概述 LTC4366HTS8-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..

概述 LTC4366HTS8-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..

概述 LTC4366HDDB-1#TRMPBF浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个可..

概述 LTC4366HDDB-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..

概述 LTC4366CTS8-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..

概述 LTC4366CTS8-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..

概述 LTC4366CTS8-1#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..

概述 LTC4366CDDB-2#TRMPBF 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个..

概述 LTC4366CDDB-2#TRMPBF浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离 LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和 MOSFET 的额定规格。 一个可..

概述 LTC4364IS-2#PBF 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC43..

概述 LTC4364IS-1#PBF 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC43..

概述 LTC4364IMS-2#PBF浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC43..

概述 LTC4364IMS-1#PBF 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC4..

概述 LTC4364IDE-2#PBF 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC4..

概述 LTC4364IDE-1#PBF 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC4..

概述 LTC4364HS-2#PBF 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC43..

概述 LTC4364HS-1#PBF 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC43..

概述 LTC4364HMS-2#PBF浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC43..

概述 LTC4364HMS-1#PBF浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC43..

概述 LTC4364HDE-2#PBF 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC4..