概述 HMC738是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和16分频预分频器。 由于振荡器采用单芯片结构，因此VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用5V电源电压时，输出功率为+9 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。 特点 Pout: +9 dBm 相位..

概述 HMC737是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管，并具有半频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+4.2V电源电压时，输出功率为+9 dBm（典型值）。 该压控振荡器采用无铅QFN 4x4 mm表贴封装，同时无需外部匹配元件。 特点 双路输出： Fo = 1..

概述 HMC736是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管，并具有半频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+4.2V电源电压时，输出功率为+9 dBm（典型值）。 该压控振荡器采用无铅QFN 4x4 mm表贴封装，同时无需外部匹配元件。 特点 双路输出： Fo = 1..

概述 HMC735是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管，并具有4分频频率输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+17 dBm（典型值）。 不使用时可禁用预分频器功能，以降低功耗。 该压控振荡器采用无铅QFN 5x5 mm表贴封装，同时无需..

概述 HMC734是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管，并具有4分频频率输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+18 dBm（典型值）。 不使用时可禁用预分频器功能，以降低功耗。 该压控振荡器采用无铅QFN 5x5 mm表贴封装，同时无需..

概述 HMC705LP4(E)是一款低噪声GaAs HBT可编程分频器，采用4x4 mm无引脚表贴封装。 该分频器可以通过编程设置为以N = 1到N = 17之间的任意数字进行分频（最高6.5 GHz）。 HMC705LP4E具有较高的工作频率并具有低相位噪底特性，非常适合高性能快速建立频率合成器架构。 HMC705LP4E可搭配Hittite鉴频鉴相器、VCO和PLL IC使用，从而实现低噪声、..

概述 HMC677器件是多功能BiCMOS控制接口集成电路(IC)，适合用来驱动场效应晶体管(FET)栅极和基于假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)的单芯片微波集成电路(MMIC)控制器件。 这款独特的IC可用来简化微波和毫米波发射/接收模块、军事子系统和多掷/多端口测试和测量设备的控制电路。 HMC677器件支持串行或并行数据，可驱动最多六组补充输出。 HMC677器件还提供额外的功能，比如上电..

概述 HMC632LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC632LP5(E)集成谐振器、负电阻器件、变容二极管，并具有半频和四分频输出。 由于振荡器采用单芯片结构，因此VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，功率输出典型值为+9 dBm。 不使用时可禁用预分频器和RF/2功能，以降低功耗。 压控振荡器采用..

概述 HMC584LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC584LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+10 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该..

概述 HMC583LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC583LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+11 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该..

概述 HMC575LP4(E)是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs PHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由3 dBm信号驱动时，该倍频器提供+17 dBm的典型输出功率，在6至9 GHz的频率下工作。 相对于输出信号电平，Fo和3Fo隔离为15 dBc。 这款倍频器具有隔直的I/O，非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 10..

概述 HMC534LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC534LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+11 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该..

概述 HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可提供16分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，该VCO的相位噪声性能在不同的温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+12 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振荡..

概述 HMC532LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 该VCO在7.1至7.9 GHz的频率下工作，由于振荡器的单芯片结构，其相位噪声性能在不同的温度、冲击、振动条件下均非常出色。 功率输出为+14 dBm（典型值），采用+3V单电源，功耗85 mA。 该电压控制振荡器采用无引脚QFN 4x4 ..

概述 HMC529LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC529LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+8 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振荡..

概述 HMC515LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC515LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+10 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振..

概述 HMC466LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 该VCO在6.1至6.72 GHz的频率下工作，由于振荡器的单芯片结构，其相位噪声性能在不同的温度、冲击、振动和工艺条件下非常出色。 功率输出为4.5 dBm（典型值），采用3V单电源（31mA）。 电压控制振荡器采用低成本无引脚QFN 4x4 ..

概述 HMC445LP4(E)是一款有源微型x16倍频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+7 dBm（典型值），电源电压为5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制>25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-130 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统..

概述 HMC443LP4(E)是一款有源微型x4倍频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+4 dBm（典型值），电源电压为5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制>25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪..

概述 HMC437MS8G(E)是一款低噪声3分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用低成本8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至7 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-153 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 SSB相位噪声： -153 dBc/Hz（100KHz） 宽带宽 输出功率..