概述 HMC589AST89E是一款InGaP HBT增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至4 GHz，采用业界标准SOT89E封装。该放大器可用作可级联50 ? RF或IF增益级以及LO或PA驱动器，输出功率高达+19 dBm P1dB，适合蜂窝/3G、FWA、CATV、微波无线电和测试设备应用。HMC589AST89E提供20 dB增益，+33 dBm输出IP3 (1 GHz)，..

概述 HMC625BLP5E是一款数字控制可变增益放大器，工作频率范围为DC至5 GHz，可编程为以0.5 dB步长提供13.5 dB衰减至18 dB增益范围内的任意值。HMC625BLP5E在最大增益状态下的噪声系数为6 dB，任意状态下的输出IP3高达+32 dBm。双模控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入或6位并行字。HMC625BLP5E还提供用户可选上电状态和串行输出端口，..

概述 HMC952ALP5GE是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为8至14 GHz。该放大器提供32 dB增益，+34.5 dBm饱和输出功率，+6V电源电压(26% PAE)。HMC952ALP5GE的IP3高达+43 dBm，非常适合线性应用，比如要求+34.5dBm有效饱和输出功率的点对点以及点对多点无线电或SATCOM应用。RF..

概述 The HMC7585LG is fully integrated System in Package (SiP) in phase/quadrature (I/Q) upconverter that operates from 81 GHz to 86 GHz. The device uses an image rejection mixer that is driven by a 6 ×..

概述 The HMC7584LG is fully integrated System in Package (SiP) in phase/quadrature (I/Q) upconverter that operates between an IF input frequency range of DC to 2 GHz and an RF output frequency range of ..

概述 HMC8401是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC8401是一款宽带低噪声放大器，工作频率范围为DC至28 GHz.该放大器提供14.5 dB增益、1.5 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和16.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），同时功耗为60 mA（采用7.5 V电源时）。HMC8401还具有增益控制选项VGG2。..

概述 HMC589AST89E是一款InGaP HBT增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至4 GHz，采用业界标准SOT89E封装。该放大器可用作可级联50 ? RF或IF增益级以及LO或PA驱动器，输出功率高达+19 dBm P1dB，适合蜂窝/3G、FWA、CATV、微波无线电和测试设备应用。HMC589AST89E提供20 dB增益，+33 dBm输出IP3 (1 GHz)，..

概述 HMC-ALH310是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为37至42 GHz。 HMC-ALH310具有22 dB小信号增益、3.5 dB噪声系数和+12 dBm输出功率（1 dB压缩），采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺，..

概述 HMC8121是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)可变增益放大器和/或驱动器放大器，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8121提供高达22 dB的增益、20 dBm输出P1dB、27.5 dBm OIP3和21 dBm PSAT，采用4 V电源供电时功耗仅为265 mA。 提供两个增益控制电压（VCTL1和VCTL2）以实现..

概述 HMC8120是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)可变增益放大器和/或驱动器放大器，工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC8120提供高达22 dB的增益、21 dBm输出P1dB、30 dBm OIP3和22 dBm PSAT，采用4 V电源供电时功耗仅为250 mA。 提供两个增益控制电压（VCTL1和VCTL2）以实现高达..

概述 HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和22 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。..

概述 HMC8118是一款集成E频段的砷化镓(GaAs) 单芯片微波集成电路(MMIC)同相和正交(I/Q)上变频器芯片，工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC8118在整个频段内提供11 dB小信号转换增益和33 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者，输入可使用针对..

概述 HMC7587是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和30 dBc边带抑制性能。 该器件采用低噪声放大器，后接由6倍倍频器驱动的图像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器。 可针对直接变频应用提供差分I和Q..

概述 HMC7543是一款集成式E波段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)中等功率放大器，集成温度补偿型片上功率检波器，工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC7543提供21.5 dB增益、25 dBm输出功率（1 dB压缩）和26.5 dBm饱和输出功率（20%功率附加效率(PAE)），采用4 V电源供电。 HMC7543提供出色的线性度并针对E频..

概述 HMC618ALP3E是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G基站前端接收机，工作频率范围为1.2 - 2.2 GHz。 该放大器经过优化，采用+5V单电源时提供0.75 dB的噪声系数、19 dB的增益和+36 dBm的输出IP3。 提供出色的输入和输出回损性能，LNA仅需极少的外部匹配和偏置去耦元件。 HMC618ALP3E与HMC6..

概述 HMC455LP3(E)是一款高输出的IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1?2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器仅使用最小数量的外部元件，提供13 dB的增益，在PAE为56%时提供+28 dBm的饱和功率，使用单个+5 Vdc电压电源。 由于具有+42 dBm的高输出IP3，再结合1.4:1的低VSWR，因此HMC455LP3(E)..

概述 HMC450QS16G(E)是一款高效GaAs InGaP HBT中等功率MMIC放大器，工作频率范围为800至1000 MHz。 该放大器采用低成本16引脚的表面贴装封装，提供与更高频段HMC413QS16G 1.6 - 2.3 GHz PA相同的引脚排列和功能。它只需极少的外部元件，提供26 dB的增益、+40 dBm的OIP3、+28.5 dBm的饱和功率，使用+5V电源电压。 可以使..

概述 HMC390LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为3.55至3.9 GHz。 采用3V单电源(42 mA)时，输出功率为4.7 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm..

概述 HMC382LP3(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机，工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 该LNA经过优化，在+5V单电源时提供1 dB的噪声系数、17 dB的增益和+30 dBm的输出IP3。 HMC382LP3(E)具有外部可调电源电流，设计人员可针对每个应用调整LNA的线性度性能。 特点 噪声系数： 1 dB..

概述 HMC3587LP3BE是一款HBT增益模块MMIC放大器，工作频率范围为4 GHz至10 GHz，采用3x3 mm QFN SMT塑料封装。 该多功能放大器可在50 Ohm应用中用作IF或RF增益级。 HMC3587LP3BE提供14.5 dB的增益、+13 dBm的输出P1dB，噪声系数仅为3.5 dB。 特点 高输出IP3： +25 dBm 单正电源： +5V 低噪声系数： 3.5 d..