概述 ADG1334是一款单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选单刀双掷（SPDT）开关。 当这些开关接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，等于电源电压的信号电平被阻止。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 较快的开关速度及高信号带宽，使之适合视频信号切换应..

概述 ADG1334是一款单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选单刀双掷（SPDT）开关。 当这些开关接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，等于电源电压的信号电平被阻止。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。 较快的开关速度及高信号带宽，使之适合视频信号切换应..

概述 ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1312则要求逻辑1。ADG1313有两个开关的数字控制逻辑与ADG1..

概述 ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1312则要求逻辑1。ADG1313有两个开关的数字控制逻辑与ADG1..

概述 ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1312则要求逻辑1。ADG1313有两个开关的数字控制逻辑与ADG1..

概述 ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1312则要求逻辑1。ADG1313有两个开关的数字控制逻辑与ADG1..

概述 ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1312则要求逻辑1。ADG1313有两个开关的数字控制逻辑与ADG1..

概述 ADG1308和ADG1309均为单芯片模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1308根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1309根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 当这些开关接通时，各开关在两个方向的导电性能..

概述 ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS?工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压..

概述 ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS?工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压..

概述 ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS?工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压..

概述 ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS?工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压..

概述 ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS?模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。 所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1233和ADG1234器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。..

概述 ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS?模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。 所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1233和ADG1234器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。..

概述 ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS?模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。 所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。该器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电..

概述 ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS?模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。 所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。该器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电..

概述 ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源..

概述 ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源..

概述 ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS 器件不但可以承受高..

概述 ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS 器件不但可以承受高..