概述LTC1163CS8 三通道低电压 MOSFET 驱动器使得能够采用低至 1.8V 电源通过便宜的低 RDS(ON) N 沟道开关来切换电源或接地参考负载。LTC1165 具有反相输入，因而能在保持系统驱动极性的情况下直接替换 P 沟道 MOSFET 开关。LTC1163CS8 具有同相输入。 微功率操作 (具有 0.01μA 待用电流和 95μA 工作电流)，结合 1.8V 至 6V 的电源..

概述LTC1157CS8双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得能够通过一个低 RDS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需要采用 N 沟道开关，因为 P 沟道 MOSFET 在 VGS ≤ 3.3V 时不具备有保证的 RDS(ON)) 切换电源或接地参考负载。 LTC1157CS8 的内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上达 5.4V (比地电位高 8.7V)，从而全面地..

概述LTC1156CSW四通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (具有 16μA 待用电流和 95μA 工作电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片内集成了独立的过流检测功能电路，以在发生短路时提供自动停..

概述LTC1155IS8双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOSFET。微功率操作 (具有 8μA 待机电流和 85μA 工作电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片上集成了过流检测功能电路，以在发生短路时提供自动停机。可以增加..

概述LTC1155IN8 双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOSFET。微功率操作 (具有 8μA 待机电流和 85μA 工作电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片上集成了过流检测功能电路，以在发生短路时提供自动停机。可以增..

概述LTC1155CS8 双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOSFET。微功率操作 (具有 8μA 待机电流和 85μA 工作电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片上集成了过流检测功能电路，以在发生短路时提供自动停机。可以增..

概述LTC1155CN8 双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOSFET。微功率操作 (具有 8μA 待机电流和 85μA 工作电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片上集成了过流检测功能电路，以在发生短路时提供自动停机。可以增..

概述LTC1154HS8单通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA，工作电流为 85μA) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片上集成了可编程过流检测电路。可以增加一个延时，以防止在高浪涌电..

概述LTC1154CS8 单通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA，工作电流为 85μA) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片上集成了可编程过流检测电路。可以增加一个延时，以防止在高浪涌..

概述LT1910IS8是一款高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部元件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。 当内部漏极比较器检测到开关电流超过了预设水平时，开关被关断并确定一个故障标记。开关将在由一个外部定时电容器设定的一段时间里保持关断状态，随后自动尝试再起动。如果故障仍然存在，则该..

概述LT1910ES8 是一款高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部元件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。 当内部漏极比较器检测到开关电流超过了预设水平时，开关被关断并确定一个故障标记。开关将在由一个外部定时电容器设定的一段时间里保持关断状态，随后自动尝试再起动。如果故障仍然存在，则..

概述LT1336IS是一款成本效益型半桥式N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V (绝对最大值) 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。在 PWM 操作模式中，一个片内开关稳压器可保存自举电容器中的电荷，即使当接近和工作于 100% 占空比时也不例外。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特..

概述LT1336IN是一款成本效益型半桥式N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V (绝对最大值) 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。在 PWM 操作模式中，一个片内开关稳压器可保存自举电容器中的电荷，即使当接近和工作于 100% 占空比时也不例外。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特..

概述LT1336CS是一款成本效益型半桥式N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V (绝对最大值) 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。在 PWM 操作模式中，一个片内开关稳压器可保存自举电容器中的电荷，即使当接近和工作于 100% 占空比时也不例外。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特..

概述LT1336CN是一款成本效益型半桥式N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V (绝对最大值) 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。在 PWM 操作模式中，一个片内开关稳压器可保存自举电容器中的电荷，即使当接近和工作于 100% 占空比时也不例外。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特..

概述LT1166CS8是一款偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的 AB 类输出电流。当与外部晶体管相连接时，电路变成了一个单位增益电压跟随器。LT1166CS8非常适合于驱动功率 MOSFET 器件，因为它免除了所有的静态电流调节和至关紧要的晶体管匹配。可以并联多个采用LT1166CS8的输出级以获得较高的输出电流。 由于该偏置系统通过采用一个小的外部检测电阻器来检测每个功率晶体管中的电流，因此..

概述LT1166CN8是一款偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的 AB 类输出电流。当与外部晶体管相连接时，电路变成了一个单位增益电压跟随器。LT1166CN8非常适合于驱动功率 MOSFET 器件，因为它免除了所有的静态电流调节和至关紧要的晶体管匹配。可以并联多个采用LT1166CN8的输出级以获得较高的输出电流。 由于该偏置系统通过采用一个小的外部检测电阻器来检测每个功率晶体管中的电流，因此..

概述LT1162CSW 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。 在低供电电压或..

概述LT1161ISW是一款四通道高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道，这些通道各包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部组件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。 另外，在每个开关通道中还包括一个用于检测开关电流的漏极检测比较器。当开关电流超过预设水平时，开关被关断。开关将在由一个外部定时电容器设..

概述LT1161IN是一款四通道高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道，这些通道各包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部组件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。 另外，在每个开关通道中还包括一个用于检测开关电流的漏极检测比较器。当开关电流超过预设水平时，开关被关断。开关将在由一个外部定时电容器设定..