概述LTC4412HVIS6控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412HVIS6的互连来实现多个..

概述LTC4412HS6控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412HS6的互连来实现多个电池之间的..

概述LTC4412ES6控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412ES6 的互连来实现多个电池之间..

概述LTC4411ES5是一款能够从一个 2.6V 至 5.5V 的输入电压来提供高达2.6A电流的理想二极管IC。LTC4411ES5采用一种高度仅 1mm 的 5 引脚 SOT-23 封装。 LTC4411ES5内含一个连接在 IN 和 OUT 引脚之间的 140mΩ P 沟道 MOSFET。在正常的正向操作期间，MOSFET 两端的压降被调节到低至 28mV。对于高至 100mA 的负载电流..

概述LTC4371IMS是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器，其用于驱动外部 N 沟道MOSFET，可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除了增设散热器的需要，并缩减了 PC 板面积。可以很容易地把电源 “或” 连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。 LTC4371IMS可耐受比如那些在雷电引起的浪涌和输入电源短路过程中所遭遇的 ±30..

概述LTC4371IDD是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器，其用于驱动外部 N 沟道MOSFET，可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除了增设散热器的需要，并缩减了 PC 板面积。可以很容易地把电源 “或” 连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。 LTC4371IDD可耐受比如那些在雷电引起的浪涌和输入电源短路过程中所遭遇的 ±30..

概述LTC4371CMS是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器，其用于驱动外部 N 沟道MOSFET，可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除了增设散热器的需要，并缩减了 PC 板面积。可以很容易地把电源 “或” 连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。 LTC4371CMS可耐受比如那些在雷电引起的浪涌和输入电源短路过程中所遭遇的 ±30..

概述LTC4371CDD是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器，其用于驱动外部 N 沟道MOSFET，可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除了增设散热器的需要，并缩减了 PC 板面积。可以很容易地把电源 “或” 连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。 LTC4371CDD 可耐受比如那些在雷电引起的浪涌和输入电源短路过程中所遭遇的 ±3..

概述LTC4370IMS是一款内置 MOSFET 理想二极管的双电源均流控制器。这些二极管负责隔离在启动和故障情况下的反向电流和贯通电流。可对其正向电压进行调节以在电源之间共用负载电流。与其他的均流方法不同，该器件不需要在电源上布设共享总线或修整引脚。 最大 MOSFET 电压降可利用一个电阻器设定。快速栅极接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制..

概述LTC4370IDE 是一款内置 MOSFET 理想二极管的双电源均流控制器。这些二极管负责隔离在启动和故障情况下的反向电流和贯通电流。可对其正向电压进行调节以在电源之间共用负载电流。与其他的均流方法不同，该器件不需要在电源上布设共享总线或修整引脚。 最大 MOSFET 电压降可利用一个电阻器设定。快速栅极接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑..

概述LTC4370CMS 是一款内置 MOSFET 理想二极管的双电源均流控制器。这些二极管负责隔离在启动和故障情况下的反向电流和贯通电流。可对其正向电压进行调节以在电源之间共用负载电流。与其他的均流方法不同，该器件不需要在电源上布设共享总线或修整引脚。 最大 MOSFET 电压降可利用一个电阻器设定。快速栅极接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑..

概述LTC4370CDE 是一款内置 MOSFET 理想二极管的双电源均流控制器。这些二极管负责隔离在启动和故障情况下的反向电流和贯通电流。可对其正向电压进行调节以在电源之间共用负载电流。与其他的均流方法不同，该器件不需要在电源上布设共享总线或修整引脚。 最大 MOSFET 电压降可利用一个电阻器设定。快速栅极接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑..

概述LTC4359IMS8是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式，用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。 当..

概述LTC4359IDCB是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式，用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。 当..

概述LTC4359HMS8是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式，用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。 当..

概述LTC4359HDCB是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式，用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。 当..

概述LTC4359CMS8是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式，用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。 当..

概述LTC4359CDCB 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式，用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。 ..

概述LTC4358IFE是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358IFE 降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。 LTC4358IFE 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4358IFE负责调节内部 MOSFET 两端..

概述LTC4358IDE是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358IDE降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。 LTC4358IDE可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4358IDE 负责调节内部 MOSFET 两端的..