概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..

概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..

概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..

概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..

概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..

概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..

概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..

概述 ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR42x具有出色的噪声性能、..

概述 ADR390/ADR391/ADR392/ADR395分别是2.5 V、4.096 V和5 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR39x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。先进的设计无需外部电容，可进一步..

概述 ADR391/ADR392/ADR395分别是2.5 V\4.096 V和5 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用Analog Devices, Inc.（简称ADI）的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR39x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压..

概述 ADR390/ADR391/ADR392/ADR395分别是2.048 V、2.5 V、4.096 V和5 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR39x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。先进的设计无需外..

概述 ADR390/ADR391/ADR392/ADR395分别是2.048 V、2.5 V、4.096 V和5 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR39x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。先进的设计无需外..

概述 ADR390/ADR391/ADR392/ADR395分别是2.048 V、2.5 V、4.096 V和5 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR39x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。先进的设计无需外..

概述 ADR391/ADR392/ADR395分别是2.5 V\4.096 V和5 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用Analog Devices, Inc.（简称ADI）的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR39x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压..

概述 ADR391/ADR392/ADR395分别是2.5 V\4.096 V和5 V精密带隙基准电压源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。该系列基准电压源利用Analog Devices, Inc.（简称ADI）的温度漂移曲率校正专利技术，可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR39x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压..

概述 ADR380和ADR381分别是2.048 V和2.500 V精密带隙基准电压源，具有高精度、高稳定性、低功耗和小尺寸特性。利用温度漂移曲率校正专利技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。宽电源电压范围和低功耗特性，使这些器件非常适合3 V至5 V电池供电应用。 ADR380和ADR381均为微功耗、低压差(LDV)器件，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。两款..

概述 ADR380和ADR381分别是2.048 V和2.500 V精密带隙基准电压源，具有高精度、高稳定性、低功耗和小尺寸特性。利用温度漂移曲率校正专利技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。宽电源电压范围和低功耗特性，使这些器件非常适合3 V至5 V电池供电应用。 ADR380和ADR381均为微功耗、低压差(LDV)器件，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。两款..

概述 ADR380和ADR381分别是2.048 V和2.500 V精密带隙基准电压源，具有高精度、高稳定性、低功耗和小尺寸特性。利用温度漂移曲率校正专利技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。宽电源电压范围和低功耗特性，使这些器件非常适合3 V至5 V电池供电应用。 ADR380和ADR381均为微功耗、低压差(LDV)器件，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压。两款..

概述 ADR360/ADR361/ADR363/ADR364/ADR365/ADR366分别是2.048 V、2.5 V、3.0 V、4.096 V、5.0 V和3.3 V精密带隙基准电压源 ， 具有低功耗、高精度和小尺寸特性 。 该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术 ， 可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR36x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅..

概述 ADR360/ADR361/ADR363/ADR364/ADR365/ADR366分别是2.048 V、2.5 V、3.0 V、4.096 V、5.0 V和3.3 V精密带隙基准电压源 ， 具有低功耗、高精度和小尺寸特性 。 该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术 ， 可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR36x系列为微功耗、低压差基准电压源，可利用仅..