概述 LTC3838EUHF-1 是一款双通道、多相 (PolyPhase?) 同步降压型 DC/DC 开关稳压控制器。两个独立的通道用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。受控导通时间、谷值电流模式控制架构不仅可实现无时钟延迟的快速瞬态响应，而且还能在稳定负载条件下执行恒定频率开关操作。其专有的负载释放瞬变检测功能 (DTR) 显著地抑制了低输出电压条件下的过冲。 一个高精度内部基准可实现准确的..

概述 LTC3838IFE 是一款双通道、多相 (PolyPhase?) 同步降压型 DC/DC 开关稳压控制器。两个独立的通道用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。受控接通时间、谷值电流模式控制控制架构可在稳态操作中实现快速瞬态响应和恒定频率开关动作，并不受 VIN、VOUT 和负载电流的影响。其负载释放瞬变检测功能显著地抑制了低输出电压条件下的过冲。 差分输出电压检测以及一个高精度内部基准在..

概述 LTC3838EFE 是一款双通道、多相 (PolyPhase?) 同步降压型 DC/DC 开关稳压控制器。两个独立的通道用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。受控接通时间、谷值电流模式控制控制架构可在稳态操作中实现快速瞬态响应和恒定频率开关动作，并不受 VIN、VOUT 和负载电流的影响。其负载释放瞬变检测功能显著地抑制了低输出电压条件下的过冲。 差分输出电压检测以及一个高精度内部基准在..

概述 LTC3836EUFD 是一款具有跟踪功能的两相、双路输出同步降压型开关稳压控制器，可利用极少的外部元件来驱动外部 N 沟道功率 MOSFET。由于采用了恒定频率电流模式架构和 MOSFET VDS 检测，因而免除了增设检测电阻器的需要，并改善了效率。通过使两个控制器异相工作，最大限度地降低了由输入电容器的 ESR 所引起的功耗和噪声。脉冲跳跃操作在轻负载条件下提供了高效率。97% 的占空比..

概述 LTC3836EGN 是一款具有跟踪功能的两相、双路输出同步降压型开关稳压控制器，可利用极少的外部元件来驱动外部 N 沟道功率 MOSFET。由于采用了恒定频率电流模式架构和 MOSFET VDS 检测，因而免除了增设检测电阻器的需要，并改善了效率。通过使两个控制器异相工作，最大限度地降低了由输入电容器的 ESR 所引起的功耗和噪声。脉冲跳跃操作在轻负载条件下提供了高效率。97% 的占空比能..

概述 LTC3835IUFD 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3835IUFD 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电..

概述 LTC3835IFE 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3835IFE 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电源良..

概述 LTC3835EUFD 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3835EUFD 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电..

概述 LTC3835IGN-1 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和ESR数值范围内优化瞬态响应。LTC3835IDHC-1 具有一个精准的 0.8V 基准和一个..

概述 LTC3835IDHC-1 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和ESR数值范围内优化瞬态响应。LTC3835IDHC-1 具有一个精准的 0.8V 基准和一..

概述 LTC3835EGN-1 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 80μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和ESR数值范围内优化瞬态响应。LTC3835EGN-1 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电..

概述LTC3834IGN-1 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 30μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3834IGN-1 具有一个精准的 0.8V 基准。4V ..

概述LTC3834EGN-1 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 30μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3834EGN-1 具有一个精准的 0.8V 基准。4V ..

概述LTC3834IFE 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 30μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3834IFE 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电源良好..

概述LTC3834EUFD 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 30μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3834EUFD 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电源..

概述LTC3834EFE 是一款高性能降压型开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 650kHz 的可锁相频率。 30μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。OPTI-LOOP 补偿的运用使得能够在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内优化瞬态响应。LTC3834EFE 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电源良好..

概述LTC3833IUDC 是一款面向高功率应用的同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器。该器件用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。受控接通时间谷值电流模式架构在稳态操作中实现了快速瞬态响应及恒定频率切换，这与 VIN、VOUT 和负载电流无关。 差分输出电压检测功能与一个精准型内部基准相组合，提供了 ±0.67% 输出调节准确度以及对输出终端中源自线路损失并高达 ±500mV 的偏差进行校..

概述LTC3833EUDC 是一款面向高功率应用的同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器。该器件用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。受控接通时间谷值电流模式架构在稳态操作中实现了快速瞬态响应及恒定频率切换，这与 VIN、VOUT 和负载电流无关。 差分输出电压检测功能与一个精准型内部基准相组合，提供了 ±0.67% 输出调节准确度以及对输出终端中源自线路损失并高达 ±500mV 的偏差进行校..

概述LTC3833EFE 是一款面向高功率应用的同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器。该器件用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。受控接通时间谷值电流模式架构在稳态操作中实现了快速瞬态响应及恒定频率切换，这与 VIN、VOUT 和负载电流无关。 差分输出电压检测功能与一个精准型内部基准相组合，提供了 ±0.67% 输出调节准确度以及对输出终端中源自线路损失并高达 ±500mV 的偏差进行校正..

概述LTC3832EGN 是专为 3.3V-5V 至 0.6V-3.xV 降压应用而优化的高功率、高效率开关稳压控制器。一个精准的内部基准和反馈系统在整个温度、负载电流和输入线路电压变化范围内提供 ±1% 输出调节准确度。LTC3832EGN 采用一种同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻器的..