概述 ADG1421/ADG1422/ADG1423均内置两个独立的单刀单掷（SPST）开关。ADG1421与ADG1422的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1421开关的接通条件是相关控制输入为逻辑1，而ADG1422则要求逻辑0。ADG1423有一个开关的数字控制逻辑与ADG1421相似，但另一个开关的控制逻辑则相反。ADG1423为先开后合式开关，适合多路复用器应用。当接通时，各开关在两个..

概述 ADG1421/ADG1422/ADG1423均内置两个独立的单刀单掷（SPST）开关。ADG1421与ADG1422的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1421开关的接通条件是相关控制输入为逻辑1，而ADG1422则要求逻辑0。ADG1423有一个开关的数字控制逻辑与ADG1421相似，但另一个开关的控制逻辑则相反。ADG1423为先开后合式开关，适合多路复用器应用。当接通时，各开关在两个..

概述 ADG1421/ADG1422/ADG1423均内置两个独立的单刀单掷（SPST）开关。ADG1421与ADG1422的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1421开关的接通条件是相关控制输入为逻辑1，而ADG1422则要求逻辑0。ADG1423有一个开关的数字控制逻辑与ADG1421相似，但另一个开关的控制逻辑则相反。ADG1423为先开后合式开关，适合多路复用器应用。当接通时，各开关在两个..

概述 ADG1421/ADG1422/ADG1423均内置两个独立的单刀单掷（SPST）开关。ADG1421与ADG1422的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1421开关的接通条件是相关控制输入为逻辑1，而ADG1422则要求逻辑0。ADG1423有一个开关的数字控制逻辑与ADG1421相似，但另一个开关的控制逻辑则相反。ADG1423为先开后合式开关，适合多路复用器应用。当接通时，各开关在两个..

概述 ADG1419是一款单芯片iCMOS? 器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。LFCSP封装器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是其它高压器件所无法实现的。与采用传统CMOS工艺的模拟I..

概述 ADG1419是一款单芯片iCMOS? 器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。LFCSP封装器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是其它高压器件所无法实现的。与采用传统CMOS工艺的模拟I..

概述 ADG1419是一款单芯片iCMOS? 器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。LFCSP封装器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是其它高压器件所无法实现的。与采用传统CMOS工艺的模拟I..

概述 ADG1414是一款单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置八个采用工业CMOS(iCMOS?) 工艺{此为我们的注册商标；是否要在此处提及：“...ADI公司开发的…工艺”？}设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。 iCMOS 器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并缩减封装尺寸。 ADG1414是一组八通道单刀..

概述 ADG1414是一款单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置八个采用工业CMOS(iCMOS?) 工艺{此为我们的注册商标；是否要在此处提及：“...ADI公司开发的…工艺”？}设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。 iCMOS 器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并缩减封装尺寸。 ADG1414是一组八通道单刀..

概述 ADG1414是一款单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置八个采用工业CMOS(iCMOS?) 工艺{此为我们的注册商标；是否要在此处提及：“...ADI公司开发的…工艺”？}设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。 iCMOS 器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并缩减封装尺寸。 ADG1414是一组八通道单刀..

概述 ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电..

概述 ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电..

概述 ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电..

概述 ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源..

概述 ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源..

概述 ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS?工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源..

概述 ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS? 工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不但可以承..

概述 ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS? 工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不但可以承..

概述 ADG1408/ADG1409均为单芯片 iCMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1408根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1409根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 工业CMOS (iCMOS)是一..

概述 ADG1408/ADG1409均为单芯片 iCMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1408根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1409根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 工业CMOS (iCMOS)是一..