概述LT1640ALCS8 是一种 8 引脚 Hot Swap? 热插拔负压控制器，它允许将电路板安全地从带电的背板中插入或拔出。通过控制外接 N 沟道调整管的栅极电压可将浪涌电流限制到设置值。若输入电压小于设置的欠压门限值或大于过压门限值，则调整管截止。可设置电子断路器能防止系统短路。PWRGD (LT1640AL) 或 PWRGD (LT1640AH) 信号可用来直接启动电源模块。 LT164..

概述LT1640AHCN8 是一种 8 引脚 Hot Swap? 热插拔负压控制器，它允许将电路板安全地从带电的背板中插入或拔出。通过控制外接 N 沟道调整管的栅极电压可将浪涌电流限制到设置值。若输入电压小于设置的欠压门限值或大于过压门限值，则调整管截止。可设置电子断路器能防止系统短路。PWRGD (LT1640AL) 或 PWRGD (LT1640AH) 信号可用来直接启动电源模块。LT1640..

概述LTC5100EUF是一款 3.2Gbps VCSEL 驱动器，其提供了前所未有的集成度和高速性能。该器件拥有全面的特性，以确保始终出色的眼图。数据输入是 AC 耦合的，因而免除了增设外部电容器的需要。 LTC5100EUF 具有一个 DC 耦合至激光器的精确控制 50Ω 输出，所以 IC 的安放位置是任意的。不需要耦合电容器、铁氧体磁珠或外部晶体管，从而简化了布局、缩减了电路板面积并降低了信..

概述LTC4449IDCB是一款高频栅极驱动器，专为驱动一个同步 DC/DC 转换器中的两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的轨至轨驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4449IDCB 具有一个用于输入逻辑电路的单独电源，以与控制器 IC 的信号摆幅相匹配。如果输入信号未被驱动，则 LTC4449IDCB 将启动一种停机模式，该模式把两个外部 MOSFET 全部关..

概述LTC4446IMS8E是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4446IMS8E用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其..

概述LTC4446EMS8E 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446EMS8E 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而..

概述LTC4444MPMS8E-5是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4444MPMS8E-5针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 LTC44..

概述LTC4444IMS8E-5是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4444IMS8E-5针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 LTC4444..

概述LTC4444IMS8E是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4444IMS8E针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 LTC4444IMS8..

概述LTC4444HMS8E-5是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4444HMS8E-5针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 LTC4444..

特点LTC4444EMS8E-5是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4444EMS8E-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 LTC444..

概述LTC4444EMS8E是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4444EMS8E 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 LTC4444EMS..

概述LTC4442IMS8E是一款高频栅极驱动器，专为利用一种同步降压型 DC/DC 转换器拓扑结构来驱动两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4442IMS8E具有一个用于输入逻辑电路的分离电源，以实现与控制器 IC 信号摆幅的匹配。如果输入信号未处于被驱动的状态，则 LTC4442IMS8E 将启动一种停机模式，该模式把两个..

概述LTC4442EMS8E 是一款高频栅极驱动器，专为利用一种同步降压型 DC/DC 转换器拓扑结构来驱动两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4442EMS8E 具有一个用于输入逻辑电路的分离电源，以实现与控制器 IC 信号摆幅的匹配。如果输入信号未处于被驱动的状态，则LTC4442EMS8E 将启动一种停机模式，该模式把两..

概述LTC4441IS8-1 是 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，能够提供高达 6A 的峰值输出电流。该芯片专为在高达 25V 的电源电压条件下运作而设计，并具有一个用于栅极驱动的可调线性稳压器。栅极驱动电压可设置在 5V 至 8V 之间。 LTC4441IS8-1 具有一个逻辑门限驱动器输入。可将该输入驱动至低于地电位或高于驱动器电源电压。该器件提供了一个双功能控制输入，用于停用驱动器或强制..

概述LTC4441IMSE 是 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，能够提供高达 6A 的峰值输出电流。该芯片专为在高达 25V 的电源电压条件下运作而设计，并具有一个用于栅极驱动的可调线性稳压器。栅极驱动电压可设置在 5V 至 8V 之间。 LTC4441IMSE 具有一个逻辑门限驱动器输入。可将该输入驱动至低于地电位或高于驱动器电源电压。该器件提供了一个双功能控制输入，用于停用驱动器或强制芯片..

概述LLTC4441ES8-1 是 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，能够提供高达 6A 的峰值输出电流。该芯片专为在高达 25V 的电源电压条件下运作而设计，并具有一个用于栅极驱动的可调线性稳压器。栅极驱动电压可设置在 5V 至 8V 之间。 LTC4441ES8-1 具有一个逻辑门限驱动器输入。可将该输入驱动至低于地电位或高于驱动器电源电压。该器件提供了一个双功能控制输入，用于停用驱动器或强..

概述LTC4441EMSE 是 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，能够提供高达 6A 的峰值输出电流。该芯片专为在高达 25V 的电源电压条件下运作而设计，并具有一个用于栅极驱动的可调线性稳压器。栅极驱动电压可设置在 5V 至 8V 之间。 LTC4441EMSE 具有一个逻辑门限驱动器输入。可将该输入驱动至低于地电位或高于驱动器电源电压。该器件提供了一个双功能控制输入，用于停用驱动器或强制芯片..

概述LTC4440IS6是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 60V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440IS6还能安全承受 80V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440IS6的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.85Ω 的输出阻抗。 LTC4440..

概述LTC4440IMS8E是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 60V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440ES6-5还能安全承受 80V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440IMS8E的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.85Ω 的输出阻抗。 L..