概述 HMC639ST89(E)是一款GaAs PHEMT、高线性度、低噪声、宽带增益模块放大器，工作频率范围为0.2至4.0 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω增益级、PA前置驱动器、低噪声放大器或增益模块，输出功率高达+22 dBm。 这款多功能增益模块放大器采用+5V单电源供电，无需外部匹配元器件。 该放大器具有内部匹配拓扑，能与几乎一切印刷电路板材料随时对接，..

概述 HMC599ST89(E)是一款GaAs pHEMPT高线性度、低噪声增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为50 MHz至960 MHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联75 Ω RF或IF增益级，以及输出功率高达+19 dBm的PA或LO驱动器。 HMC599ST89(E)具有14 dB增益以及+39 dBm输出IP3 (250 MHz)，可直接采用+3V或+5V电..

概述 HMC531LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC531LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+7 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振荡..

概述 HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源时，输出功率为+13.5 dBm（典型值）。该电压控制振荡器采用无引脚QFN 5x5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。 特点..

概述 HMC506LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 该VCO在7.8至8.7 GHz的频率下工作，由于振荡器的单芯片结构，其相位噪声性能在不同的温度、冲击、振动条件下均非常出色。 功率输出为+14 dBm（典型值），采用+3V单电源，功耗77 mA。 该电压控制振荡器采用无引脚QFN 4x4 m..

概述 HMC505LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 该VCO在6.8至7.4 GHz的频率下工作，由于振荡器的单芯片结构，其相位噪声性能在不同的温度、冲击、振动条件下均非常出色。 功率输出为+11 dBm（典型值），采用+3V单电源，功耗80 mA。 该电压控制振荡器采用无引脚QFN 4x4 ..

概述 HMC480ST89(E)是一款InGaP HBT增益模块MMIC SMT放大器，在DC至5 GHz的频率下工作，采用行业标准SOT89封装。 该放大器能够用作可级联50 Ohm RF/IF增益级，以及LO或PA驱动器，最高达到+20 dBm P1dB输出功率，适合蜂窝/3G、FWA、CATV、微波无线电和测试设备应用。 HMC480ST89(E)提供19 dB的增益，在1 GHz频率下具有..

概述 HMC457QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1瓦特MMIC功率放大器，在1.7至2.2 GHz的频率下工作。 该放大器采用微型16引脚QSOP塑料封装，其增益在1.7至2.0 GHz频率下通常为27 dB，在2.0至2.2 GHz频率下通常为25 dB。 它仅使用极小数量的外部元件，其输出IP3可以优化为+45 dBm。 可以利用功率控制(V..

概述 HMC455LP3(E)是一款高输出的IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1?2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器仅使用最小数量的外部元件，提供13 dB的增益，在PAE为56%时提供+28 dBm的饱和功率，使用单个+5 Vdc电压电源。 由于具有+42 dBm的高输出IP3，再结合1.4:1的低VSWR，因此HMC455LP3(E)..

概述 HMC450QS16G(E)是一款高效GaAs InGaP HBT中等功率MMIC放大器，工作频率范围为800至1000 MHz。 该放大器采用低成本16引脚的表面贴装封装，提供与更高频段HMC413QS16G 1.6 - 2.3 GHz PA相同的引脚排列和功能。它只需极少的外部元件，提供26 dB的增益、+40 dBm的OIP3、+28.5 dBm的饱和功率，使用+5V电源电压。 可以使..

概述 HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为4.9至5.9 GHz。 该放大器采用低成本、无铅表面贴装封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益，饱和功率为+26 dBm（34% PAE时），电源电压为+3V。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 对于+15 dBm..

概述 HMC414MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为2.2至2.8 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益，饱和功率为+30 dBm（32% PAE时），电源电压为+5V。 该放大器还可采用3.6V电源工作。 Vpd可用于全省电模式或RF..

概述 HMC409LP4(E)是一款高效率GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器，工作频率范围为3.3至3.8 GHz。 该放大器采用低成本、无铅SMT封装。 它采用最少的外部元件，提供31 dB增益，饱和功率为+32.5 dBm，电源电压为+5V。 功率控制(Vpd)可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 对于+22 dBm OFDM输出功率(64 QAM, 54 Mbps)，HM..

概述 HMC408LP3(E)是一款5.1 - 5.9 GHz高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)功率放大器MMIC，提供+30 dBm P1dB。 该放大器提供20 dB增益，饱和功率为+32.5 dBm，电源电压为+5V (27% PAE)。 输入内部匹配至50 Ohms，输出需极少的外部元件。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 该放大器采用低成本、3x3 m..

概述 HMC406MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)MMIC功率放大器，工作频率范围为5至6 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供17 dB增益，饱和功率为+29 dBm（38% PAE时），电源电压为+5V。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 特点 增益： 17 dB..

概述 HMC391LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为3.9至4.45 GHz。 采用+3V单电源(30mA)时，输出功率为5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面..

概述 HMC390LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为3.55至3.9 GHz。 采用3V单电源(42 mA)时，输出功率为4.7 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm..

概述 HMC388LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为3.15至3.4 GHz。 采用3V单电源(39mA)时，输出功率为4.9 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表..

概述 HMC386LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为2.6至2.8 GHz。 采用3V单电源(35mA)时，输出功率为5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装..

概述 HMC385LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为2.25至2.5 GHz。 采用3V单电源(35mA)时，输出功率为4.5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表..