概述LT1161CSW是一款四通道高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道，这些通道各包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部组件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。 另外，在每个开关通道中还包括一个用于检测开关电流的漏极检测比较器。当开关电流超过预设水平时，开关被关断。开关将在由一个外部定时电容器设..

概述LT1161CN是一款四通道高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道，这些通道各包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部组件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。 另外，在每个开关通道中还包括一个用于检测开关电流的漏极检测比较器。当开关电流超过预设水平时，开关被关断。开关将在由一个外部定时电容器设定..

概述LT1160IS是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。 在低供电电压或启动..

概述LT1158ISW 上的单个输入引脚以一种图腾柱配置来同步地控制两个 N 沟道功率 MOSFET。由于内置了针对贯通电流的独特自适应保护电路，因而免除了对两个 MOSFET 的所有匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。 LT1158ISW中的一个连续电流限制环路负责调节上端功率 MOSFET 中的短路电流。允许采用较高的启动电流，只要 MOSFET VDS 不超过 1..

概述LT1158CSW上的单个输入引脚以一种图腾柱配置来同步地控制两个 N 沟道功率 MOSFET。由于内置了针对贯通电流的独特自适应保护电路，因而免除了对两个 MOSFET 的所有匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。 LT1158CSW中的一个连续电流限制环路负责调节上端功率 MOSFET 中的短路电流。允许采用较高的启动电流，只要 MOSFET VDS 不超过 1...

概述LT1158CN上的单个输入引脚以一种图腾柱配置来同步地控制两个 N 沟道功率 MOSFET。由于内置了针对贯通电流的独特自适应保护电路，因而免除了对两个 MOSFET 的所有匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。 LT1158CN 中的一个连续电流限制环路负责调节上端功率 MOSFET 中的短路电流。允许采用较高的启动电流，只要 MOSFET VDS 不超过 1.2..

概述LTC4290CIUJ芯片组是 8 端口供电设备 (PSE) 控制器，专为在符合 IEEE 802.3at Type 1 和 Type 2 规范 (高功率) 的以太网供电 (PoE) 系统中使用而设计。变压器隔离型通信协议替代了昂贵的光耦合器和复杂的隔离式 3.3V 电源，从而显著地节省了 BOM 成本。通过采用低 RDS(ON) 外部 MOSFET 和 0.25Ω 检测电阻器，LTC4290..

概述LTC4290BIUJ 芯片组是 8 端口供电设备 (PSE) 控制器，专为在符合 IEEE 802.3at Type 1 和 Type 2 规范 (高功率) 的以太网供电 (PoE) 系统中使用而设计。变压器隔离型通信协议替代了昂贵的光耦合器和复杂的隔离式 3.3V 电源，从而显著地节省了 BOM 成本。通过采用低 RDS(ON) 外部 MOSFET 和 0.25Ω 检测电阻器，LTC429..

概述LTC4290AIUJ芯片组是 8 端口供电设备 (PSE) 控制器，专为在符合 IEEE 802.3at Type 1 和 Type 2 规范 (高功率) 的以太网供电 (PoE) 系统中使用而设计。变压器隔离型通信协议替代了昂贵的光耦合器和复杂的隔离式 3.3V 电源，从而显著地节省了 BOM 成本。通过采用低 RDS(ON) 外部 MOSFET 和 0.25Ω 检测电阻器，LTC4290..

概述LTC4278IDKD是一款集成受电设备 (PD) 控制器和开关稳压器，拟用于高功率 IEEE 802.3at 和 802.3af 应用。凭借一个很宽的输入电压范围，LTC4278IDKD 专为支持那些包括一个低电压辅助电源输入 (例如：一个 12V 墙上适配器) 的 PD 应用而设计。该器件包括一个停机引脚，能够简单地实现 PoE 和辅助电源支配型应用。此外，LTC4278IDKD还支持由 ..

概述LTC4278CDKD是一款集成受电设备 (PD) 控制器和开关稳压器，拟用于高功率 IEEE 802.3at 和 802.3af 应用。凭借一个很宽的输入电压范围，LTC4278CDKD 专为支持那些包括一个低电压辅助电源输入 (例如：一个 12V 墙上适配器) 的 PD 应用而设计。该器件包括一个停机引脚，能够简单地实现 PoE 和辅助电源支配型应用。此外，LTC4278CDKD还支持由 ..

概述LTC4274IUHF是一款单通道供电设备控制器，专为在符合 IEEE 802.3 Type 1 和 Type 2 标准 (高功率) 的以太网供电系统中使用而设计。外部功率 MOSFET 增强了系统可靠性并最大限度地减小了通道电阻，从而削减了功耗并免除了增设散热器的需要，即使在 Type 2 功率级条件下也不例外。另外，外部功率组件还允许在非常高的功率级上使用，同时在其他方面依然保持与 IEE..

概述LTC4274CUHF是一款单通道供电设备控制器，专为在符合 IEEE 802.3 Type 1 和 Type 2 标准 (高功率) 的以太网供电系统中使用而设计。外部功率 MOSFET 增强了系统可靠性并最大限度地减小了通道电阻，从而削减了功耗并免除了增设散热器的需要，即使在 Type 2 功率级条件下也不例外。另外，外部功率组件还允许在非常高的功率级上使用，同时在其他方面依然保持与 IEE..

概述LTC4274CUHF是一款单通道供电设备控制器，专为在符合 IEEE 802.3 Type 1 和 Type 2 标准 (高功率) 的以太网供电系统中使用而设计。外部功率 MOSFET 增强了系统可靠性并最大限度地减小了通道电阻，从而削减了功耗并免除了增设散热器的需要，即使在 Type 2 功率级条件下也不例外。另外，外部功率组件还允许在非常高的功率级上使用，同时在其他方面依然保持与 IEE..

概述LTC4274AIUHF-4是一款单通道供电设备 (PSE) 控制器，能向一个兼容的 LTPoE++ 受电设备 (PD) 输送高达 90W 的 LTPoE++ 功率。一种专有的检测 / 分级方案实现了 LTPoE++ PSE 与 LTPoE++ PD 之间的相互识别，同时保持了与现有的 Type 1 (13W) 和 Type 2 (25.5W) PD 的兼容性及互操作性。LTC4274AIUH..

概述LTC4274AIUHF-3是一款单通道供电设备 (PSE) 控制器，能向一个兼容的 LTPoE++ 受电设备 (PD) 输送高达 90W 的 LTPoE++ 功率。一种专有的检测 / 分级方案实现了 LTPoE++ PSE 与 LTPoE++ PD 之间的相互识别，同时保持了与现有的 Type 1 (13W) 和 Type 2 (25.5W) PD 的兼容性及互操作性。LTC4274AIUH..

概述LTC4274AIUHF-1是一款单通道供电设备 (PSE) 控制器，能向一个兼容的 LTPoE++ 受电设备 (PD) 输送高达 90W 的 LTPoE++ 功率。一种专有的检测 / 分级方案实现了 LTPoE++ PSE 与 LTPoE++ PD 之间的相互识别，同时保持了与现有的 Type 1 (13W) 和 Type 2 (25.5W) PD 的兼容性及互操作性。LTC4274AIUH..

概述LTC4274AIUHF-2 是一款单通道供电设备 (PSE) 控制器，能向一个兼容的 LTPoE++ 受电设备 (PD) 输送高达 90W 的 LTPoE++ 功率。一种专有的检测 / 分级方案实现了 LTPoE++ PSE 与 LTPoE++ PD 之间的相互识别，同时保持了与现有的 Type 1 (13W) 和 Type 2 (25.5W) PD 的兼容性及互操作性。LTC4274AIU..

概述LTC4271IUF芯片组是 12 端口供电设备 (PSE) 控制器，专为在符合 IEEE 802.3at Type 1 和 Type 2 规范 (高功率) 的以太网供电 (PoE) 系统中使用而设计。变压器隔离型通信协议替代了昂贵的光耦合器和复杂的隔离式 3.3V 电源，从而显著地节省了 BOM 成本。通过采用低 RDS(ON) 外部 MOSFET 和 0.25Ω 检测电阻器，LTC4271..

概述LTC4270CIUKG芯片组是 12 端口供电设备 (PSE) 控制器，专为在符合 IEEE 802.3at Type 1 和 Type 2 规范 (高功率) 的以太网供电 (PoE) 系统中使用而设计。变压器隔离型通信协议替代了昂贵的光耦合器和复杂的隔离式 3.3V 电源，从而显著地节省了 BOM 成本。通过采用低 RDS(ON) 外部 MOSFET 和 0.25Ω 检测电阻器，LTC42..