ADR441ARMZ发布日期：2019/1/15 点击：144概述 ADR44x系列是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用ADI公司的温度漂移曲线校正和XFET（外加离子注入场效应管）专利技术，ADR44x电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密信..
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概述 ADR44x是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR44x电压随温度变化的非线性度大幅降至最小。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光纤网络和医疗应用中的精密信..
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概述 ADR44x是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR44x电压随温度变化的非线性度大幅降至最小。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光纤网络和医疗应用中的精密信..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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