LTC4366MPTS8-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：概述 LTC4366MPTS8-2#TRMPBF浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情- LTC4366MPTS8-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366MPTS8-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一..
查看详情 - LTC4366MPTS8-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366MPTS8-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一..
查看详情 - LTC4366MPTS8-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366MPTS8-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一..
查看详情 - LTC4366MPDDB-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366MPDDB-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一..
查看详情 - LTC4366MPDDB-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366MPDDB-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一..
查看详情 - LTC4366MPDDB-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366MPDDB-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一..
查看详情 - LTC4366MPDDB-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366MPDDB-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一..
查看详情 - LTC4366ITS8-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366ITS8-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366ITS8-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366ITS8-2#TRMPBF浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个可..
查看详情 - LTC4366ITS8-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366ITS8-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366ITS8-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366ITS8-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366ITS8-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366ITS8-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366ITS8-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366ITS8-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366IDDB-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366IDDB-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366IDDB-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366IDDB-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366IDDB-2#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366IDDB-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366IDDB-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366IDDB-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情 - LTC4366IDDB-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366IDDB-1#TRMPBF浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个可..
查看详情 - LTC4366IDDB-1#TRMPBF发布日期：2018/10/24 点击：
概述 LTC4366IDDB-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..
查看详情
产品类别
- 个人防护装备（PPE） 光纤和配件 六角，螺丝刀 其它工具 冲杆 刀，刀片 切割工具 剥线器和配件 化学品，清洁剂 压接器，施用器，压力机 压接器，施用器，压力机 - 配件 各类工具套件 套筒，套筒手柄 扳手 插入，抽取 插口 - 装置 模具組 热风枪喷枪 - 配件 真空 穿孔工具，刀片，配件 线束枪和配件 绕接线 老虎钳 螺丝和螺母起子 - 刀头、刀片和手柄 螺线形绕线，伸缩套管 螺钉和螺母驱动器 螺钉和螺母驱动器 - 装置 配件 钳子 钻孔机、钩、镊子、探针、调节工具 铆固工具 锤子 镊子 闪光灯
-
推荐型号
- 专用 传感器 - 配件 传感器接口 - 接线盒 传感器电缆 - 配件 保护继电器和系统 其它 凸轮定位器 工业设备 控制器 - PLC 模块 控制器 - 处理，温度 控制器 - 机械安全 控制器 - 液体，液面 控制器 - 电缆组件 控制器 - 可编程逻辑（PLC） 控制器 - 配件 机器视觉 - 控制/处理 机器视觉 - 摄像头/传感器 机器视觉 - 照明 机器视觉 - 配件 机器视觉 - 镜头 气动，液压 照明控制 照明控制 - 配件 监视器 - 电流/电压 - 继电器输出 监视器 - 电流/电压传感器 配件 面板仪表 面板仪表 - 计数器，小时计 面板式仪表 - 配件 未分类
-
推荐型号
-
推荐型号
- RF 其它 IC 和模块 RF 前端（LNA + PA） RF 功率分配器/分线器 RF 双工器 RF 发射器 RF 天线 RF 定向耦合器 RF 屏蔽 RF 开关 RF 接收器 RF 接收器，发射器及收发器的成品装置 RF 收发器 IC RF 收发器模块 RF 放大器 RF 检测器 RF 模具产品 RF 混频器 RF 电源控制器 IC RF 解调器 RF 评估和开发套件，板 RF 调制器 RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 RFID 发射应答器，标签 RFID 天线 RFID 评估和开发套件及电路板 RFID 读取模块 RFID配件 RFID，RF 接入，监控 IC RF配件 平衡-不平衡变压器 衰减器
-
推荐型号
- LED 套件 五金套件 传感器套件 光学 - 光导管套件 光纤套件 其它 分立元件分类套件 原型板套件 - 无孔 变压器套件 射频屏蔽板套件 开关套件 晶体套件 滤波器套件 热敏电阻套件 热缩管套件 电位计套件 电容器套件 电感器套件 电路保护 - 分类套件 电路保护套件 - TVS 二极管 电路保护套件 - 熔丝 电阻器套件 线缆扎带套件 线缆组件 线缆，导线 - 单芯导线 缓冲器，支脚，焊盘，握把套件 胶带套件 过时/停产零件编号 连接器套件 连接器适配器套件 配件 集成电路（IC）套件 静态控制套件 音频套件 电感器套件
-
推荐型号
- FET - 单 FET - 阵列 IGBT - 单路 IGBT - 模块 IGBT - 阵列 JFET（结点场效应 RF FET RF 二极管 RF 晶体管（BJT） SCR - 单个 SCR - 模块 二极管/齐纳阵列 二极管，整流器 - 阵列 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 功率驱动器 - 模块 单二极管/整流器 单二极管/齐纳 双向可控硅 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 可编程单结晶体管（PUT） 数据采集 - ADCs/DAC - 专用型 晶体管 - 专用型 晶体管（BJT） - 单路 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 晶体管（BJT） - 阵列 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式 桥式整流器 配件
-
推荐型号
- LCD 边框 LED - 垫片，支座 LED - 灯更换 LED - 电路板指示器，阵列，发光条，条形图 LED LED 散热产品 LED Lighting Kits LED 指示 - 分立 LED 照明 - COB，引擎，模块 LED 照明 - 彩色 LED 照明 - 白色 光学 - 光导管 光学 - 反射镜 光学 - 镜头 光学元件 - 非接触式荧光粉 光纤 - 发射器 - 离散式 光纤 - 发射器 - 驱动器集成电路 光纤 - 开关，多路复用器，多路分解器 光纤 - 接收器 光纤 - 收发器模块 光纤 - 衰减器 反相器 可寻址，专用 显示器模块 - LCD，OLED 字符和数字 显示器模块 - LED 字符与数字 显示器模块 - LED 点阵和簇 显示器模块 - 真空荧光（VFD） 显示器，监视器 - 接口控制器 智能，智慧，发光二极管，显示器，图形 氙气灯照明 激光二极管 灯 - 冷阴极荧光（CCFL） 和 UV 灯 - 白炽灯，氖灯 电致发光 红外，UV，可见光发射器 触摸屏覆盖层 配件 面板指示器，指示灯
-
推荐型号
.jpg)
