概述 HMC384LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色。 采用3V电源电压时，输出功率为3.5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。 特点 Pout: +3.5 dBm ..

概述 HMC382LP3(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机，工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 该LNA经过优化，在+5V单电源时提供1 dB的噪声系数、17 dB的增益和+30 dBm的输出IP3。 HMC382LP3(E)具有外部可调电源电流，设计人员可针对每个应用调整LNA的线性度性能。 特点 噪声系数： 1 dB..

概述 HMC376LP3和HMC376LP3E为GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机，工作频率范围为700至1000 MHz。 该放大器经过优化，在+5V单电源时提供0.7 dB的噪声系数、15 dB的增益和+36 dBm的输出IP3。 HMC376LP3(E)具有外部可调电源电流，设计人员可针对每个应用调整LNA的线性度性能。 对于要求改善噪声系..

概述 HMC372LP3(E)是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机，工作频率范围为700至1000 MHz。 该放大器经过优化，在+5V单电源时(100 mA)提供1 dB的噪声系数、15 dB的增益和+34 dBm的输出IP3。 输入和输出回损分别为25和14 dB，LNA仅需四个外部元件，即可优化RF输入匹配、RF接地和直流偏置。 对于要..

概述 HMC356LP3(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站和移动无线电前端接收机，工作频率范围为350至550 MHz。 该LNA经过优化，在+5V单电源时(104 mA)提供1 dB的噪声系数、17 dB的增益和+38 dBm的输出IP3。 输入和输出回损为15 dB（典型值），LNA仅需四个外部元件，即可优化RF输入匹配、RF接地..

概述 HMC327MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为3至4 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和热性能。 它采用极少的外部元件提供21 dB增益，饱和功率为+30 dBm（45% PAE时），电源电压为+5V。 当放大器不用时，可使用省电功能以节省功耗。 特点 增益： 21 dB 饱和..

概述 HMC326MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC驱动器放大器，工作频率范围为3至4.5 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和热性能。 该放大器的增益为21 dB，饱和功率为+26 dBm，电源电压为+5V。 当放大器不用时，可使用省电功能以节省功耗。 内部电路匹配经优化后PAE超过40%。 特点 Psat ..

概述 HMC313(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC放大器，采用Vcc单电源工作。 表面贴装SOT26放大器可用作宽带增益级，或用于针对窄带应用优化的外部匹配。 Vcc偏置为+5V，HMC313(E)提供17 dB的增益和+15 dBm的饱和功率，同时所需电流仅为50 mA。 “应用笔记”部分提供的“HMC313偏置和阻抗匹配技术”应用笔记描述了窄带工作建议。 ..

概述 HMC960LP4E是一款数字可编程双通道可变增益放大器。 该器件支持0到40 dB分立式增益步进，步长为精确的0.5 dB。 该器件采用无毛刺架构，具有出色的平滑增益跃迁性能。 器件的匹配增益路径提供宽信号带宽内出色的正交平衡。 HMC960LP4E提供SPI可编程输入阻抗（默认为100Ω差分或400Ω差分）。 HMC960LP4E的外部控制共模输出特性使其具有灵活的输出接口，能与信号路径..

概述 HMC753是一款GaAs MMIC低噪声宽带放大器，采用无引脚4x4 mm塑料表贴封装。 该放大器的工作频率范围为1至11 GHz，提供高达16.5 dB的小信号增益、1.5 dB噪声系数及+30 dBm输出IP3，同时采用+5V电源的功耗仅55 mA。 高达+18 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC753还具有隔直的I/O，内部匹配5..

概述 HMC741是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω RF或IF增益级，也可用作PA或LO驱动器，输出功率高达+18.5 dBm。 200 MHz时，HMC741具有20 dB的增益和+42 dBm的输出IP3，并可直接采用+5V电源供电。 HMC741在整个温度范..

概述 HMC636ST89(E)是一款GaAs PHEMT、高线性度、低噪声、宽带增益模块放大器，工作频率范围为0.2至4.0 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω增益级、PA前置驱动器、低噪声放大器或增益模块，输出功率高达+23 dBm。 这款多功能增益模块放大器采用+5V单电源供电，无需外部匹配元器件。 内部匹配拓扑使该放大器兼容几乎全部PCB材料或厚度。 特点 低..

概述 HMC407MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为5至7 GHz。 该放大器无需外部匹配亦可工作，从而在输入和输出端实现真正的50 Ohm匹配性能。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 该放大器提供15 dB增益，饱和功率为+29 dBm（28% PAE时），电源电压为+5V。 当..

概述 ADF7242是一款高度集成的低功耗、高性能收发器，在全球通用的2.4 GHz ISM频段工作。其设计注重灵活性、鲁棒性、易用性和低功耗特性。在数据包和数据流两种模式下，该IC均支持IEEE 802.15.4-2006 2.4 GHz PHY要求和专有GFSK/FSK/GMSK/MSK调制方案。而且只需极少的外部元件，该器件就能达到下列标准：FCC CFR47 Part 15、ETSI EN..

概述 ADF7025是一款低功耗、高度集成的FSK收发器，可在免执照ISM频段的433 MHz、862 MHz至870 MHz以及902 MHz至928 MHz下工作。它适用于符合欧洲ETSI EN300-220或北美FCC (Part 15)监管标准的工作环境。该器件主要用于宽带、高数据速率应用，偏移频率范围为100 kHz至750 kHz，数据速率范围为9.6 kbps至384 kbps。完整..

概述 ADF7023-J是一款极低功耗、高性能、高度集成的2FSK/GFSK/MSK/GMSK收发器，设计工作频段为902 MHz至958 MHz，涵盖950 MHz的ARIB标准T96频段。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。 发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频率为基频的两倍，可减少杂散发射。接收和发..

概述 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器，这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbp..

概述 ADF7021-V是一款基于 ADF7021-N的高性能、低功率、窄带RF收发器，其架构与ADF7021-N相似，不同之处在于片内RF频率合成器采用了一个外部VCO，适合要求提高相位噪声性能的应用。 ADF7021-V可在免执照ISM频段以及80 MHz至960 MHz特许执照频段内工作。 为了尽量降低RF馈通和杂散发射，外部VCO以2倍或4倍的所需RF频率工作；ADF7021-V最高支持1..

概述 ADF7021-N是一款基于ADF7021的高性能、低功率、窄带收发器，拥有9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz的中频滤波器带宽，完全符合各种全球窄带通信标准，尤其是那些要求12.5 kHz通道分离的标准。 ADF7021-N可在窄带、免执照ISM频段以及80 MHz至650 MHz和842 MHz至916 MHz频率范围的特许执照频段内工作。该器件具有高斯和升余弦两种发送数据滤波..

概述 ADF7021-N是一款基于ADF7021的高性能、低功率、窄带收发器，拥有9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz的中频滤波器带宽，完全符合各种全球窄带通信标准，尤其是那些要求12.5 kHz通道分离的标准。 ADF7021-N可在窄带、免执照ISM频段以及80 MHz至650 MHz和842 MHz至916 MHz频率范围的特许执照频段内工作。该器件具有高斯和升余弦两种发送数据滤波..