概述 HMC430LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用3V电源电压时，输出功率为2 dBm（典型值）。 电压控制振荡器采用低成本无引脚QFN 4x4 mm表贴封装。 特点 Pout：+2 dBm 相位噪声：-10..

概述 HMC429LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 这款VCO在4.45至5.0 GHz的频率下运行，由于振荡器的单芯片结构，其相位噪声性能在不同的温度、冲击、振动和工艺条件下非常出色。 功率输出为4 dBm（典型值），使用3V、30mA的单电源。 电压控制振荡器采用低成本无引脚QFN 4x4..

概述 HMC416LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为2.75至3.0 GHz。 采用3V单电源(37 mA)时，输出功率为4.5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm..

概述 HMC389LP4和HMC389LP4E是GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为3.35至3.55 GHz。 采用3V单电源(41mA)时，输出功率为4.7 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN ..

概述 HMC370LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技术制造而成的有源微型x4倍频器，采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在5V电源电压下，功率输出为0 dBm（典型值）且相对输入功率、温度和电源电压变化很小。 相对于输入信号电平，无用基波和次谐波抑制大于22 dBc（典型值）。 100 kHz失调时，加性SSB相位噪声低至-140 dBc/Hz，可帮助用户保持良好的系统噪声性能。..

概述 HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技术的有源微型x2倍频器，提供3x3 mm无引脚QFN表贴封装。 功率输出为+4 dBm（典型值），单电源电压为+5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制为30 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪..

概述 HMC358MS8G(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用3V电源电压时，输出功率为11 dBm（典型值）。 电压控制振荡器采用低成本、表面贴装8引脚MSOP封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 特点 Po..

概述 HMC394LP4(E)是一款低噪声GaAs HBT可编程5位计数器，采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在输入频率高达2.2 GHz时，该器件可在N为2至32范围进行连续分频。 输出电压摆幅为800 mV，占空比与N成反比。100 kHz失调时，该计数器的加性SSB相位噪声低至?153 dBc/Hz，非常适合低噪声频率合成器应用。 特点 SSB相位噪声： -153 dBc/Hz（100 k..

概述 HMC586LC4B是一款宽带GaAs InGaP电压控制振荡器，集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管。 由于振荡器的单芯片结构，其输出功率和相位噪声性能在不同的温度下始终非常出色。 Vtune端口接受0至+18V的模拟调谐电压。 HMC586LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅55 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等..

概述 HMC438MS8G(E)是一款低噪声5分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用低成本8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至7 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-153 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 SSB相位噪声： -153 dBc/Hz（100 kHz） 宽带宽 输出功..

概述 HMC434(E)是一款低噪声8分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超级型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3.0V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-150 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 超低SSB相位噪声： -150 ..

概述 HMC433(E)是一款低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-150 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 超低SSB相位噪声：-150 dBc..

概述 HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-148 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 超低SSB相位噪声：-148 dBc..

概述 HMC431LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用3V电源电压时，输出功率为2 dBm（典型值）。 电压控制振荡器采用低成本无引脚QFN 4x4 mm表贴封装。 特点 Pout：+2 dBm 相位噪声：-10..

概述 HMC368LP4(E)是一款利用GaAs PHEMT技术制造而成的微型放大器倍频器，采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 由+2 dBm信号驱动时，该倍频器在9至16 GHz范围内提供+15 dBm的典型输出功率。 Fo和3Fo隔离为18 dB（典型值）。 100 kHz失调时，加性SSB相位噪声低至-140 dBc/Hz，可帮助用户保持良好的系统噪声性能。 HMC368LP4(E)非常适合..

概述 SSM2212是一款双通道NPN匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。 该器件具有极低的输入基极分布电阻（rbb典型值为28 ?）和高电流增益（IC= 1 mA时，hFE典型值超过600），可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比，它拥有卓越的性能。 电流增益的匹配（ΔhFE约为0.5%）且VOS低于50 μV（典型值），这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择，可抑制..

概述 SSM2212是一款双通道NPN匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。 该器件具有极低的输入基极分布电阻（rbb典型值为28 ?）和高电流增益（IC= 1 mA时，hFE典型值超过600），可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比，它拥有卓越的性能。 电流增益的匹配（ΔhFE约为0.5%）且VOS低于50 μV（典型值），这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择，可抑制..

概述 SSM2212是一款双通道NPN匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。 该器件具有极低的输入基极分布电阻（rbb典型值为28 ?）和高电流增益（IC= 1 mA时，hFE典型值超过600），可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比，它拥有卓越的性能。 电流增益的匹配（ΔhFE约为0.5%）且VOS低于50 μV（典型值），这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择，可抑制..

概述 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管，具有出色的参数匹配性能，适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括：在很宽的集电极电流范围内提供高增益（最小300）、低噪声（在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz）以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV，精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试，符合数据手册性能规格..

概述 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管，具有出色的参数匹配性能，适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括：在很宽的集电极电流范围内提供高增益（最小300）、低噪声（在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz）以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV，精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试，符合数据手册性能规格..