- LTC3803IS6-5发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3803IS6-5 是一款恒定频率、电流模式、反激式控制器,专为在高输入电压应用中驱动 N 沟道 MOSFET 而优化。LTC3803IS6-5 可在输入低至 5 V 的条件下运作。恒定频率操作一直保持到负载非常轻的条件下,从而在一个很宽的负载电流范围内产生较少的低频噪声。斜率补偿可利用一个外部电阻器来设置。 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度,且静态电流消耗仅为 240μA。参考于地..
查看详情 - LTC3803ES6-5发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3803ES6-5 是一款恒定频率、电流模式、反激式控制器,专为在高输入电压应用中驱动 N 沟道 MOSFET 而优化。LTC3803ES6-5 可在输入低至 5 V 的条件下运作。恒定频率操作一直保持到负载非常轻的条件下,从而在一个很宽的负载电流范围内产生较少的低频噪声。斜率补偿可利用一个外部电阻器来设置。 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度,且静态电流消耗仅为 240μA。参考于地..
查看详情 - LTC3803HS6-5发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3803HS6-5 是一款恒定频率、电流模式、反激式控制器,专为在高输入电压应用中驱动 N 沟道 MOSFET 而优化。LTC3803HS6-5 可在输入低至 5 V 的条件下运作。恒定频率操作一直保持到负载非常轻的条件下,从而在一个很宽的负载电流范围内产生较少的低频噪声。斜率补偿可利用一个外部电阻器来设置。 LTC3803HS6-5 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度,且静态电流消耗..
查看详情 - LTC3803MPS6发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3803MPS6 是一款恒定频率、电流模式、反激式控制器,专为在高输入电压应用中驱动 6V 额定电压 N 沟道 MOSFET 而优化。恒定频率操作一直保持到负载非常轻的条件下,从而在一个很宽的负载电流范围内产生较少低频噪声。斜率补偿可以利用一个外部电阻器来设置。 LTC3803MPS6 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度,且静态电流消耗仅为 240μA。参考于地的电流检测使得基于 LT..
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概述LTC3803IS6 是一款恒定频率、电流模式、反激式控制器,专为在高输入电压应用中驱动 6V 额定电压 N 沟道 MOSFET 而优化。恒定频率操作一直保持到负载非常轻的条件下,从而在一个很宽的负载电流范围内产生较少低频噪声。斜率补偿可以利用一个外部电阻器来设置。 LTC3803IS6 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度,且静态电流消耗仅为 240μA。参考于地的电流检测使得基于 LTC3..
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概述LTC3803HS6 是一款恒定频率、电流模式、反激式控制器,专为在高输入电压应用中驱动 6V 额定电压 N 沟道 MOSFET 而优化。恒定频率操作一直保持到负载非常轻的条件下,从而在一个很宽的负载电流范围内产生较少低频噪声。斜率补偿可以利用一个外部电阻器来设置。 LTC3803HS6 提供了 ±1.5% 的输出电压准确度,且静态电流消耗仅为 240μA。参考于地的电流检测使得基于 LTC3..
查看详情 - LTC3801ES6发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3801ES6 是采用扁平 (最大高度仅 1mm) 6 引脚 SOT-23 (ThinSOT?) 封装的恒定频率电流模式降压型 DC/DC 控制器。这两款器件可提供卓越的 AC 和 DC 负载和电压调节性能以及 ±1.5% 的输出电压准确度。LTC3801ES6 在正常工作时仅消耗 195μA 静态电流,在无负载的条件下则降至16μA。 LTC3801ES6 具有欠压闭锁功能,可在输入电..
查看详情 - LTC3801BES6发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3801BES6 是采用扁平 (最大高度仅 1mm) 6 引脚 SOT-23 (ThinSOT?) 封装的恒定频率电流模式降压型 DC/DC 控制器。这两款器件可提供卓越的 AC 和 DC 负载和电压调节性能以及 ±1.5% 的输出电压准确度。LTC3801 在正常工作时仅消耗 195μA 静态电流,在无负载的条件下则降至16μA。 LTC3801BES6 具有欠压闭锁功能,可在输入电压..
查看详情 - LTC3789IUFD发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3789IUFD 是一款高性能、降压-升压型开关稳压控制器,可以在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下运作。该器件运用了恒定频率、电流模式架构,故可提供一个高达 600kHz 的可锁相频率,而一个输出电流反馈环路则提供了对电池充电的支持。凭借 4V 至 38V (最大值为 40V) 的宽输入和输出范围以及工作区之间的无缝和低噪声转换,LTC3789IUFD 成为了汽车、电信和电池供电..
查看详情 - LTC3789IGN发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3789IGN 是一款高性能、降压-升压型开关稳压控制器,可以在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下运作。该器件运用了恒定频率、电流模式架构,故可提供一个高达 600kHz 的可锁相频率,而一个输出电流反馈环路则提供了对电池充电的支持。凭借 4V 至 38V (最大值为 40V) 的宽输入和输出范围以及工作区之间的无缝和低噪声转换,LTC3789IGN 成为了汽车、电信和电池供电型系..
查看详情 - LTC3789EUFD发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3789EUFD 是一款高性能、降压-升压型开关稳压控制器,可以在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下运作。该器件运用了恒定频率、电流模式架构,故可提供一个高达 600kHz 的可锁相频率,而一个输出电流反馈环路则提供了对电池充电的支持。凭借 4V 至 38V (最大值为 40V) 的宽输入和输出范围以及工作区之间的无缝和低噪声转换,LTC3789EUFD 成为了汽车、电信和电池供电..
查看详情 - LTC3789EGN发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3789EGN是一款高性能、降压-升压型开关稳压控制器,可以在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下运作。该器件运用了恒定频率、电流模式架构,故可提供一个高达 600kHz 的可锁相频率,而一个输出电流反馈环路则提供了对电池充电的支持。凭借 4V 至 38V (最大值为 40V) 的宽输入和输出范围以及工作区之间的无缝和低噪声转换,LTC3789EGN 成为了汽车、电信和电池供电型系统..
查看详情 - LTC3788IUH发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3788IUH 是一款高性能、两相、双通道、同步升压型转换器控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流提升了效率、减少功率损失、并降低散热要求,从而使得 LTC3788IUH 能够在高功率升压应用中使用。 该器件运用了一种恒定频率电流模式架构,因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。OPTI-LOOP? 补偿允许在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内对..
查看详情 - LTC3788IGN-1发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3788IGN-1 是一款高性能、两相、双通道、同步升压型转换器控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流提升了效率、减少功率损失、并降低散热要求,从而使得 LTC3788IGN-1 能够在高功率升压应用中使用。 该器件运用了一种恒定频率电流模式架构,因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。OPTI-LOOP? 补偿允许在一个很宽的输出电容和 ESR 数值..
查看详情 - LTC3788EGN-1发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3788EGN-1 是一款高性能、两相、双通道、同步升压型转换器控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流提升了效率、减少功率损失、并降低散热要求,从而使得 LTC3788EGN-1 能够在高功率升压应用中使用。 该器件运用了一种恒定频率电流模式架构,因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。OPTI-LOOP? 补偿允许在一个很宽的输出电容和 ESR 数值..
查看详情 - LTC3787MPUFD发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3787MPUFD 是一款高性能、多相 (PolyPhase?)、单输出、同步升压型转换器控制器,用于异相驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 级。多相运作降低了输入和输出电容器要求,并允许使用比同类单相方案小的电感器。它所采用的同步整流提升了效率、减少了功率损失并降低了散热要求,从而实现了高功率升压应用。 一个 4.5V 至 38V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当..
查看详情 - LTC3787MPGN发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3787MPGN 是一款高性能、多相 (PolyPhase?)、单输出、同步升压型转换器控制器,用于异相驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 级。多相运作降低了输入和输出电容器要求,并允许使用比同类单相方案小的电感器。它所采用的同步整流提升了效率、减少了功率损失并降低了散热要求,从而实现了高功率升压应用。 一个 4.5V 至 38V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从..
查看详情 - LTC3787IUFD发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3787IUFD 是一款高性能、多相 (PolyPhase?)、单输出、同步升压型转换器控制器,用于异相驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 级。多相运作降低了输入和输出电容器要求,并允许使用比同类单相方案小的电感器。它所采用的同步整流提升了效率、减少了功率损失并降低了散热要求,从而实现了高功率升压应用。 一个 4.5V 至 38V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从..
查看详情 - LTC3787HUFD发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3787HUFD 是一款高性能、多相 (PolyPhase?)、单输出、同步升压型转换器控制器,用于异相驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 级。多相运作降低了输入和输出电容器要求,并允许使用比同类单相方案小的电感器。它所采用的同步整流提升了效率、减少了功率损失并降低了散热要求,从而实现了高功率升压应用。 一个 4.5V 至 38V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从..
查看详情 - LTC3787EUFD发布日期:2018/6/21 点击:
概述LTC3787EUFD 是一款高性能、多相 (PolyPhase?)、单输出、同步升压型转换器控制器,用于异相驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 级。多相运作降低了输入和输出电容器要求,并允许使用比同类单相方案小的电感器。它所采用的同步整流提升了效率、减少了功率损失并降低了散热要求,从而实现了高功率升压应用。 一个 4.5V 至 38V 的输入电源范围囊括了众多的系统架构和电池化学组成。当从..
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