概述LT1248CS可提供针对通用离线式电源系统的有源功率因数校正。通过采用无需斜率补偿的固定高频 PWM 电流平均处理，LT1248CN 在连续和断续操作模式中均可实现低得多的线路电流失真，而且使用的磁性元件比那些采用峰值电流检测或零电流开关操作法的系统要小。 LT1248CS采用一个包含了由电压放大器提供的一种平方增益功能的乘法器，以降低轻输出负载时的 AC 增益，从而保持低线路电流失真和高系..

概述LT1248CN 可提供针对通用离线式电源系统的有源功率因数校正。通过采用无需斜率补偿的固定高频 PWM 电流平均处理，LT1248CN 在连续和断续操作模式中均可实现低得多的线路电流失真，而且使用的磁性元件比那些采用峰值电流检测或零电流开关操作法的系统要小。 LT1248CN采用一个包含了由电压放大器提供的一种平方增益功能的乘法器，以降低轻输出负载时的 AC 增益，从而保持低线路电流失真和高..

概述LTC4417IUF可根据优先级将三个有效电源之一连接至一个公共输出。优先级由引脚分配来确定，V1 被分配了最高的优先级，而 V3 则为最低的优先级。当某个电源的电压连续处于其过压 (OV) 或欠压 (UV) 窗口之内的时间至少为 256ms 时，此电源就被定义为“有效”。假如优先级最高的有效输入脱离了 OV/UV 窗口，则立即将该通道断接，并把优先级次高的有效输入连接至公共输出。可以将 2 ..

概述LTC4417IGN可根据优先级将三个有效电源之一连接至一个公共输出。优先级由引脚分配来确定，V1 被分配了最高的优先级，而 V3 则为最低的优先级。当某个电源的电压连续处于其过压 (OV) 或欠压 (UV) 窗口之内的时间至少为 256ms 时，此电源就被定义为“有效”。假如优先级最高的有效输入脱离了 OV/UV 窗口，则立即将该通道断接，并把优先级次高的有效输入连接至公共输出。可以将 2 ..

概述LTC4417HUF可根据优先级将三个有效电源之一连接至一个公共输出。优先级由引脚分配来确定，V1 被分配了最高的优先级，而 V3 则为最低的优先级。当某个电源的电压连续处于其过压 (OV) 或欠压 (UV) 窗口之内的时间至少为 256ms 时，此电源就被定义为“有效”。假如优先级最高的有效输入脱离了 OV/UV 窗口，则立即将该通道断接，并把优先级次高的有效输入连接至公共输出。可以将 2 ..

概述LTC4417HGN可根据优先级将三个有效电源之一连接至一个公共输出。优先级由引脚分配来确定，V1 被分配了最高的优先级，而 V3 则为最低的优先级。当某个电源的电压连续处于其过压 (OV) 或欠压 (UV) 窗口之内的时间至少为 256ms 时，此电源就被定义为“有效”。假如优先级最高的有效输入脱离了 OV/UV 窗口，则立即将该通道断接，并把优先级次高的有效输入连接至公共输出。可以将 2 ..

概述LTC4417CUF可根据优先级将三个有效电源之一连接至一个公共输出。优先级由引脚分配来确定，V1 被分配了最高的优先级，而 V3 则为最低的优先级。当某个电源的电压连续处于其过压 (OV) 或欠压 (UV) 窗口之内的时间至少为 256ms 时，此电源就被定义为“有效”。假如优先级最高的有效输入脱离了 OV/UV 窗口，则立即将该通道断接，并把优先级次高的有效输入连接至公共输出。可以将 2 ..

概述LTC4417CGN可根据优先级将三个有效电源之一连接至一个公共输出。优先级由引脚分配来确定，V1 被分配了最高的优先级，而 V3 则为最低的优先级。当某个电源的电压连续处于其过压 (OV) 或欠压 (UV) 窗口之内的时间至少为 256ms 时，此电源就被定义为“有效”。假如优先级最高的有效输入脱离了 OV/UV 窗口，则立即将该通道断接，并把优先级次高的有效输入连接至公共输出。可以将 2 ..

概述LTC4416IMS-1 控制两组外部 P 沟道 MOSFET，以造就两种用于电源切换电路的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 25mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。 LTC4416IMS 集成了两个具有软切换控制功能的互连电源通路 ..

概述LTC4416IMS 控制两组外部 P 沟道 MOSFET，以造就两种用于电源切换电路的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 25mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。 LTC4416IMS 集成了两个具有软切换控制功能的互连电源通路 (P..

概述LTC4416EMS-1 控制两组外部 P 沟道 MOSFET，以造就两种用于电源切换电路的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 25mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。 LTC4416 集成了两个具有软切换控制功能的互连电源通路 (Po..

概述LTC4416EMS 控制两组外部 P 沟道 MOSFET，以造就两种用于电源切换电路的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 25mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。 LTC4416EMS 集成了两个具有软切换控制功能的互连电源通路 (P..

概述LTC4415EMSE包含两个单片式电源通路 (PowerPath?) 理想二极管，各能提供高达 4A 的电流，并具 50mΩ 的典型正向导通电阻。在低电流条件下，二极管电压降在正向导通期间被调节至 15mV，从而扩大了电源工作范围并确保在电源切换过程中不会产生振荡。从 OUT 流至 IN 的反向电流小于 1μA，因而使得该器件非常适合于电源“或”应用。 采用输入 EN1 和 EN2 对两个理..

概述LTC4415EDHC包含两个单片式电源通路 (PowerPath?) 理想二极管，各能提供高达 4A 的电流，并具 50mΩ 的典型正向导通电阻。在低电流条件下，二极管电压降在正向导通期间被调节至 15mV，从而扩大了电源工作范围并确保在电源切换过程中不会产生振荡。从 OUT 流至 IN 的反向电流小于 1μA，因而使得该器件非常适合于电源“或”应用。 采用输入 EN1 和 EN2 对两个理..

概述LTC4414IMS8 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4414IMS8 的互连来实现多个电池之间的切换或由..

述LTC4414EMS8控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多LTC4414EMS8 的互连来实现多个电池之间的切换或由单个充..

概述LTC?4413-1 和 LTC4413EDD-2 各自包含两个单片式理想二极管，均能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A 的输出电流。理想二极管采用了一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 18mV。在二极管电流高达 1A 时，静态电流..

概述LTC4413EDD-1和 LTC4413-2 各自包含两个单片式理想二极管，均能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A 的输出电流。理想二极管采用了一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 18mV。在二极管电流高达 1A 时，静态电流小于..

概述LTC4413EDD包含两个单片式理想二极管，各能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A。每个理想二极管采用一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 28mV。在二极管电流高达 1A 时，静态电流将小于 40μA。如果任一个输出电压超过其各自..

概述LTC4412IS6控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412IS6 的互连来实现多个电池之间..