概述 HMC327MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为3至4 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和热性能。 它采用极少的外部元件提供21 dB增益，饱和功率为+30 dBm（45% PAE时），电源电压为+5V。 当放大器不用时，可使用省电功能以节省功耗。 特点 增益： 21 dB 饱和..

概述 HMC789ST89E是一款高线性度GaAs InGaP HBT增益模块MMIC，工作频率范围为0.7至2.8 GHz，采用业界标准SOT89封装。 该放大器仅使用极小数量的外部元件和+5V单电源工作，其输出IP3可以优化为+45 dBm。 高输出IP3和高增益使HMC789ST89E非常适合蜂窝/4G和固定无线环境下的PA驱动器和前置驱动器应用。 特点 高输出IP3： +42 dBm 高输..

概述 HMC753是一款GaAs MMIC低噪声宽带放大器，采用无引脚4x4 mm塑料表贴封装。 该放大器的工作频率范围为1至11 GHz，提供高达16.5 dB的小信号增益、1.5 dB噪声系数及+30 dBm输出IP3，同时采用+5V电源的功耗仅55 mA。 高达+18 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC753还具有隔直的I/O，内部匹配5..

概述 HMC741是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω RF或IF增益级，也可用作PA或LO驱动器，输出功率高达+18.5 dBm。 200 MHz时，HMC741具有20 dB的增益和+42 dBm的输出IP3，并可直接采用+5V电源供电。 HMC741在整个温度范..

概述 HMC740是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω RF或IF增益级，也可用作PA或LO驱动器，输出功率高达+18 dBm。 100 MHz时，HMC740具有15 dB的增益和+40 dBm的输出IP3，并可直接采用+5V电源供电。 HMC740在整个温度范围内..

概述 HMC7357是一款三级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为5.5至8.5 GHz。 该放大器的增益为29 dB，饱和输出功率为+35 dBm，PAE为34%，电源电压为+8V。 HMC7357提供+41.5 dBm的出色输出IP3性能，非常适合线性应用，比如高容量点对点和点对多点无线电或VSAT/SATCOM应用——这类应用要求具有+35 dBm的高效饱和输出功率。..

概述 HMC639ST89(E)是一款GaAs PHEMT、高线性度、低噪声、宽带增益模块放大器，工作频率范围为0.2至4.0 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω增益级、PA前置驱动器、低噪声放大器或增益模块，输出功率高达+22 dBm。 这款多功能增益模块放大器采用+5V单电源供电，无需外部匹配元器件。 该放大器具有内部匹配拓扑，能与几乎一切印刷电路板材料随时对接，..

概述 HMC636ST89(E)是一款GaAs PHEMT、高线性度、低噪声、宽带增益模块放大器，工作频率范围为0.2至4.0 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω增益级、PA前置驱动器、低噪声放大器或增益模块，输出功率高达+23 dBm。 这款多功能增益模块放大器采用+5V单电源供电，无需外部匹配元器件。 内部匹配拓扑使该放大器兼容几乎全部PCB材料或厚度。 特点 低..

概述 HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源时，输出功率为+13.5 dBm（典型值）。该电压控制振荡器采用无引脚QFN 5x5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。 特点..

概述 HMC506LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 该VCO在7.8至8.7 GHz的频率下工作，由于振荡器的单芯片结构，其相位噪声性能在不同的温度、冲击、振动条件下均非常出色。 功率输出为+14 dBm（典型值），采用+3V单电源，功耗77 mA。 该电压控制振荡器采用无引脚QFN 4x4 m..

概述 HMC454ST89(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1?2瓦特MMIC放大器，在0.4至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器采用低成本的行业标准SOT89封装，在0.8至1.0 GHz频率下的增益通常为17.8 dB，在1.8至2.2 GHz频率下的增益通常为12.5 dB。 它仅使用极小数量的外部元件和单个+5V电源，其输出IP3可以优化为+40 ..

概述 HMC414MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为2.2至2.8 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益，饱和功率为+30 dBm（32% PAE时），电源电压为+5V。 该放大器还可采用3.6V电源工作。 Vpd可用于全省电模式或RF..

概述 HMC407MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为5至7 GHz。 该放大器无需外部匹配亦可工作，从而在输入和输出端实现真正的50 Ohm匹配性能。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 该放大器提供15 dB增益，饱和功率为+29 dBm（28% PAE时），电源电压为+5V。 当..

概述 HMC376LP3和HMC376LP3E为GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机，工作频率范围为700至1000 MHz。 该放大器经过优化，在+5V单电源时提供0.7 dB的噪声系数、15 dB的增益和+36 dBm的输出IP3。 HMC376LP3(E)具有外部可调电源电流，设计人员可针对每个应用调整LNA的线性度性能。 对于要求改善噪声系..

概述 HMC356LP3(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站和移动无线电前端接收机，工作频率范围为350至550 MHz。 该LNA经过优化，在+5V单电源时(104 mA)提供1 dB的噪声系数、17 dB的增益和+38 dBm的输出IP3。 输入和输出回损为15 dB（典型值），LNA仅需四个外部元件，即可优化RF输入匹配、RF接地..

概述 HMC313(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC放大器，采用Vcc单电源工作。 表面贴装SOT26放大器可用作宽带增益级，或用于针对窄带应用优化的外部匹配。 Vcc偏置为+5V，HMC313(E)提供17 dB的增益和+15 dBm的饱和功率，同时所需电流仅为50 mA。 “应用笔记”部分提供的“HMC313偏置和阻抗匹配技术”应用笔记描述了窄带工作建议。 ..

概述 HMC356LP3(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站和移动无线电前端接收机，工作频率范围为350至550 MHz。 该LNA经过优化，在+5V单电源时(104 mA)提供1 dB的噪声系数、17 dB的增益和+38 dBm的输出IP3。 输入和输出回损为15 dB（典型值），LNA仅需四个外部元件，即可优化RF输入匹配、RF接地..

概述 HMC531LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC531LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+7 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振荡..

概述 HMC618ALP3E是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G基站前端接收机，工作频率范围为1.2 - 2.2 GHz。 该放大器经过优化，采用+5V单电源时提供0.75 dB的噪声系数、19 dB的增益和+36 dBm的输出IP3。 提供出色的输入和输出回损性能，LNA仅需极少的外部匹配和偏置去耦元件。 HMC618ALP3E与HMC6..

概述 HMC7357是一款三级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为5.5至8.5 GHz。 该放大器的增益为29 dB，饱和输出功率为+35 dBm，PAE为34%，电源电压为+8V。 HMC7357提供+41.5 dBm的出色输出IP3性能，非常适合线性应用，比如高容量点对点和点对多点无线电或VSAT/SATCOM应用——这类应用要求具有+35 dBm的高效饱和输出功率。..