概述 ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。 该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热致输出电压滞后和低长期输出电压漂移也提高了寿命和温度范围内的系统精度。 950 μA的最大..

概述 ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。 该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热致输出电压滞后和低长期输出电压漂移也提高了寿命和温度范围内的系统精度。 950 μA的最大..

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概述 ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。 该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热致输出电压滞后和低长期输出电压漂移也提高了寿命和温度范围内的系统精度。 950 μA的最大..

概述 ADR44x系列是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用ADI公司的温度漂移曲线校正和XFET（外加离子注入场效应管）专利技术，ADR44x的电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密..

概述 ADR44x系列是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用ADI公司的温度漂移曲线校正和XFET（外加离子注入场效应管）专利技术，ADR44x的电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密..

概述 ADR44x系列是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用ADI公司的温度漂移曲线校正和XFET（外加离子注入场效应管）专利技术，ADR44x的电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密..

概述 ADR44x系列是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用ADI公司的温度漂移曲线校正和XFET（外加离子注入场效应管）专利技术，ADR44x的电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密..

概述 ADR44x是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR44x电压随温度变化的非线性度大幅降至最小。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光纤网络和医疗应用中的精密信..

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概述 ADR44x是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR44x电压随温度变化的非线性度大幅降至最小。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光纤网络和医疗应用中的精密信..

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