概述 LTC3856EUH 是一款单路输出、双通道、多相、同步降压型 DC/DC 控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 级。该器件内置了一个高速差分放大器，负责执行远端输出电压检测。通过使两个控制器输出级异相运作，最大限度地降低了功率损失和电源噪声，并能够实现多达 12 相的操作。 LTC3856EUH 通过检测输出电感器 (DCR) 两端的电压降或使用一个检测电阻器来监视输出电流。DC..

概述 LTC3856EFE 是一款单路输出、双通道、多相、同步降压型 DC/DC 控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 级。该器件内置了一个高速差分放大器，负责执行远端输出电压检测。通过使两个控制器输出级异相运作，最大限度地降低了功率损失和电源噪声，并能够实现多达 12 相的操作。 LTC3856EFE 通过检测输出电感器 (DCR) 两端的电压降或使用一个检测电阻器来监视输出电流。DC..

概述 LTC3855IUJ 是一款双通道、多相 (PolyPhase?)、电流模式、同步降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 级。该器件内置了一个高速差分远端采样放大器。最大电流检测电压可针对 30mV、50mV 或 70mV 进行设置，因而允许使用电感器 DCR 或一个分立的检测电阻器作为检测元件。 LTC3855IUJ 具有一个精准的 0.6V 基准，并能够产生高达 1..

概述 LTC3855EUJ 是一款双通道、多相 (PolyPhase?)、电流模式、同步降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 级。该器件内置了一个高速差分远端采样放大器。最大电流检测电压可针对 30mV、50mV 或 70mV 进行设置，因而允许使用电感器 DCR 或一个分立的检测电阻器作为检测元件。 LTC3855EUJ 具有一个精准的 0.6V 基准，并能够产生高达 1..

概述 LTC3855EFE 是一款双通道、多相 (PolyPhase?)、电流模式、同步降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET 级。该器件内置了一个高速差分远端采样放大器。最大电流检测电压可针对 30mV、50mV 或 70mV 进行设置，因而允许使用电感器 DCR 或一个分立的检测电阻器作为检测元件。 LTC3855EFE 具有一个精准的 0.6V 基准，并能够产生高达 1..

概述 LTC3854IDDB 是一款高性能同步降压型开关 DC/DC 控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。 LTC3854IDDB采用一种 400kHz 恒定频率电流模式架构。LTC3854IDDB 可在 4.5V 至 38V (绝对最大值为 40V) 的输入电压范围内运作，并在 0.8V 至 5.5V 的范围内调节输出电压。 RUN/SS 引脚提供了软起动和启用功能。OP..

概述 LTC3854EDDB 是一款高性能同步降压型开关 DC/DC 控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。 LTC3854EDDB 采用一种 400kHz 恒定频率电流模式架构。LTC3854EDDB 可在 4.5V 至 38V (绝对最大值为 40V) 的输入电压范围内运作，并在 0.8V 至 5.5V 的范围内调节输出电压。 RUN/SS 引脚提供了软起动和启用功能。O..

概述 LTC3853MPUJ 是一款高性能、三路输出、降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使输出级异相运作，最大限度地降低了功率损耗和电源噪声。如果需要，可将该器件配置为一个双相控制器和一个单相控制器。另外，这款器件还可通过配置来提供单个三相输出，以输送更高的输出电流。 4.5V 至 24V (最大值为 28V) 的宽输入电压电源范围囊括了大多数电池化学组成和..

概述 LTC3853IUJ 是一款高性能、三路输出、降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使输出级异相运作，最大限度地降低了功率损耗和电源噪声。如果需要，可将该器件配置为一个双相控制器和一个单相控制器。另外，这款器件还可通过配置来提供单个三相输出，以输送更高的输出电流。 4.5V 至 24V (最大值为 28V) 的宽输入电压电源范围囊括了大多数电池化学组成和中..

概述 LTC3853HUJ 是一款高性能、三路输出、降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使输出级异相运作，最大限度地降低了功率损耗和电源噪声。如果需要，可将该器件配置为一个双相控制器和一个单相控制器。另外，这款器件还可通过配置来提供单个三相输出，以输送更高的输出电流。 4.5V 至 24V (最大值为 28V) 的宽输入电压电源范围囊括了大多数电池化学组成和中..

概述 LTC3853EUJ 是一款高性能、三路输出、降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使输出级异相运作，最大限度地降低了功率损耗和电源噪声。如果需要，可将该器件配置为一个双相控制器和一个单相控制器。另外，这款器件还可通过配置来提供单个三相输出，以输送更高的输出电流。 4.5V 至 24V (最大值为 28V) 的宽输入电压电源范围囊括了大多数电池化学组成和中..

概述 LTC3852IUDD 是一款恒定频率、电流模式、降压型 DC/DC 控制器，可由一个板上充电泵来供电。输入电源电压低至 2.7V，当利用充电泵实现倍增时可向 LTC3852IUDD 的控制逻辑电路及栅极驱动器提供 5V 电压，因而能支持各种各样的逻辑电平 N 沟道功率 MOSFET。 恒定频率电流模式架构可提供一个高达 750kHz 的可锁相固定频率。RUN 提供了一个精准的使能门限，而 ..

概述 LTC3852EUDD 是一款恒定频率、电流模式、降压型 DC/DC 控制器，可由一个板上充电泵来供电。输入电源电压低至 2.7V，当利用充电泵实现倍增时可向 LTC3852EUDD 的控制逻辑电路及栅极驱动器提供 5V 电压，因而能支持各种各样的逻辑电平 N 沟道功率 MOSFET。 恒定频率电流模式架构可提供一个高达 750kHz 的可锁相固定频率。RUN 提供了一个精准的使能门限，而 ..

概述 LTC3851IMSE-1 是一款高性能同步降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 750kHz 的可锁相频率。 OPTI-LOOP 补偿的运用容许在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3851IMSE-1 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电源良好指示器。一个 4V 至 38V (绝对最大值..

概述 LTC3851EUD-1 是一款高性能同步降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 750kHz 的可锁相频率。 OPTI-LOOP 补偿的运用容许在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3851EUD-1 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电源良好指示器。一个 4V 至 38V (绝对最大值为 ..

概述 LTC3851IUD 是一款高性能同步降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 750kHz 的可锁相频率。 OPTI-LOOP 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3851IUD 具有一个精准的 0.8V 基准，该基准与一个 4V 至 38V 的宽输入电源范围相兼容。 TK/SS..

概述 LTC3851IMSE 是一款高性能同步降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 750kHz 的可锁相频率。 OPTI-LOOP 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3851IMSE 具有一个精准的 0.8V 基准，该基准与一个 4V 至 38V 的宽输入电源范围相兼容。 TK/..

概述 LTC3851IGN 是一款高性能同步降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 750kHz 的可锁相频率。 OPTI-LOOP 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3851IGN 具有一个精准的 0.8V 基准，该基准与一个 4V 至 38V 的宽输入电源范围相兼容。 TK/SS..

概述 LTC3851EUD 是一款高性能同步降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 750kHz 的可锁相频率。 OPTI-LOOP 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3851EUD 具有一个精准的 0.8V 基准，该基准与一个 4V 至 38V 的宽输入电源范围相兼容。 TK/SS..

概述 LTC3851EMSE 是一款高性能同步降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构提供了一个高达 750kHz 的可锁相频率。 OPTI-LOOP 补偿的运用能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3851EMSE 具有一个精准的 0.8V 基准，该基准与一个 4V 至 38V 的宽输入电源范围相兼容。 TK/..