概述 HMC1105是一款无源微型倍频器MMIC。 相对于输入信号电平，无用基波和高阶谐波抑制高达46 dB（典型值）。 该倍频器采用与Hittite MMIC混频器中相同的GaAs Schottky二极管/巴伦技术。 它尺寸小，无需直流偏置，且无需在倍增信号上增加可衡量的加性相位噪声。 特点 无源： 无需直流偏置 转换损耗： 12 dBm Fo隔离： 41 dB 3Fo隔离： 46 dB 裸片尺..

概述 HMC648A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为2.9 GHz至3.9 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC648A在所有相态具有1.2度至1.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC648A采用紧凑型6 mm x 6 mm塑料无铅SMT封装，内部匹配50 Ω，无需任何外部元件。 特点 ..

概述 components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为3 GHz至6 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC649A采用紧凑型6 mm x 6 mm无引脚SMT塑料封装，内部匹配50 Ω，无需任何外部元件。 特点 ..

概述 HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA，后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出，所..

概述 HMC1161是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)，具有半频输出。 由于振荡器采用单芯片结构，因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 采用5 V电源电压时，输出功率为11 dBm（典型值）。 VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装，无需外部匹配元件。 特点 双输出频率范围 fOUT = 8.71 GHz to 9.55 ..

概述 HMC1165是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)，具有半频输出。 由于振荡器采用单芯片结构，因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 采用5 V电源电压时，输出功率为8 dBm（典型值）。 VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装，无需外部匹配元件。 特点 双输出频率范围 fOUT = 11.07 GHz 至 11.62 ..

概述 HMC1161是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)，具有半频输出。 由于振荡器采用单芯片结构，因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 采用5 V电源电压时，输出功率为11 dBm（典型值）。 VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装，无需外部匹配元件。 特点 双输出频率范围 fOUT = 8.71 GHz to 9.55 ..

概述 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器，额定频率范围为2.5至3.1 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装，内部匹配50 Ohms，无需任何外部元件。 特点 ..

概述 HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 ..

概述 HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 ..

概述 HMC951B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件在整个频段范围内提供13 dB的小信号转换增益、2 dB的噪声系数和24 dB的镜像抑制性能。 HMC951B采用LNA，后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I和Q混频器输出，所需外部90混合..

概述 HMC370LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技术制造而成的有源微型x4倍频器，采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在5V电源电压下，功率输出为0 dBm（典型值）且相对输入功率、温度和电源电压变化很小。 相对于输入信号电平，无用基波和次谐波抑制大于22 dBc（典型值）。 100 kHz失调时，加性SSB相位噪声低至-140 dBc/Hz，可帮助用户保持良好的系统噪声性能。..

概述 HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪声可编程分频器，采用3x3 mm无引脚表贴封装。 在400 MHz至6 GHz 输入频率范围内，该电路可编程并采用N = 1至N = 4分频。 该器件具有高电平输出功率（最高为6 dBm单端）、极低SSB相位噪声和50%占空比，非常适合低噪声时钟产生、LO生成和LO驱动应用。 通过可配置偏置和输出功率控制功能，可进行功耗和输出功率控制。 该..

概述 HMC584LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC584LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+10 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该..

概述 HMC575LP4(E)是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs PHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由3 dBm信号驱动时，该倍频器提供+17 dBm的典型输出功率，在6至9 GHz的频率下工作。 相对于输出信号电平，Fo和3Fo隔离为15 dBc。 这款倍频器具有隔直的I/O，非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 10..

概述 HMC534LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC534LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+11 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该..

概述 HMC529LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC529LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+8 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振荡..

概述 HMC438MS8G(E)是一款低噪声5分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用低成本8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至7 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-153 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 SSB相位噪声： -153 dBc/Hz（100 kHz） 宽带宽 输出功..

概述 HMC437MS8G(E)是一款低噪声3分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用低成本8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至7 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-153 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 SSB相位噪声： -153 dBc/Hz（100KHz） 宽带宽 输出功率..

概述 HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-148 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 超低SSB相位噪声：-148 dBc..