概述LTC4353IDE可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。 LTC4353IDE可调节 MOSFET 两端的正向电压降，以确保二极管“或”应用中的平滑电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最大限..

概述LTC4353CMS可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。 LTC4353CMS可调节 MOSFET 两端的正向电压降，以确保二极管“或”应用中的平滑电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最大限..

概述LTC4353CDE 可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。 LTC4353CDE 可调节 MOSFET 两端的正向电压降，以确保二极管“或”应用中的平滑电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最..

概述LTC4352IMS采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。LTC4352IMS负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “或” 应用中确保平滑的电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或被短路，则快..

概述LTC4352IDD采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。LTC4352IDD负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “或” 应用中确保平滑的电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或被短路，则快..

概述LTC4352HMS采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。LTC4352HMS负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “或” 应用中确保平滑的电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或被短路，则快..

概述LTC4352HDD采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。LTC4352HDD负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “或” 应用中确保平滑的电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或被短路，则快..

概述LTC4352CMS采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。 LTC4352CMS负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “或” 应用中确保平滑的电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或被短路，则..

概述LTC4352CDD采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。LTC4352CDD负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “或” 应用中确保平滑的电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或被短路，则快..

概述The LTC1473IGN provides a power management solution for single and dual battery notebook computers and other portable equipment. The LTC1473 drives two sets of back-to-back N-channel MOSFET switches..

概述The LTC1473CGN provides a power management solution for single and dual battery notebook computers and other portable equipment. The LTC1473 drives two sets of back-to-back N-channel MOSFET switches..

概述LT4351IMS采用外部单个或背对背 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。该理想二极管部件实现了多种电源的低损耗型 “或” 处理。可以容易地将电源 “或” 连接在一起，以增加总系统功率并提升可靠性，而对电源电压或效率的影响则极小。能够有效地将不同类型的电源 “或” 连接在一起。 该 IC 负责监视相对于负载的输入电源电压，并在输入电源电压较高时接通 MOSFET。如果 MOSFE..

概述LT4351CMS采用外部单个或背对背 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。该理想二极管部件实现了多种电源的低损耗型 “或” 处理。可以容易地将电源 “或” 连接在一起，以增加总系统功率并提升可靠性，而对电源电压或效率的影响则极小。能够有效地将不同类型的电源 “或” 连接在一起。 该 IC 负责监视相对于负载的输入电源电压，并在输入电源电压较高时接通 MOSFET。如果 MOSFE..

概述LT4321IUF是一款双路理想二极管桥控制器，其可使一部以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 从 RJ-45 数据线对和/或空闲线对接收任一电压极性的电源。LT4321IUF和 8 个 N 沟道 MOSFET 可替代一个无源 PoE 整流器桥中的 8 个二极管。LT4321IUF简化了热设计并可增加输送功率。 一个内部充电泵可实现一个全 NMOS 桥，从而免除了体积更大且更加昂贵的 P..

概述LT4321HUF 是一款双路理想二极管桥控制器，其可使一部以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 从 RJ-45 数据线对和/或空闲线对接收任一电压极性的电源。LT4321HUF和 8 个 N 沟道 MOSFET 可替代一个无源 PoE 整流器桥中的 8 个二极管。LT4321HUF 简化了热设计并可增加输送功率。 一个内部充电泵可实现一个全 NMOS 桥，从而免除了体积更大且更加昂贵的..

概述LT4320MPMSE-1是理想二极管桥控制器，可驱动 4 个 N 沟道 MOSFET，支持从 DC 至 600Hz (典型值) 的电压整流。通过最大限度地增加可用电压并降低功耗 (见热录像仪比较)，该理想二极管桥控制器简化了电源设计并降低了电源成本，尤其是在低电压应用中。 另外，理想二极管桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并极大地缩减了 PC 板面积。LT4320MPMSE 的内部充电泵支..

概述 LT4320IN8-1是理想二极管桥控制器，可驱动 4 个 N 沟道 MOSFET，支持从 DC 至 600Hz (典型值) 的电压整流。通过最大限度地增加可用电压并降低功耗 (见热录像仪比较)，该理想二极管桥控制器简化了电源设计并降低了电源成本，尤其是在低电压应用中。 另外，理想二极管桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并极大地缩减了 PC 板面积。LT4320 的内部充电泵支持一种全 N..

概述LT4320MPMSE是理想二极管桥控制器，可驱动 4 个 N 沟道 MOSFET，支持从 DC 至 600Hz (典型值) 的电压整流。通过最大限度地增加可用电压并降低功耗 (见热录像仪比较)，该理想二极管桥控制器简化了电源设计并降低了电源成本，尤其是在低电压应用中。 另外，理想二极管桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并极大地缩减了 PC 板面积。LT4320MPMSE的内部充电泵支持一种..

概述LT4320IN8是理想二极管桥控制器，可驱动 4 个 N 沟道 MOSFET，支持从 DC 至 600Hz (典型值) 的电压整流。通过最大限度地增加可用电压并降低功耗 (见热录像仪比较)，该理想二极管桥控制器简化了电源设计并降低了电源成本，尤其是在低电压应用中。 另外，理想二极管桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并极大地缩减了 PC 板面积。LT4320IN8的内部充电泵支持一种全 NM..

概述LT4320IMSE-1是理想二极管桥控制器，可驱动 4 个 N 沟道 MOSFET，支持从 DC 至 600Hz (典型值) 的电压整流。通过最大限度地增加可用电压并降低功耗 (见热录像仪比较)，该理想二极管桥控制器简化了电源设计并降低了电源成本，尤其是在低电压应用中。 另外，理想二极管桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并极大地缩减了 PC 板面积。LT4320的内部充电泵支持一种全 NM..