业CMOS）工艺设计的单通道。 iCMOS? 是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS 器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能..

概述 ADG1204是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器，内置四个采用iCMOS（工业CMOS）工艺设计的单通道。 iCMOS? 是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS 器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能..

概述 ADG1204是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器，内置四个采用iCMOS（工业CMOS）工艺设计的单通道。 iCMOS? 是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS 器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能..

概述 ADG1201/ADG1202是单芯片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，内置一个采用iCMOS?（工业CMOS）工艺设计的单刀单掷（SPST）开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同iCMOS器件不但可以承受高电源电压，..

概述 AD7510DI、AD7511DI和AD7512DI均属防闩锁型介质隔离CMOS开关，可提供最高超出电源电压±25 V的过压保护。在拥有这些优势的同时，并不影响模拟开关的低导通电阻(75W) 或低泄漏电流(500 pA)特性。 特点 Features Latch-Proof Overvoltage-Proof: ±25V Low RON: 75Ω Low Dissipation: 3mW T..

概述 AD7506是一款单芯片CMOS 16通道模拟多路复用器，采用28引脚表贴封装。它根据4条地址线和一个“使能”的状态，将一路公共输出切换至16路输入之一。AD7507与AD7506的不同之处仅在于，前者根据3条二进制地址线和一个“使能”的状态，来将两路输出切换至16路输入中的两路。 特点 Ron: 300Ω Power Dissipation: 1.5mW TTL/DTL/CMOS Dire..

概述 AD7506是一款单芯片CMOS 16通道模拟多路复用器，采用28引脚表贴封装。它根据4条地址线和一个“使能”的状态，将一路公共输出切换至16路输入之一。AD7507与AD7506的不同之处仅在于，前者根据3条二进制地址线和一个“使能”的状态，来将两路输出切换至16路输入中的两路。 特点 Ron: 300Ω Power Dissipation: 1.5mW TTL/DTL/CMOS Dire..

概述 The ADV3228/ADV3229 are high speed 8 × 8 analog crosspoint switch matrices. They offer a ?3 dB large signal bandwidth of 750 MHz (ADV3228) and a slew rate of 2500 V/μs. The ADV3228/ADV3229 include ..

概述 ADV3226/ADV3227均为高速16 × 16模拟交叉点开关矩阵，其?3 dB信号带宽大于750 MHz，通道切换的1%建立时间少于20 ns。 ADV3226/ADV3227含有16个独立的输出缓冲，可将其置于高阻抗状态，以实现交叉点输出并联，从而防止关断通道向输出总线提供负载。ADV3226的增益为+1，ADV3227的增益为+2。两种器件均采用±5 V电源供电，仅消耗118 mA..

概述 ADV3226/ADV3227均为高速16 × 16模拟交叉点开关矩阵，其?3 dB信号带宽大于750 MHz，通道切换的1%建立时间少于20 ns。 ADV3226/ADV3227含有16个独立的输出缓冲，可将其置于高阻抗状态，以实现交叉点输出并联，从而防止关断通道向输出总线提供负载。ADV3226的增益为+1，ADV3227的增益为+2。两种器件均采用±5 V电源供电，仅消耗118 mA..

概述 ADV3224/ADV3225均为高速16 × 8模拟交叉点开关矩阵，?3 dB信号带宽大于750 MHz，压摆率大于2500 V/μs。 ADV3224/ADV3225内置8个独立输出缓冲器，可以将这些缓冲器置于高阻抗状态，以实现交叉点输出并联，从而防止关断通道向输出总线提供负载。ADV3224的增益为+1；ADV3225的增益为+2，两种器件均采用±5 V电源供电。通道切换通过串行数字控..

概述 ADV3205是一款完全缓冲式交叉点开关矩阵，采用±5 V电源供电，是视频应用的理想之选。其?3 dB信号带宽为60 MHz，通道切换的0.1%建立时间少于60 ns。该器件具有出色的串扰性能，并且所有输入和输出周围均提供接地/电源引脚，能够为要求最严苛的应用提供额外的屏蔽功能。差分增益和差分相位分别优于0.1%和0.1°，0.1 dB平坦度达10 MHz，使ADV3205成为许多视频应用的..

概述 ADV3200/ADV3201为32 × 32模拟交叉点开关矩阵，具有适合交流耦合应用的可选同步脉冲顶部箝位输入，以及屏幕显示(OSD)插入多路复用器。两款器件的串扰性能均为-48 dB，隔离性能为-80 dB (5 MHz)，因而适合许多高密度路由应用。同时0.1 dB平坦度达60 MHz，堪称复合视频切换应用的理想之选。 ADV3200/ADV3201内置32个独立输出缓冲器，可以将这些..