概述LTC4440ES6-5 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 60V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440ES6-5还能安全承受 80V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440ES6-5的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.85Ω 的输出阻抗。 ..

概述LTC4440ES6 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 60V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440ES6还能安全承受 80V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440ES6的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.85Ω 的输出阻抗。 LTC444..

概述LTC4440EMS8E-5 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 60V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440EMS8E-5还能安全承受 80V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440EMS8E-5的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.85Ω 的..

LTC4440EMS8E 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 60V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440-5 还能安全承受 80V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440EMS8E的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.85Ω 的输出阻抗。 LTC4..

概述LTC4440AMPMS8E-5是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在具有高达 80V VIN 电压的应用中运作而设计。而且，LTC4440A-5 还能安全承受 100V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440AMPMS8E-5的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.8..

概述LTC4440AIMS8E-5是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在具有高达 80V VIN 电压的应用中运作而设计。而且，LTC4440AIMS8E-5 还能安全承受 100V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440AIMS8E-5的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 ..

概述LTC4440AHMS8E-5是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在具有高达 80V VIN 电压的应用中运作而设计。而且，LTC4440AHMS8E-5 还能安全承受 100V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440AHMS8E-5 的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有..

概述LTC3901EGN是一款副端同步整流器驱动器，专为在隔离型推挽和全桥式转换器电源中使用而设计。该芯片用于驱动两个外部 N 沟道 MOSFET 并接受一个变压器产生的双极输入，以利用主端控制器保持同步。 LTC3901EGN 拥有一整套针对外部 MOSFET 的保护功能。它内置了一种可编程超时功能，当同步信号丢失或错误时，该功能将停用两个驱动器。此外，该器件还利用两个 MOSFET 的漏-源极..

概述LTC3900IS8是一款副端同步整流器驱动器，专为在隔离正激式转换器电源中使用而设计。该芯片用于驱动 N 沟道整流器 MOSFET，并通过一个脉冲变压器接受来自主端控制器的脉冲同步信号。 LTC3900IS8拥有一整套用于外部 MOSFET 的保护功能。它内置了一种可编程超时功能，当同步信号丢失或错误时，该功能将停用两个驱动器。此外，该器件还利用箝位 MOSFET 的漏-源极电阻来检测输出电..

概述LTC3900ES8 是一款副端同步整流器驱动器，专为在隔离正激式转换器电源中使用而设计。该芯片用于驱动 N 沟道整流器 MOSFET，并通过一个脉冲变压器接受来自主端控制器的脉冲同步信号。 LTC3900ES8拥有一整套用于外部 MOSFET 的保护功能。它内置了一种可编程超时功能，当同步信号丢失或错误时，该功能将停用两个驱动器。此外，该器件还利用箝位 MOSFET 的漏-源极电阻来检测输出..

概述LTC1982ES6 是低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器。一个内部电压三倍器使得无需采用任何外部组件就能驱动栅极。内部调节电路允许静态电流在栅极充电完成时减小至每个驱动器 10μA (对于 LTC1981 为 20μA)。 低静态电流和低停机电流 (低于 1μA) 使这些器件非常适合于电池供电系统和其他供电功率受限的系统。其宽输入电压范围可适应多种电池 / 输入配置。 栅极驱动电..

概述LTC1981ES5 是低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器。一个内部电压三倍器使得无需采用任何外部组件就能驱动栅极。内部调节电路允许静态电流在栅极充电完成时减小至每个驱动器 10μA (对于 LTC1981 为 20μA)。 低静态电流和低停机电流 (低于 1μA) 使这些器件非常适合于电池供电系统和其他供电功率受限的系统。其宽输入电压范围可适应多种电池 / 输入配置。 栅极驱动电..

概述LTC1693-5CMS8以高速驱动功率 P 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。 LTC1693-5CMS8是具有一个输出极性选择引脚的单路驱动器。该 MOSFET 驱动器提供与 VCC 无关的 CMOS 输入门限和 1.2V 典型迟滞。它能够对输入逻辑信号进行电平移位，以使之上升或下降至用于外部 MOSFET 的轨至轨 VCC 驱动..

概述LTC1693-3CMS8以高速驱动功率 N 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。 LTC1693-1 包含两个同相驱动器，而 LTC1693-2 则包含一个同相驱动器和一个反相驱动器。这些双路驱动器是电隔离和独立的。 LTC1693-3CMS8 是具有一个输出极性选择引脚的单路驱动器。 该系列的所有 MOSFET 驱动器均提供与 VC..

概述LTC1693-2IS8以高速驱动功率 N 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。 LTC1693-1包含两个同相驱动器，而LTC1693-2IS8则包含一个同相驱动器和一个反相驱动器。这些双路驱动器是电隔离和独立的。LTC1693-3 是具有一个输出极性选择引脚的单路驱动器。 该系列的所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 ..

概述LTC1693-1IS8以高速驱动功率 N 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。 LTC1693-1IS8包含两个同相驱动器，而 LTC1693-2 则包含一个同相驱动器和一个反相驱动器。这些双路驱动器是电隔离和独立的。LTC1693-3 是具有一个输出极性选择引脚的单路驱动器。 该系列的所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关..

概述LTC1693-1CS8以高速驱动功率 N 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。 LTC1693-1CS8 包含两个同相驱动器，而 LTC1693-2 则包含一个同相驱动器和一个反相驱动器。这些双路驱动器是电隔离和独立的。LTC1693-3 是具有一个输出极性选择引脚的单路驱动器。 该系列的所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无..

概述LTC1255IS8 双通道高压侧驱动器允许在高压侧工业和汽车开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至高于正电源轨，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。低功率操作 (具有 12μA 待用电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片内集成了独立的过流检测功能电路，以在发生短路的情况下提供自动停机。可以..

概述LTC1255CS8 双通道高压侧驱动器允许在高压侧工业和汽车开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至高于正电源轨，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。低功率操作 (具有 12μA 待用电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片内集成了独立的过流检测功能电路，以在发生短路的情况下提供自动停机。可以..

概述LTC1165CN8 三通道低电压 MOSFET 驱动器使得能够采用低至 1.8V 电源通过便宜的低 RDS(ON) N 沟道开关来切换电源或接地参考负载。LTC1165CN8 具有反相输入，因而能在保持系统驱动极性的情况下直接替换 P 沟道 MOSFET 开关。LTC1163 具有同相输入。 微功率操作 (具有 0.01μA 待用电流和 95μA 工作电流)，结合 1.8V 至 6V 的电源..