概述LTC3832-1ES8 是专为 3.3V-5V 至 0.6V-3.xV 降压应用而优化的高功率、高效率开关稳压控制器。一个精准的内部基准和反馈系统在整个温度、负载电流和输入线路电压变化范围内提供 ±1% 输出调节准确度。LTC3832-1ES8 采用一种同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测..

概述LTC3830ES8 是专为 3.3V-5V 至 1.xV-3.xV 降压应用而优化的高功率、高效率开关稳压控制器。一个精准的内部基准和反馈系统在整个温度、负载电流和输入线路电压变化范围内提供 ±1% 输出调节准确度。LTC3830ES8 采用一种同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻器的..

概述LTC3830ES是专为 3.3V-5V 至 1.xV-3.xV 降压应用而优化的高功率、高效率开关稳压控制器。一个精准的内部基准和反馈系统在整个温度、负载电流和输入线路电压变化范围内提供 ±1% 输出调节准确度。LTC3830ES采用一种同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提..

概述LTC3830EGN 是专为 3.3V-5V 至 1.xV-3.xV 降压应用而优化的高功率、高效率开关稳压控制器。一个精准的内部基准和反馈系统在整个温度、负载电流和输入线路电压变化范围内提供 ±1% 输出调节准确度。LTC3830EGN采用一种同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻器的情..

概述LTC3830-1ES8是专为 3.3V-5V 至 1.xV-3.xV 降压应用而优化的高功率、高效率开关稳压控制器。一个精准的内部基准和反馈系统在整个温度、负载电流和输入线路电压变化范围内提供 ±1% 输出调节准确度。LTC3830-1ES8采用一种同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻..

概述LTC3829IUHF 是一款高性能、三相、单路输出、同步降压型 DC/DC 开关控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 770kHz 的可锁相频率。通过使三个控制器输出级异相运作，最大限度地降低了由于输入电容器的 ESR 所引起的功率损失和噪声。 LTC3829IUHF 可针对 6 相操作进行配置，具有 DCR 温度补偿和输出折返电流限..

概述LTC3829IFE 是一款高性能、三相、单路输出、同步降压型 DC/DC 开关控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 770kHz 的可锁相频率。通过使三个控制器输出级异相运作，最大限度地降低了由于输入电容器的 ESR 所引起的功率损失和噪声。 LTC3829IFE 可针对 6 相操作进行配置，具有 DCR 温度补偿和输出折返电流限制功..

概述LTC3829EUHF 是一款高性能、三相、单路输出、同步降压型 DC/DC 开关控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 770kHz 的可锁相频率。通过使三个控制器输出级异相运作，最大限度地降低了由于输入电容器的 ESR 所引起的功率损失和噪声。 LTC3829EUHF 可针对 6 相操作进行配置，具有 DCR 温度补偿和输出折返电流限..

概述LTC3829EFE 是一款高性能、三相、单路输出、同步降压型 DC/DC 开关控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 770kHz 的可锁相频率。通过使三个控制器输出级异相运作，最大限度地降低了由于输入电容器的 ESR 所引起的功率损失和噪声。 LTC3829EFE 可针对 6 相操作进行配置，具有 DCR 温度补偿和输出折返电流限制功..

概述LTC3828EUH 是一款双通道、高性能、降压型开关稳压器控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 550kHz 的可锁相频率。TRCKSS 引脚提供了软起动和跟踪功能。在那些需要跟踪两个以上电压的应用中，可以采用菊链方式将多个 LTC3828EUH 连接起来使用。 OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数..

概述LTC3828EG 是一款双通道、高性能、降压型开关稳压器控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 550kHz 的可锁相频率。TRCKSS 引脚提供了软起动和跟踪功能。在那些需要跟踪两个以上电压的应用中，可以采用菊链方式将多个 LTC3828EG 连接起来使用。 OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范..

概述LTC3827EUH 是一款高性能双通道降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相操作，最大限度地降低了因输入电容器 ESR 所产生的功率损耗和噪声。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ES..

概述LTC3827IG-1 是一款高性能双通道降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相操作，最大限度地降低了因输入电容器 ESR 所产生的功耗和电源噪声。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ..

概述LTC3827EG-1 是一款高性能双通道降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相操作，最大限度地降低了因输入电容器 ESR 所产生的功耗和电源噪声。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ..

概述LTC3826EUH 是一款高性能双通道降压型开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相操作，最大限度地降低了因输入电容器 ESR 所产生的功率损耗和噪声。 30uA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ES..

概述LTC3824MPMSE 是一款降压型 DC/DC 控制器，专为驱动一个外部 P 沟道 MOSFET 而设计。凭借一个 4V 至 60V 的宽输入范围和一个高电压栅极驱动器，LTC3824MPMSE 成为许多工业和汽车高功率应用的合适之选。恒定频率电流模式操作实现了卓越的性能。 LTC3824MPMSE 可以被配置为执行突发模式操作。突发模式操作提升了低电流效率 (静态电流仅为 40μA)，并..

概述LTC3824IMSE 是一款降压型 DC/DC 控制器，专为驱动一个外部 P 沟道 MOSFET 而设计。凭借一个 4V 至 60V 的宽输入范围和一个高电压栅极驱动器，LTC3824IMSE 成为许多工业和汽车高功率应用的合适之选。恒定频率电流模式操作实现了卓越的性能。 LTC3824IMSE可以被配置为执行突发模式操作。突发模式操作提升了低电流效率 (静态电流仅为 40μA)，并延长了电..

概述LTC3824HMSE 是一款降压型 DC/DC 控制器，专为驱动一个外部 P 沟道 MOSFET 而设计。凭借一个 4V 至 60V 的宽输入范围和一个高电压栅极驱动器，LTC3824HMSE 成为许多工业和汽车高功率应用的合适之选。恒定频率电流模式操作实现了卓越的性能。 LTC3824HMSE可以被配置为执行突发模式操作。突发模式操作提升了低电流效率 (静态电流仅为 40μA)，并延长了电..

概述LTC3824EMSE 是一款降压型 DC/DC 控制器，专为驱动一个外部 P 沟道 MOSFET 而设计。凭借一个 4V 至 60V 的宽输入范围和一个高电压栅极驱动器，LTC3824EMSE 成为许多工业和汽车高功率应用的合适之选。恒定频率电流模式操作实现了卓越的性能。 LTC3824EMSE 可以被配置为执行突发模式操作。突发模式操作提升了低电流效率 (静态电流仅为 40μA)，并延长了..

概述LTC3823IUH 是一款同步降压型开关稳压控制器，具有真正的远端差分输出采样和输出电压上升/下降跟踪能力。其先进功能和高准确度基准非常适合于给高性能服务器、ASIC 和计算机存储系统供电。 LTC3823IUH 采用一种恒定接通时间、谷值电流模式控制架构，以提供非常低的占空比，而无需使用一个检测电阻器。其工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对输入电源电压中的变化进行补偿。一个内部锁相环允..