概述 HMC431LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用3V电源电压时，输出功率为2 dBm（典型值）。 电压控制振荡器采用低成本无引脚QFN 4x4 mm表贴封装。 特点 Pout：+2 dBm 相位噪声：-10..

概述 HMC430LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用3V电源电压时，输出功率为2 dBm（典型值）。 电压控制振荡器采用低成本无引脚QFN 4x4 mm表贴封装。 特点 Pout：+2 dBm 相位噪声：-10..

概述 HMC416LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为2.75至3.0 GHz。 采用3V单电源(37 mA)时，输出功率为4.5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm..

概述 HMC6789BLC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的12引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的镜像抑制性能。HMC6789BLC5A采用低噪声放大器驱动I/Q混频器，其中LO由x2乘法器驱动。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波..

概述 HMC443LP4(E)是一款有源微型x4倍频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+4 dBm（典型值），电源电压为5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制>25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪..

概述 HMC733LC4B是一款宽带MMIC压控振荡器，集成谐振器、负电阻器件和变容二极管。 由于该振荡器采用单芯片结构，因此在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 Vtune端口支持0至+22V的模拟调谐电压。 HMC733LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅为70 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO独一无二地集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等特性..

概述 HMC598是一款x2有源宽带倍频器芯片，采用GaAs PHEMT技术。 由+5 dBm信号驱动时，倍频器提供+15 dBm典型输出功率（22 GHz至46 GHz），30 GHz时的Fo和3Fo隔离分别为25 dBc和15 dBc。 HMC598非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频器链中使用，与传统设计方案相比，可以减少器件数量。 特点 高输出功率： +15 dBm 低输入功率驱动：..

概述 HMC6787ALC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q可变增益上变频器，采用无引脚RoHS兼容型SMT封装。 该器件提供11 dB小信号转换增益，具有17 dBc边带抑制和13 dB增益控制。 HMC6787ALC5A采用RF可变增益放大器，在其之前为一个I/Q混频器，LO由X2倍频器驱动。 提供IF1和IF2混频器输入，并且可通过外部90°混合选择所需边带。 I/Q混频器拓扑降低了..

概述 HMC6147ALC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无引脚RoHS兼容型SMT封装。 该器件提供13 dB小信号转换增益，具有25 dBc边带抑制。 HMC6147ALC5A采用低噪声放大器来驱动I/Q混频器，LO由X2倍频器驱动。 提供IF1和IF2混频器输入，并且可通过外部90°混合选择所需边带。 I/Q混频器拓扑降低了针对干扰边带进行滤波的要求。 HMC6147..

概述 HMC-C006是一款低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，封装在微型密封模块中，带有可更换的SMA连接器。 该器件在0.5至18 GHz的输入频率范围内工作，使用单个+5V直流电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-150 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 超低SSB相位噪声： -150 dBc/Hz 很宽的带宽 输出功率： -4..

概述 HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+6 dBm（典型值），电源电压为5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制>25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-136 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪..

概述 THMC732LC4B是一款宽带GaAs InGaP HBT MMIC压控振荡器，集成谐振器、负电阻器件和变容二极管。 由于该振荡器采用单芯片结构，因此在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 Vtune端口支持0至+23V的模拟调谐电压。 HMC732LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅为57 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO独一无二地集超小尺寸、低相..

概述 HMC588LC4B是一款宽带GaAs InGaP HBT MMIC电压控制振荡器，集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管。 由于振荡器的单芯片结构，其输出功率和相位噪声性能在不同的温度下始终非常出色。 Vtune端口接受0至+13V的模拟调谐电压。 HMC588LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅55 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO集超小尺寸、低相位噪声、低..

概述 HMC573LC3B是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs PHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+5 dBm信号驱动时，该倍频器提供+12 dBm的典型输出功率，在8至22 GHz的频率下工作。 在16 GHz的频率下，Fo和3Fo隔离分别为>20 dBc和>25 dBc。 HMC573LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法..

概述 HMC447LC3是一款低噪声4分频再生分频器，采用InGaP GaAs HBT技术。 这款宽带分频器的工作输入频率为10到26 GHz，可接受极宽范围的输入功率水平。 HMC447LC3具有-150 dBc/Hz的极低SSB相位噪声（100 kHz偏置时），非常适合在高频锁相环(PLL)中使用，以及一个系统中需要基波和分频LO频率的本振(LO)分配应用。 这款功能全面的分频器使用单个+5V..

概述 HMC1065LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC镜像抑制低噪声变频器，采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该器件提供13 dB的小信号转换增益，17 dBc的镜像抑制和-2 dBm输入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍频器驱动的I/Q混频器工作。 它具有IF1和IF2混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 I/Q混频器拓扑结构可以减少无用边..

概述 HMC-C070 MicroSynth?是一种完全集成式宽带合成器模块，将高性能SiGe、GaAs pHEMT和InGaP HBT技术集成到紧凑的密封封装中。 输出频率范围为5.5 GHz至10.5 GHz，平均输出功率为+21 dBm，足以驱动两个混频器。 在小数N分频模式下，HMC-C070可使步长低至1.2 Hz。 HMC-C070还带有完全集成的低噪声稳压器和输出缓冲放大器，从而提供..

概述 HMC942LP4E是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs pHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 Fo和3Fo隔离大于20 dBc（19 GHz）。 HMC942LP4E适合用于点对点和VSAT无线电的LO倍频链，相比传统方案可实现更少的器件数。 特点 高输出功率： +21..

概述 HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪声可编程分频器，采用3x3 mm无引脚表贴封装。 在400 MHz至6 GHz 输入频率范围内，该电路可编程并采用N = 1至N = 4分频。 该器件具有高电平输出功率（最高为6 dBm单端）、极低SSB相位噪声和50%占空比，非常适合低噪声时钟产生、LO生成和LO驱动应用。 通过可配置偏置和输出功率控制功能，可进行功耗和输出功率控制。 该..

概述 HMC794LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪声可编程分频器，采用3x3mm无引脚表贴封装。 在200 MHz至2 GHz 输入频率范围内，该电路可编程并采用N = 1至N = 4分频。 高电平输出功率（高达10 dBm）、极低SSB相位噪声和50%占空比使该器件非常适合低噪声时钟产生、LO生成和LO驱动应用。 可配置的偏置控制可将功耗降低20%。 特点 低噪底： -163 dBc/H..