- ADR433ARMZ发布日期：2019/1/15 点击：311
概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
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概述 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)..
查看详情 - ADR423ARZ-REEL7发布日期：2019/1/14 点击：255
概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..
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概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..
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概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..
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