概述 LTC4380IMS-1#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380IDD-4#PBF低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流..

概述 LTC4380IDD-3#PBF低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流..

概述 LTC4380HMS-4#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380HMS-3#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380HMS-2#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380HMS-1#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380HDD-4#PBF低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流..

概述 LTC4380HDD-3#PBF低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流..

概述 LTC4380HDD-2#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380HDD-1#PBF低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流..

概述 LTC4380CMS-4#PBF低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流..

概述 LTC4380CMS-3#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380CMS-2#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380CMS-1#PBF低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流..

概述 LTC4380CDD-4#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380CDD-3#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4380CDD-2#PBF低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流..

概述 LTC4380CDD-1#PBF 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过..

概述 LTC4366MPTS8-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一..